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IR推出新型DirectFET MOSFET芯片組
國際整流器公司（international rectifier，簡稱ir）近日推出一款新型的directfet mosfet芯片組。新品可配合ir近期發(fā)布的ir2086s全橋總線轉(zhuǎn)換器集成電路，使直流總線轉(zhuǎn)換器達(dá)到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉(zhuǎn)換器解決方案，在比四分之一磚轉(zhuǎn)換器還要小29%的電路板面積上，實現(xiàn)效率高達(dá)97%的336w功率。全新的irf6646及irf6635適用于隔離式dc-dc轉(zhuǎn)換器總線轉(zhuǎn)換器的固定48v及36v到60v輸入橋式電路拓?fù)洹⑼浇祲悍歉綦x式dc-dc電路拓?fù)?、針對移動通信?8v到36v輸入正激及推挽式轉(zhuǎn)換器，以及調(diào)節(jié)式輸出隔離式dc-dc應(yīng)用中的次級同步整流。業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的300w四分之一磚設(shè)計往往包含多達(dá)10個mosfet（4個初級和6個次級）、1個脈寬調(diào)制（pwm）集成電路及2個半橋驅(qū)動器集成電路。ir的新芯片組方案則只有6個mosfet（4個初級和2個次級）及1個單獨的集成電路，節(jié)省功率半導(dǎo)體零件數(shù)達(dá)46%。此外，以這種芯片組制成的隔離式總線轉(zhuǎn)換器dc-dc能有效節(jié)省多達(dá)29%的占板空間，更可提升工作效率1
IR新型隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器工作效率達(dá)97％
該款參考設(shè)計簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v（35a）非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。新款參考設(shè)計的芯片組包括ir2086s初級全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet，其中4顆irf6646 80v directfet初級mosfet，4顆irf6635 30v directfet次級同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet）用于偏置開關(guān)和次級箝位（2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全橋式控制器在高頻率（可高達(dá)500khz）下工作，可利用一個集成的軟啟動電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%，以限制啟動時的電流沖擊，并在整個啟動過程保持高側(cè)和低側(cè)mosfet的脈寬相等。新款參考設(shè)計包括完整的irdc2086-330w電路板，以及
利用數(shù)字控制優(yōu)化單相同步降壓轉(zhuǎn)換器的效率
到125℃時，rdson將增加50%。除此之外，設(shè)計工程師還需要考慮傳感元件的工藝偏差，此偏差可能高達(dá)30%(圖2)。這意味著對于應(yīng)用在0℃～125℃整個范圍的20a系統(tǒng)，電流限值必須設(shè)置成平均值38a，這要求使用額定電流為45a的電感和mosfet。通過采用溫度補償和板上校準(zhǔn)，電流限值可能更苛刻，設(shè)置點精度優(yōu)于5%。這樣，電流限值將降低到平均22a，可以選擇25a電感和mosfet。所選的元件將更小、成本更低，而且能提供更精確的保護功能。在考慮到這些要求后，選擇irf6635作為低壓側(cè)mosfet。irf6636的額定漏電流在70°c溫度下為25a，rdson非常低(在4.5v下為1.8 mω)，可以最大程度地降低傳導(dǎo)損耗。將兩個mosfet并聯(lián)可以提高電流，并保持器件的電流額定值(在高壓側(cè)也如此)。對高壓側(cè)mosfet選擇irf6636是因為它的柵極電荷(qg)低，開關(guān)損耗最小。對于輸入至輸出的降壓比很高的特定場合，高壓側(cè)mosfet保持導(dǎo)通的時間不長，大部分損耗是開關(guān)損耗。輸入和輸出電容的選擇要滿足總體瞬態(tài)目標(biāo)，并使輸入和輸出紋波電流
提升單相同步降壓轉(zhuǎn)換器效率的設(shè)計技巧
5℃上升到125℃時，rdson將增加50%。除此之外，設(shè)計工程師還需要考慮傳感元件的工藝偏差，此偏差可能高達(dá)30%(圖2)。這意味著對于應(yīng)用在0℃～125℃整個范圍的20a系統(tǒng)，電流限值必須設(shè)置成平均值38a，這要求使用額定電流為45a的電感和mosfet。通過采用溫度補償和板上校準(zhǔn)，電流限值可能更苛刻，設(shè)置點精度優(yōu)于5%。這樣，電流限值將降低到平均22a，可以選擇25a電感和mosfet。所選的元件將更小、成本更低，而且能提供更精確的保護功能。在考慮到這些要求后，選擇irf6635作為低壓側(cè)mosfet。irf6636的額定漏電流在70°c溫度下為25a，rdson非常低(在4.5v下為1.8 mω)，可以最大程度地降低傳導(dǎo)損耗。將兩個mosfet并聯(lián)可以提高電流，并保持器件的電流額定值(在高壓側(cè)也如此)。對高壓側(cè)mosfet選擇irf6636是因為它的柵極電荷(qg)低，開關(guān)損耗最小。對于輸入至輸出的降壓比很高的特定場合，高壓側(cè)mosfet保持導(dǎo)通的時間不長，大部分損耗是開關(guān)損耗。輸入和輸出電容的選擇要滿足總體瞬態(tài)目標(biāo)，并使輸入和輸出紋波電流最小。對于高
IR推出新型330W隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計
該款參考設(shè)計簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v（35a）非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。新款參考設(shè)計的芯片組包括ir2086s初級全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet，其中4顆irf6646 80v directfet初級mosfet，4顆irf6635 30v directfet次級同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet）用于偏置開關(guān)和次級箝位（2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全橋式控制器在高頻率（可高達(dá)500khz）下工作，可利用一個集成的軟啟動電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%，以限制啟動時的電流沖擊，并在整個啟動過程保持高側(cè)和低側(cè)mosfet的脈寬相等。新款參考設(shè)計包括完整的irdc2086-330w電路板，以及存有用

DirectFET MOSFET芯片組最大化總線轉(zhuǎn)換器
國際整流器公司(international rectifier，簡稱ir)近日推出一款新型的directfet mosfet芯片組。新品可配合ir近期發(fā)布的ir2086s全橋總線轉(zhuǎn)換器集成電路，使直流總線轉(zhuǎn)換器達(dá)到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉(zhuǎn)換器解決方案，在比四分之一磚轉(zhuǎn)換器還要小29%的電路板面積上，實現(xiàn)效率高達(dá)97%的336w功率。 irf6646和irf6635適用于隔離式dc-dc轉(zhuǎn)換器總線轉(zhuǎn)換器的固定48v和36v到60v輸入橋式電路拓?fù)洹⑼浇祲悍歉綦x式dc-dc電路拓?fù)?、針對移動通信?8v到36v輸入正激和推挽式轉(zhuǎn)換器，以及調(diào)節(jié)式輸出隔離式dc-dc應(yīng)用中的次級同步整流。ir的新芯片組方案只有6個mosfet (4個初級和2個次級)和1個單獨的集成電路，節(jié)省功率半導(dǎo)體零件數(shù)達(dá)46%。此外，以這種芯片組制成的隔離式總線轉(zhuǎn)換器dc-dc能有效節(jié)省多達(dá)29%的占板空間，更可提升工作效率1.5%。 irf6646 80v mosfet的最大導(dǎo)通電阻為9.5mω，可針對初級橋式電路拓?fù)溥M行定制。irf6635 30v mosfet的最大導(dǎo)通電阻為1.8mω ，是
IR推出新型330W隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計
w。該款參考設(shè)計簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v（35a）非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。新款參考設(shè)計的芯片組包括ir2086s初級全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet，其中4顆irf6646 80v directfet初級mosfet，4顆irf6635 30v directfet次級同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet）用于偏置開關(guān)和次級箝位（2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。 ir中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示：“ir在ir2086s控制ic上使用的高壓ic技術(shù)與一流的directfet mosfet封裝技術(shù)配合，可使溫度比標(biāo)準(zhǔn)方案降低40°c，從而增加系統(tǒng)的可靠性。” ir2086s全橋式控制器在高頻率（可高達(dá)500khz）下工作，可利用一個集成
IR新型隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器工作效率達(dá)97%
30w。該款參考設(shè)計簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v（35a）非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。新款參考設(shè)計的芯片組包括ir2086s初級全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet，其中4顆irf6646 80v directfet初級mosfet，4顆irf6635 30v directfet次級同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet）用于偏置開關(guān)和次級箝位（2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全橋式控制器在高頻率（可高達(dá)500khz）下工作，可利用一個集成的軟啟動電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%，以限制啟動時的電流沖擊，并在整個啟動過程保持高側(cè)和低側(cè)mosfet的脈寬相等。新款參考設(shè)計包括完整的irdc2086-330w電路板，以及存有用戶指

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IR推出新型330W隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計

DirectFET MOSFET芯片組最大化總線轉(zhuǎn)換器

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