肖特基勢(shì)壘二極管 VS PN 結(jié)二極管：區(qū)別大揭秘

在電子電路中，肖特基勢(shì)壘二極管與 PN 結(jié)二極管是兩種極為重要的整流器件。它們雖然都具備單向?qū)щ娦赃@一基本特性，但在物理機(jī)制、電學(xué)特性以及應(yīng)用場(chǎng)景等方面卻存在著十分明顯的差異。接下來(lái)，合科泰將深入為我們講...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2025-08-01 閱讀：459 關(guān)鍵詞：肖特基勢(shì)壘二極管

總結(jié)肖特基勢(shì)壘二極管對(duì)寬帶隙材料的利用

隨著半導(dǎo)體器件的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，制造高能效產(chǎn)品成為研究人員和制造商的首要關(guān)注點(diǎn)。 肖特基勢(shì)壘二極管 (SBD) 是引起研究人員和制造商興趣以實(shí)現(xiàn)高功率和高溫應(yīng)用目標(biāo)的一個(gè)關(guān)鍵組件。由于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (G...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-04-25 閱讀：715 關(guān)鍵詞：二極管

東芝開(kāi)發(fā)帶嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管的低導(dǎo)通電阻高可靠性SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和東芝株式會(huì)社(Toshiba Corporation)（統(tǒng)稱(chēng)“東芝”）已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-12-14 閱讀：711 關(guān)鍵詞：二極管

SanKen - 低漏電流肖特基勢(shì)壘二極管【SJPE-L15、SJPE-T15】

SJPE-L15 與SJPE-T15產(chǎn)品，低漏電流可實(shí)現(xiàn)減少的正向損耗， 由此實(shí)現(xiàn)了電源回路效率的提升與高頻化。 應(yīng)用 ·DC-DC轉(zhuǎn)換器 ·交流適配器等

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-09-20 閱讀：509 關(guān)鍵詞：電子

新型Littelfuse 1700 V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管提供更快的開(kāi)關(guān)和更高的效率

致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力的工業(yè)技術(shù)制造公司Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS)宣布對(duì)其碳化硅（SiC）二極管產(chǎn)品組合進(jìn)行擴(kuò)充，新增1700 V級(jí)產(chǎn)品 (觀看視頻)。 LSIC2SD170Bxx 系列碳化...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2021-08-26 閱讀：689 關(guān)鍵詞：新型Littelfuse 1700 V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管提供更快的開(kāi)關(guān)和更高的效率二極管

Littelfuse 1700V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管提供更快的開(kāi)關(guān)和更高的效率

致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力的工業(yè)技術(shù)制造公司Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS)今天宣布對(duì)其碳化硅（SiC）二極管產(chǎn)品組合進(jìn)行擴(kuò)充，新增1700 V級(jí)產(chǎn)品?！　SIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2021-08-11 閱讀：765 關(guān)鍵詞：Littelfuse 1700V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管提供更快的開(kāi)關(guān)和更高的效率二極管

ROHM面向車(chē)載系統(tǒng)開(kāi)發(fā)出200V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管“RBxx8BM/NS200”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向包括xEV在內(nèi)的動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等車(chē)載系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢(shì)壘二極管※2（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”）“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。 　　ROHM面向車(chē)載系...

分類(lèi)：汽車(chē)電子/智能駕駛 時(shí)間：2019-08-27 閱讀：1724 關(guān)鍵詞：ROHM,二極管

安森美半導(dǎo)體推出4款新的30伏肖特基勢(shì)壘二極管

的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出4款新的30伏(V)肖特基勢(shì)壘二極管。這些新的肖特基勢(shì)壘二極管采用超小型0201雙硅片無(wú)引腳(DSN2)芯片級(jí)封裝，為便攜電子設(shè)計(jì)人員提供業(yè)界最小的肖特基二極管和同類(lèi)的空間...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2009-08-20 閱讀：2646 關(guān)鍵詞：安森美半導(dǎo)體推出4款新的30伏肖特基勢(shì)壘二極管二極管

肖特基勢(shì)壘二極管

肖特基勢(shì)壘二極管（也叫熱載子二極管）在機(jī)械構(gòu)造上與點(diǎn)接觸二極管很相似，但它比點(diǎn)接觸二極管要耐用，而且功率也更大。圖（a）給出了肖特基勢(shì)壘二極管的基本構(gòu)造。圖（b）是其等效電路。這種形式的電路是威廉姆·肖...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2009-02-14 閱讀：4651 關(guān)鍵詞：肖特基勢(shì)壘二極管二極管

小信號(hào)用肖特基勢(shì)壘二極管RB721Q的特性

如下圖表示測(cè)定的二極管的開(kāi)關(guān)特性。由于屬于肖特基勢(shì)壘型，所以開(kāi)關(guān)特性極好，但耐壓(VRM＝25V)很低，額定電流(Io＝30mA)也很小，所以在小信號(hào)的整流、檢波、DBM(雙路平衡混頻器)的二極管橋式電路等中被使用?！　?..

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2008-09-10 閱讀：2433 關(guān)鍵詞：小信號(hào)用肖特基勢(shì)壘二極管RB721Q的特性RB721Q二極管RB721Q開(kāi)關(guān)

高速整流用肖特基勢(shì)壘二極管1GWJ42的特性

如圖表示測(cè)定的此種二極管的開(kāi)關(guān)特性。額定為40V、1A，逆恢復(fù)時(shí)間在35ns以下的二極管。由于是肖特基勢(shì)壘型，正向電壓VF很小，所以可實(shí)現(xiàn)的損耗的整流電路?！　∮^察波形的圖片，和1S1885相比，逆恢復(fù)特性得到了大大...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2008-09-09 閱讀：3131 關(guān)鍵詞：高速整流用肖特基勢(shì)壘二極管1GWJ42的特性二極管1GWJ42

集成二極管及肖特基勢(shì)壘二極管

內(nèi)容：1集成二極管1.1集成二極管的構(gòu)成1.2集成二極管的常見(jiàn)結(jié)構(gòu)2肖特基勢(shì)壘二極管2.1肖特基勢(shì)壘二極管的設(shè)計(jì)考慮2.1.1肖特基勢(shì)壘二極管的設(shè)計(jì)要求2.1.2肖特基勢(shì)壘二極管的面積選擇2.1.3肖特基勢(shì)壘二極管的位置考慮2....

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：2779 關(guān)鍵詞：集成二極管及肖特基勢(shì)壘二極管