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FQD13N10LTM

更新時間:2025-07-06 18:25:15

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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FQD13N10LTM外觀圖

FQD13N10LTM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD13N10LTM 概述

FQD13N10LTM是Fairchild Semiconductor生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件設計用于高效功率管理應用，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為0.18Ω。其最大漏極電流可達13A，耐壓值達到100V，適用于各種中高壓應用場景。典型應用包括電機驅動、開關電源以及不間斷電源系統(tǒng)等。在電路設計中應確保柵極驅動電壓足夠以保證MOSFET充分導通，并且注意散熱設計以避免過熱損壞。例如在電機驅動電路中，可將其作為H橋或半橋電路的開關元件使用，但需注意并聯(lián)適當?shù)睦m(xù)流二極管以保護MOSFET免受反向電動勢沖擊。

FQD13N10LTM 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
520pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FQD13N10LTM-NDFQD13N10LTMTR

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FQD13N10LTM
FQD13N10LTM-NL
FQD10N10
FQD10N20C
FQD10N20CTM
FQD10N20L
FQD10N20LTF
FS8205A

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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