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原裝現(xiàn)貨
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osfet。當(dāng)驅(qū)動 3000pf 負(fù)載時，12ns 快速上升時間以及高端 mosfet 的 8ns 下降時間和低端 mosfet 的 5ns 下降時間最大限度地降低了開關(guān)損耗。集成自適應(yīng)貫通保護功能防止高端和低端mosfet同時導(dǎo)通，從而最大限度地減少了死區(qū)時間。 ltc4442/-1 具有一個用于電源級關(guān)斷的三態(tài) pwm 輸入，它與所有具備三態(tài)輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件有一個單獨的電源，用于輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，并在驅(qū)動器和邏輯電源端有欠壓閉鎖電路。該器件還在 6.2v 至 9.5v 的范圍內(nèi)驅(qū)動高端和低端 mosfet 柵極，并在電源電壓高達(dá) 38v 時工作。ltc4442-1 版本有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，用來驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn) 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 照片說明：同步 mosfet 驅(qū)動器用于 dc/dc 轉(zhuǎn)換器 性能概要：ltc4442/-1 · 同步 n 溝道 mosfet 驅(qū)動器 · 高驅(qū)動電流：提供 2.4a，吸收 5a · 自適應(yīng)零貫通保護 ·
t。當(dāng)驅(qū)動 3000pf 負(fù)載時，12ns 快速上升時間以及高端 mosfet 的 8ns 下降時間和低端 mosfet 的 5ns 下降時間最大限度地降低了開關(guān)損耗。集成自適應(yīng)貫通保護功能防止高端和低端mosfet同時導(dǎo)通，從而最大限度地減少了死區(qū)時間。 ltc4442/-1 具有一個用于電源級關(guān)斷的三態(tài) pwm 輸入，它與所有具備三態(tài)輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件有一個單獨的電源，用于輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，并在驅(qū)動器和邏輯電源端有欠壓閉鎖電路。該器件還在 6.2v 至 9.5v 的范圍內(nèi)驅(qū)動高端和低端 mosfet 柵極，并在電源電壓高達(dá) 38v 時工作。ltc4442-1 版本有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，用來驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn) 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4442/-1性能概要 同步 n 溝道 mosfet 驅(qū)動器 高驅(qū)動電流：提供 2.4a，吸收 5a 自適應(yīng)零貫通保護 高端 mosfet 柵極：驅(qū)動 3000pf 負(fù)載時，上升時間為 12ns，下降時間為 8ns 低端 mosfet
。當(dāng)驅(qū)動 3000pf 負(fù)載時，12ns 快速上升時間以及高端 mosfet 的 8ns 下降時間和低端 mosfet 的 5ns 下降時間最大限度地降低了開關(guān)損耗。集成自適應(yīng)貫通保護功能防止高端和低端mosfet同時導(dǎo)通，從而最大限度地減少了死區(qū)時間。 ltc4442/-1 具有一個用于電源級關(guān)斷的三態(tài) pwm 輸入，它與所有具備三態(tài)輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件有一個單獨的電源，用于輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，并在驅(qū)動器和邏輯電源端有欠壓閉鎖電路。該器件還在 6.2v 至 9.5v 的范圍內(nèi)驅(qū)動高端和低端 mosfet 柵極，并在電源電壓高達(dá) 38v 時工作。ltc4442-1 版本有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，用來驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn) 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4442/-1性能概要 同步 n 溝道 mosfet 驅(qū)動器 高驅(qū)動電流：提供 2.4a，吸收 5a 自適應(yīng)零貫通保護 高端 mosfet 柵極：驅(qū)動 3000pf 負(fù)載時，上升時間為 12ns，下降時間為 8ns
當(dāng)驅(qū)動 3000pf 負(fù)載時，12ns 快速上升時間以及高端 mosfet 的 8ns 下降時間和低端 mosfet 的 5ns 下降時間最大限度地降低了開關(guān)損耗。集成自適應(yīng)貫通保護功能防止高端和低端mosfet同時導(dǎo)通，從而最大限度地減少了死區(qū)時間。 ltc4442/-1 具有一個用于電源級關(guān)斷的三態(tài) pwm 輸入，它與所有具備三態(tài)輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件有一個單獨的電源，用于輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，并在驅(qū)動器和邏輯電源端有欠壓閉鎖電路。該器件還在 6.2v 至 9.5v 的范圍內(nèi)驅(qū)動高端和低端 mosfet 柵極，并在電源電壓高達(dá) 38v 時工作。ltc4442-1 版本有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，用來驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn) 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4442/-1 采用耐熱增強型 msop-8 封裝，在 -40oc 至 85oc 的溫度范圍內(nèi)工作，以 1,000 片為單位批量購買，每片價格為 1.25 美元。 照片說明：同步 mosfet 驅(qū)動器用于 dc/dc 轉(zhuǎn)換器 性能概要
sfet。當(dāng)驅(qū)動 3000pf 負(fù)載時，12ns 快速上升時間以及高端 mosfet 的 8ns 下降時間和低端 mosfet 的 5ns 下降時間最大限度地降低了開關(guān)損耗。集成自適應(yīng)貫通保護功能防止高端和低端mosfet同時導(dǎo)通，從而最大限度地減少了死區(qū)時間。 ltc4442/-1 具有一個用于電源級關(guān)斷的三態(tài) pwm 輸入，它與所有具備三態(tài)輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件有一個單獨的電源，用于輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，并在驅(qū)動器和邏輯電源端有欠壓閉鎖電路。該器件還在 6.2v 至 9.5v 的范圍內(nèi)驅(qū)動高端和低端 mosfet 柵極，并在電源電壓高達(dá) 38v 時工作。ltc4442-1 版本有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，用來驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn) 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4442/-1 采用耐熱增強型 msop-8 封裝，在 -40oc 至 85oc 的溫度范圍內(nèi)工作，以 1,000 片為單位批量購買，每片價格為 1.25 美元。 性能概要：ltc4442/-1 ·同步 n 溝道 mosfet 驅(qū)動器
中作為基準(zhǔn)電壓源或用在過電壓保護電路中作為保護二極管。 選用的穩(wěn)壓二極管，應(yīng)滿足應(yīng)用電路中主要參數(shù)的要求。穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓值應(yīng)與應(yīng)用電路的基準(zhǔn)電壓值相同，穩(wěn)壓二極管的最大穩(wěn)定電流應(yīng)高于應(yīng)用電路的最大負(fù)載電流50%左右。 穩(wěn)壓二極管的代換 穩(wěn)壓二極管損壞后，應(yīng)采用同型號穩(wěn)壓二極管或電參數(shù)相同的穩(wěn)壓二極管來更換。 可以用具有相同穩(wěn)定電壓值的高耗散功率穩(wěn)壓二極管來代換耗散功率低的穩(wěn)壓二極管，但不能用耗散功率低的穩(wěn)壓二極管來代換耗散功率高的穩(wěn)壓二極管。例如，0.5w、6.2v的穩(wěn)壓二極管可以用1w、6.2v穩(wěn)壓二極管代換。 4、開關(guān)二極管的選用 開關(guān)二極管的作用是利用其單向?qū)щ娞匦允蛊涑蔀橐粋€較理想的電子開關(guān)。開關(guān)二極管除能滿足普通二極管和性能指標(biāo)要求外，還具有良好的高頻開關(guān)特性（反向恢復(fù)時間較短），被廣泛應(yīng)用于家電電腦、電視機、通信設(shè)備、家用音響、影碟機、儀器儀表、控制電路、各類高頻電路及電子設(shè)備有開關(guān)電路、檢波電路、高頻脈沖整流電路等。 開關(guān)二極管分為普通開關(guān)二極管、高速開關(guān)二極管、超高速開關(guān)二極管、低功耗開關(guān)二極管、高反壓開關(guān)二極管、硅
自適應(yīng)貫通保護，以防止高端和低端 mosfet 同時導(dǎo)通，并最大限度縮短死區(qū)時間。該器件含有集成的自舉肖特基二極管，可簡化電路。 ltc4443/-1 包括一個三態(tài) pwm 輸入以用于電源級停機，該輸入與所有具三態(tài)輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件還有一個單獨的電源，供輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，而且在驅(qū)動器和邏輯電源端都有欠壓閉鎖電路。此外，該器件在 6v 至 9.5v 范圍驅(qū)動高端和低端 mosfet 的柵極，并在電源電壓高達(dá) 38v 時工作。“-1”版本具有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，以用來驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn) 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封裝，以 1,000 片為單位批量購買，每片價格為 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 經(jīng)過測試，保證在 -40℃ 至 85℃ 的工作溫度范圍內(nèi)工作，千片批購價為 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 *同步 n 溝道 mosfet 驅(qū)動器
自適應(yīng)貫通保護，以防止高端和低端 mosfet 同時導(dǎo)通，并最大限度縮短死區(qū)時間。該器件含有集成的自舉肖特基二極管，可簡化電路。 ltc4443/-1 包括一個三態(tài) pwm 輸入以用于電源級停機，該輸入與所有具三態(tài)輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件還有一個單獨的電源，供輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，而且在驅(qū)動器和邏輯電源端都有欠壓閉鎖電路。此外，該器件在 6v 至 9.5v 范圍驅(qū)動高端和低端 mosfet 的柵極，并在電源電壓高達(dá) 38v 時工作?！?1”版本具有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，以用來驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn) 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封裝，以 1,000 片為單位批量購買，每片價格為 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 經(jīng)過測試，保證在 -40℃ 至 85℃ 的工作溫度范圍內(nèi)工作，千片批購價為 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 同步 n 溝道 mosfet 驅(qū)動器
自適應(yīng)貫通保護，以防止高端和低端 mosfet 同時導(dǎo)通，并最大限度縮短死區(qū)時間。該器件含有集成的自舉肖特基二極管，可簡化電路。 ltc4443/-1 包括一個三態(tài) pwm 輸入以用于電源級停機，該輸入與所有具三態(tài)輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件還有一個單獨的電源，供輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，而且在驅(qū)動器和邏輯電源端都有欠壓閉鎖電路。此外，該器件在 6v 至 9.5v 范圍驅(qū)動高端和低端 mosfet 的柵極，并在電源電壓高達(dá) 38v 時工作?！?1”版本具有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，以用來驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn) 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封裝，以 1,000 片為單位批量購買，每片價格為 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 經(jīng)過測試，保證在 -40℃ 至 85℃ 的工作溫度范圍內(nèi)工作，千片批購價為 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 同步 n 溝道 mosfet 驅(qū)動器
fet。當(dāng)驅(qū)動 3000pf 負(fù)載時，12ns 快速上升時間以及高端 mosfet 的 8ns 下降時間和低端 mosfet 的 5ns 下降時間最大限度地降低了開關(guān)損耗。集成自適應(yīng)貫通保護功能防止高端和低端mosfet同時導(dǎo)通，從而最大限度地減少了死區(qū)時間。 ltc4442/-1 具有一個用于電源級關(guān)斷的三態(tài) pwm 輸入，它與所有具備三態(tài)輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件有一個單獨的電源，用于輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，并在驅(qū)動器和邏輯電源端有欠壓閉鎖電路。該器件還在 6.2v 至 9.5v 的范圍內(nèi)驅(qū)動高端和低端 mosfet 柵極，并在電源電壓高達(dá) 38v 時工作。ltc4442-1 版本有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，用來驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn) 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4442/-1 采用耐熱增強型 msop-8 封裝，在 -40oc 至 85oc 的溫度范圍內(nèi)工作，以 1,000 片為單位批量購買，每片價格為 1.25 美元。
h-zhbi厚膜集成直流變換器能將+24±1v的直流輸入電壓變換成共地的±15v輸出電壓和一個-6.2v的基準(zhǔn)電壓。它尤其是適用于3~4個運算放大器組成的控制系統(tǒng)的內(nèi)饋電路用，也可供其它需要±15v供電的半導(dǎo)體器件使用。該變換器最大輸出電流為30ma,若內(nèi)部取消6.2v檔則可增為40ma. 厚膜集成電路h-zhb1的管教排列如圖5-25所示。技術(shù)指標(biāo)見表5-7所附。 工作原理如圖5-26所示。當(dāng)厚膜集成電路h-zhb1的1腳和3腳接通24v直流電壓時，由調(diào)整管vt1的2腳輸出+15v直流電壓，經(jīng)vt2,vt3差動放大且通過前置管vt4激勵互補對稱管vt5,vt6進行電壓放大，又經(jīng)由c5,c6,vd3,vd4組成的倍壓整流，加到調(diào)整管vt7使4腳輸出-15v的直流電壓，在穩(wěn)壓二極管vd7的5腳可取出-6.2v的直流電壓。若想獲取-5v的直流電壓，在h-zhb1的3腳串接兩只二極管vd8,vd9即可。 來源:陰雨
程，vt1迅速截止。vt1截止后，變壓器t1儲存的能量提供給負(fù)載，初級線圈np產(chǎn)生的1負(fù)2正的反向電壓經(jīng)二極管vd3整流濾波后，在c4得到5.8v的直流電壓。通過手機的專用充電插頭給手機充電。 在vt1截止時，直流供電輸入電壓和nb感應(yīng)的3負(fù)4正的電壓又經(jīng)r1、r2給c2反向充電，逐漸提高vt1基極電位，使其重新導(dǎo)通，再次翻轉(zhuǎn)達(dá)到飽和狀態(tài)，電路就這樣重復(fù)振蕩下去。 vd1、vd2、c3等組成穩(wěn)壓電路，在vt1截止期間，nb感應(yīng)的3負(fù)4正的電壓經(jīng)vd2向c3充電，當(dāng)c3上的電壓(上負(fù)下正)大于6.2v時．穩(wěn)壓二極管vd1開始導(dǎo)通起分流作用，減小vt1的基極電流，從而可以控制vt1的集電極電流ic，達(dá)到穩(wěn)定輸出電壓的作用。 需要說明的是：由于輸入直流電壓低，不需要隔離，同時輸入直流電壓干和輸出直流電壓比較接近，因此高頻變壓器沒有設(shè)次級線圈，負(fù)載電路的能量直接從初級線圈獲取。這樣做有兩點好處：一是提高了電路的轉(zhuǎn)換效率，二是vd3、c4、r4等同時又組成了浪涌電壓吸收回路，吸收vt1截止瞬間產(chǎn)生的反向高壓。 元器件選擇與安裝調(diào)試: vt1要求icm>1a，hef為50～100，可用2s
45的基極上。當(dāng)取樣電壓大約大于1.4v，即開關(guān)管電流大于0.14a時，三極管c945導(dǎo)通，從而將開關(guān)管13003的基極電壓拉低，從而集電極電流減小，這樣就限制了開關(guān)的電流，防止電流過大而燒毀(其實這是一個恒流結(jié)構(gòu)，將開關(guān)管的最大電流限制在140ma左右)。 變壓器左下方的繞組(取樣繞組)的感應(yīng)電壓經(jīng)整流二極管4148整流，22uf電容濾波后形成取樣電壓。為了分析方便，我們?nèi)∪龢O管c945發(fā)射極一端為地。那么這取樣電壓就是負(fù)的(-4v左右)，并且輸出電壓越高時，采樣電壓越負(fù)。取樣電壓經(jīng)過6.2v穩(wěn)壓二極管后，加至開關(guān)管13003的基極。前面說了，當(dāng)輸出電壓越高時，那么取樣電壓就越負(fù)，當(dāng)負(fù)到一定程度后，6.2v穩(wěn)壓二極管被擊穿，從而將開關(guān)13003的基極電位拉低，這將導(dǎo)致開關(guān)管斷開或者推遲開關(guān)的導(dǎo)通，從而控制了能量輸入到變壓器中，也就控制了輸出電壓的升高，實現(xiàn)了穩(wěn)壓輸出的功能。而下方的1kω電阻跟串聯(lián)的2700pf電容，則是正反饋支路，從取樣繞組中取出感應(yīng)電壓，加到開關(guān)管的基極上，以維持振蕩。右邊的次級繞組就沒有太多好說的了，經(jīng)二極管rf93整流，220uf電容濾波后輸出6v的電壓。沒找
如圖是溫度/電流轉(zhuǎn)換電路。圖（a）的溫度傳感器采用鉑熱電阻，電路中，鉑 熱電阻rt與普通電阻r1～r4構(gòu)成橋式電路，橋路的輸出電壓為u。1。u。u。1=r1△rvref/（r1+100ω+△r）（r1+100ω）。式中，△r為鉑熱電阻的 阻值變化量，uref為6.2v的基準(zhǔn)電壓。溫度范圍為0～60℃0。由表1中可知，△r=313.59ω-100ω=213.59ω，由于r1=27 kω，uref=6.2v，因 此，輸出電壓u。1=48.4mv。由于鉑熱電阻的非線性，電路中采用rp3進行非線性補償，實際的輸出電壓稍大于上述計算值。轉(zhuǎn)換電路采用專用 集成電路ad693ad，等效電路如圖（c）所示，片內(nèi)有傳感器用的6.2v基準(zhǔn)電壓，信號放大器以及4～20ma電流轉(zhuǎn)換電路。ad693ad的電壓輸入范圍有30 mv和60 mv兩種，用在15腳和16腳間接的電阻可在30～60 mv間進行調(diào)整，本電路采用rp2與r5將電壓調(diào)整約為 50mv。rp1用于調(diào)零。這樣，電路將鉑熱電阻檢測的溫度轉(zhuǎn)換為4～20 ma的電流進行遠(yuǎn)距離的傳輸。 如表1 鉑熱電阻的溫度特性 圖（b）的溫度傳感器采用k熱電
v720由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通的時刻，取決于t705中磁能的釋放及（1）、（12）繞組與c710、c711的諧振情況。 穩(wěn)壓過程 穩(wěn)壓電路由v745及周邊元件組成，t705的（7）、（8）繞組為取樣繞組，經(jīng)v741整流、c745濾波，c745上的電壓反映了輸出電壓的大小，假如輸出電壓升高，則c745上的電壓也升高，v745的c極電壓升高，v725、v726提前導(dǎo)通，開關(guān)管提前截止，輸出電壓自動下降到110v。 保護電路 保護電路由v733、r734、v734等元件組成，v734為6.2v穩(wěn)壓管，正常情況下，r742兩端的脈沖電壓為3.5v左右，v734不能導(dǎo)通，保護電路不工作，一旦發(fā)生輸出電壓過高，則r742兩端的脈沖電壓也升高，當(dāng)升高到大于6.2v時，v734導(dǎo)通，v733也導(dǎo)通，將c732的正端短路接地，開關(guān)脈沖全部讓c732短路掉，開關(guān)電源停振。 待機/開機控制 待機時，cpu的power腳輸出高電平，v760的e極也為高電平，光耦v741導(dǎo)通，v735也導(dǎo)通，將c732的正端短路接地，開關(guān)脈沖全部讓c732短路掉，開關(guān)電源停振。開機時，cpu的power腳輸
圖中4148、22uf和變壓器的反饋繞組構(gòu)成半波整流電路，整流后電壓對c045射極為負(fù)。6.2v穩(wěn)壓管顯然使13003基極電壓不會超過這個負(fù)電壓再加6.2v。市電電壓升高，振蕩變強，這個負(fù)電壓也變大，但6.2v不會變，因此13003得到的基極驅(qū)動變負(fù)，使振蕩減弱。所以這部分電路有穩(wěn)定輸出的作用。
說明按資料說，正常狀態(tài)，r22兩端應(yīng)該在110mv,可實際卻不如此。1、剛上電時，1085輸出是6.2v，r22兩端是100mv，可是馬上1085輸出電壓、r22兩端電壓馬上降低，分別降到3點幾伏和20mv.2、換了另一批次的1085，現(xiàn)象又不一樣了。1085輸出一直維持6.2v，r22兩端電壓為110mv，但是2~5秒后1085就沒輸出了，過幾秒又有輸出了。我的電路是按標(biāo)準(zhǔn)電路接的，一直沒找到毛病，頭疼死了。后來我在1085輸出串了個10歐姆的電阻，則r22兩端電壓一直為20幾毫伏，還是不正常，但1085一直有輸出，為6.2v。大家指點指點。
三極管c945的基極上。當(dāng)取樣電壓大約大于1.4v，即開關(guān)管電流大于0.14a時，三極管c945導(dǎo)通，從而將開關(guān)管13003的基極電壓拉低，從而集電極電流減小，這樣就限制了開關(guān)的電流，防止電流過大而燒毀(其實這是一個恒流結(jié)構(gòu)，將開關(guān)管的最大電流限制在140ma左右)。變壓器左下方的繞組(取樣繞組)的感應(yīng)電壓經(jīng)整流二極管4148整流，22uf電容濾波后形成取樣電壓。為了分析方便，我們?nèi)∪龢O管c945發(fā)射極一端為地。那么這取樣電壓就是負(fù)的(-4v左右)，并且輸出電壓越高時，采樣電壓越負(fù)。取樣電壓經(jīng)過6.2v穩(wěn)壓二極管后，加至開關(guān)管13003的基極。前面說了，當(dāng)輸出電壓越高時，那么取樣電壓就越負(fù)，當(dāng)負(fù)到一定程度后，6.2v穩(wěn)壓二極管被擊穿，從而將開關(guān)13003的基極電位拉低，這將導(dǎo)致開關(guān)管斷開或者推遲開關(guān)的導(dǎo)通，從而控制了能量輸入到變壓器中，也就控制了輸出電壓的升高，實現(xiàn)了穩(wěn)壓輸出的功能。而下方的1kω電阻跟串聯(lián)的2700pf電容，則是正反饋支路，從取樣繞組中取出感應(yīng)電壓，加到開關(guān)管的基極上，以維持振蕩。右邊的次級繞組就沒有太多好說的了，經(jīng)二極管rf93整流，220uf電容濾波后輸出6v的電壓。沒找
你的圖跟上面的圖不一樣。當(dāng)比較器輸出高時，r8通過10k電阻和三極管be結(jié)到地。當(dāng)比較器輸出低時，r8直接通過10k電阻到地。分析時，首先假設(shè)電壓在正常的范圍內(nèi)。那么a1輸出低，a2輸出高。我們現(xiàn)在只看a2。由于a2是高，那么就是r8跟r11串聯(lián)后跟rp2并聯(lián)（忽略三極管be結(jié)壓降，更精確的計算需要考慮該壓降），假設(shè)rp2是10k，跟23k的電阻并聯(lián)后，是6.67k，當(dāng)6.67k的電阻上電壓是6.2v時，上面的6.2k的電阻的電壓就是5.76v，那么過放動作點電壓就是6.2+5.76=11.96v。當(dāng)?shù)陀诖穗妷汉?，a2翻轉(zhuǎn)，輸出低電平。此時rp2只跟r8并聯(lián)，即為5.65k，其兩端電壓為6.2v時，6.2k電阻上的電壓為6.8v，所以退出過放保護狀態(tài)的電壓為6.2+6.8=13v。如果按照樓主所給的圖上標(biāo)的參數(shù)，rp2即使取到最大，過放保護電壓也調(diào)不到11.5v。過充保護分析方法類似。
可能遺漏點說明其實兩個輸入端的電壓就是在+6.2v左右波動的直流，一個輸入端來自整流濾波后的+15v分壓得到，另一個輸入端用穩(wěn)壓管穩(wěn)在6.2v。他這樣用應(yīng)該是一種精確調(diào)整運放輸出吧，但具體分析思路不是很清晰。希望大家具體分析分析。謝謝啊！
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