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FDMA510PZ

更新時間:2025-06-06 03:46:34

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封裝/批號
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詢價

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深圳市港博科電子有限公司
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MicroFET6 22/25+
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深圳市藍軍科技有限公司
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6850
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FDMA510PZ外觀圖

FDMA510PZ

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET

封裝:6-WDFN 裸露焊盤

FDMA510PZ 概述

FDMA510PZ是由ON Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET，采用PicoZ封裝，適用于高密度和便攜式應用。該元件的最大漏源電壓為20V，導通電阻極低，有助于降低功耗并提高效率。此MOSFET常用于電池管理電路、負載開關和DC-DC轉換器中。由于其超小型封裝設計，特別適合空間受限的場合如智能手機和平板電腦等消費電子產(chǎn)品。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個10Ω左右的電阻以防止寄生振蕩，并確保PCB布局時保持引腳盡可能短以減少電感影響。對于需要快速開關的應用場景，可適當增加柵極驅動電流來提高開關速度。注意在焊接過程中控制溫度不超過制造商規(guī)定的最大值以避免損壞器件。

FDMA510PZ 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
30 毫歐 @ 7.8A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1480pF @ 10V
功率 - 最大
900mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝
MicroFET 2x2
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDMA510PZTR

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