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FDB7030BL

更新時間:2025-05-16 23:07:57

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服務標識
數量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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FDB7030BL外觀圖

FDB7030BL

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FDB7030BL 概述

FDB7030BL是ON Semiconductor生產的一款N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，適用于高效功率轉換應用。該器件的最大漏源電壓為30V，適合于需要快速開關和低損耗的電路設計。典型應用場景包括電源管理、負載開關、DC-DC轉換器以及電池充電電路等。在電源管理系統中，FDB7030BL能夠有效降低功耗，提高系統效率。其快速的開關速度和低柵極電荷使得它非常適合高頻應用。使用時需要注意散熱設計，以確保MOSFET在高負荷下穩(wěn)定工作。建議根據具體應用選擇合適的柵極驅動電阻值，以優(yōu)化開關性能并減少EMI干擾。對于電源轉換電路，推薦進行適當的PCB布局，確保最小化寄生電感和電阻，從而獲得最佳性能。

FDB7030BL 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
60A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1760pF @ 15V
功率 - 最大
60W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
TO-263（D2Pak）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDB7030BL-NDFDB7030BLTR

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