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飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)已推出七種新型高電壓平面型mosfet,具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的門電荷值及更高的雪崩和轉(zhuǎn)換模式能量密度。 這些mosfet專用于滿足先進(jìn)開關(guān)電源(smps)和dc/dc轉(zhuǎn)換器的性能要求。這些器件的先進(jìn)條狀結(jié)構(gòu)技術(shù)和較小封裝能為功率系統(tǒng)帶來許多益處,如減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定系統(tǒng)質(zhì)量。 500v fqp18n50v2產(chǎn)品采用to-220封裝,200v fqd18n20v2采用d-pak封裝,尺寸因子較低,使開關(guān)模式應(yīng)用發(fā)揮最佳性能。 飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)提供的七種新型產(chǎn)品包括:三種500v器件,適用于開關(guān)模式電源(smps)和功率因子校正(pfc)設(shè)備,及四種200v器件,適用于dc/dc轉(zhuǎn)換器。這些200v器件也適用于開關(guān)和脈沖寬度控制設(shè)備。 平面mosfet條狀結(jié)構(gòu)和更高的活動(dòng)單元密度,能降低導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗和有效輸出電容。這種新技術(shù)的引用包括兩方面,即在p井之間形成補(bǔ)償區(qū)域以提升rds(on) 值,以及采用自定位工藝以提高單元密度和穩(wěn)定性。 批量1,000個(gè)時(shí),fqd/u18n20v2、fqp18n20v2、
FQD2P40 FQD5N50C FQL40N50 FQP16N25C FQP18N20V2 FQP18N50V2 FQP2N80 FQP3P50 FQP55N10 FQP6N80C
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