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FQD12P10TF

更新時間:2025-06-10 10:05:13

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說明
詢價

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NK/南科功率
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只做原裝,專注海外現貨訂購20年

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原廠代理終端免費提供樣品

深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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海芯未來半導體電子（深圳）有
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斯耐爾（深圳）科技有限責任公
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優(yōu)勢庫存，特價出售一站式配單服務

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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

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深圳市芯齊壹科技有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市凱斯宇科技有限公司
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96000
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深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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TO252AA/-
原裝現貨，可開票，提供賬期誠信服務

柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

深圳市硅宇電子有限公司
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15988
ON Semiconductor(安森美)
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

安富微（深圳）商貿有限公司
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全新原裝進口

深圳市粵東誠信電子有限公司
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只做原裝，BOM表配單

深圳市錦泰世紀電子有限公司
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2500
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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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深圳市程涵電子有限公司
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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深圳市賽美科科技有限公司
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FQD12P10TF外觀圖

FQD12P10TF

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD12P10TF 概述

FQD12P10TF是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效率的電源管理應用。其最大漏極電流可達12A，擊穿電壓為100V，非常適合用于直流-直流轉換器、電池充電器以及電機驅動電路中。在實際應用中，為了確保最佳性能，建議在PCB布局時盡量縮短源極與柵極引線長度以減少寄生電感影響。此外，還需注意散熱設計，因為良好的散熱可以有效降低工作溫度，從而提高器件可靠性和使用壽命。對于驅動電路的設計，推薦使用合適的柵極電阻來控制開關速度，避免過快的開關導致EMI問題。

FQD12P10TF 規(guī)格參數

標準包裝
2,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
290 毫歐 @ 4.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
800pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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