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第1步 選擇r3, 在觸發(fā)點(diǎn)流經(jīng)r3的電流為(vref - vout)/r3。考慮到輸出的兩種可能狀態(tài), r3由如下兩式求得： r3 = vref/ir3和r3 = (vcc - vref)/ir3. 取計(jì)算結(jié)果中的較小阻值, 例如, vcc = 5v, ir3 = 0.2μa, 使用max9117比較器(vref = 1.24v), 則計(jì)算結(jié)果為6.2m和19m, 選則r3為6.2m。 最后, 開漏結(jié)構(gòu)的比較器內(nèi)部滯回電壓為4mv (max9016、max9018、max9020), 需要外接上拉電阻, 如圖11所示。外加滯回可以通過正反饋產(chǎn)生, 但是計(jì)算公式與上拉輸出的情況稍有不同。滯回電壓 = vthr - vthf = 50mv。按如下步驟計(jì)算電阻值： 第1步 選擇r3,
mosfetsi7633dp和si7135dp。這次推出的器件采用so-8封裝，具有±20v柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 現(xiàn)有的同類so-8封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至24mω ，而vishay的si7633dp具有3.3mω(在10v時(shí))及5.5mω(在4.5v時(shí))的超低導(dǎo)通電阻。這些值比最接近的同類30v器件低27%(在10v時(shí))和28%(在4.5v時(shí))，比最接近的同類25v so-8器件分別低28%和15%。30-v si7135dp的導(dǎo)通電阻為 3.9mω(在10v時(shí))和6.2mω(在4.5v時(shí))，比最接近的同類器件分別低13%(在10v時(shí))和19.5%(在4.5v 時(shí))。 這次推出的兩款mosfet均采用powerpak so-8封裝，可容許比其它so-8封裝器件高60%的最大漏電流和高75%的最大功率損耗。 這兩款新型器件可用作適配器切換開關(guān)，用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器切換開關(guān)(在適配器/墻壁電源和電池電源間切換)一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，消耗電流。si7633dp 和si7135dp的低導(dǎo)通電阻能耗低，節(jié)省電力并延長兩次充電間的電池
較器設(shè)計(jì)用于電壓擺幅為vcc和0v的單電源系統(tǒng)?？梢园凑找韵虏襟E, 根據(jù)給定的電源電壓、電壓滯回(vhb)和基準(zhǔn)電壓(vref), 選擇并計(jì)算需要的元件：第1步 選擇r3, 在觸發(fā)點(diǎn)流經(jīng)r3的電流為(vref - vout)/r3?？紤]到輸出的兩種可能狀態(tài), r3由如下兩式求得：r3 = vref/ir3和r3 = (vcc - vref)/ir3.取計(jì)算結(jié)果中的較小阻值, 例如, vcc = 5v, ir3 = 0.2μa, 使用max9117比較器(vref = 1.24v), 則計(jì)算結(jié)果為6.2m和19m, 選則r3為6.2m。最后, 開漏結(jié)構(gòu)的比較器內(nèi)部滯回電壓為4mv (max9016、max9018、max9020), 需要外接上拉電阻, 如圖11所示。外加滯回可以通過正反饋產(chǎn)生, 但是計(jì)算公式與上拉輸出的情況稍有不同。滯回電壓 = vthr - vthf = 50mv。按如下步驟計(jì)算電阻值： 第1步選擇r3, 在in_+端的漏電流小于2na, 所以通過r3的電流至少為0.2μa, 以減小漏電流引起的誤差。r3可由r3 = vref/ir3或r3 = [(vcc - vref)/i
2262和2272的震蕩電阻2262和2272的震蕩電阻是配對的！編碼發(fā)射芯片 pt2262 pt2260 sc2260 sc2262 cs5211 1.2m 無 3.3m 1.1m 1.3m 1.5m 無 4.3m 1.4m 1.6m 2.2m 無 6.2m 2m 2.4m 3.3m 無 9.1m 3m 3.6m 4.7m 1.2m 12m 4.3m 5.1m 編碼接收芯片 pt2272/sc2272/cs5212 200k 270k 390k 680k 820k
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