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FDD6635

更新時間:2025-07-06 21:43:42

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FDD6635外觀圖

FDD6635

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 35V 15A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD6635 概述

FDD6635是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產的一款N溝道MOSFET，適用于多種電源管理應用。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力，使其在高效功率轉換器、負載開關和電池供電設備中表現(xiàn)出色。這款MOSFET的最大漏源電壓（VDS）為-30V，最大連續(xù)漏極電流（ID）可達-12A，適用于低壓電路設計。其柵極電荷（Qg）較低，有助于提高開關速度，降低驅動損耗，特別適合需要快速切換的應用場景。在實際應用中，F(xiàn)DD6635常用于DC-DC轉換器、電動工具、電機驅動以及各種便攜式電子設備中。使用時需注意適當?shù)纳嵩O計，確保工作溫度在安全范圍內。此外，柵極電壓應保持在規(guī)定范圍內以避免損壞器件。推薦在電路布局時盡量減小源極和柵極引線長度，減少寄生電感對性能的影響。

FDD6635 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
35V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
36nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1400pF @ 20V
功率 - 最大
1.6W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDD6635TR

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