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FDD5353

更新時間:2025-05-17 03:30:15

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FDD5353外觀圖

FDD5353

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD5353 概述

FDD5353是由Fairchild Semiconductor生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用表面貼裝的DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于各種電源管理應用。在DC-DC轉換器、負載開關和電池充電電路中表現尤為出色。其最大漏極電流可達12A，工作電壓范圍為-0.9V至60V，適合寬電壓輸入的應用場景。由于其低柵極電荷，可以實現高效能的功率控制，減少開關損耗。在便攜式設備、消費類電子產品以及工業(yè)控制系統(tǒng)中廣泛使用。設計時需注意散熱處理，確保安全工作區(qū)域(SOA)要求得到滿足，避免過熱損壞。

FDD5353 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
12.3 毫歐 @ 10.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
65nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3215pF @ 30V
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDD5353TR

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