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FDB3672

更新時間:2025-07-04 07:57:38

供應商
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服務標識
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

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深圳市安富世紀電子有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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深圳市福田區(qū)晶康業(yè)電子商行
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深圳市譽輝天成電子有限公司
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FDB3672外觀圖

FDB3672

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FDB3672 概述

FDB3672是由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓為30V，適合于低壓電源管理電路。典型應用場景包括負載開關、電池充電器、DC-DC轉換器及各種消費電子設備中的電源管理模塊。由于其優(yōu)秀的熱性能和低柵極電荷，FDB3672能在緊湊設計中實現高效能表現。在實際應用中，建議根據具體電路需求選擇合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并注意布局走線，減少寄生電感對電路性能的影響。對于需要高效率和小尺寸解決方案的設計，FDB3672是一個理想的選擇。

FDB3672 規(guī)格參數

標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
44A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
28 毫歐 @ 44A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1710pF @ 25V
功率 - 最大
120W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)

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