的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體推出4款新的30伏(V)肖特基勢壘二極管。這些新的肖特基勢壘二極管采用超小型0201雙硅片無引腳(DSN2)芯片級封裝，為便攜電子設計人員提供業(yè)界的肖特基二極管和同類的空間性能。

　　這些新的肖特基二極管提供低正向電壓或低反向電流，額定正向電流為100毫安(mA)或200 mA，其中后者是業(yè)界巧的額定200 mA器件。這些新的器件為越來越多空間受限的應用解決問題，例如手機、MP3播放器和數(shù)碼相機等。

　　安森美半導體小信號產(chǎn)品分部總監(jiān)兼總經(jīng)理何燾(Dan Huettl)說：“我們客戶持續(xù)面對設計挑戰(zhàn)，要在空間受限的應用中取舍優(yōu)化電路板布線與系統(tǒng)性能的問題。安森美半導體遂推出超小型0201 DSN-2肖特基勢壘二極管，回應系統(tǒng)設計人員的訴求，優(yōu)化便攜應用的電源管理?！?/P>

　　器件

　　這些肖特基二極管封裝底部含有可焊接金屬觸點，令工作的硅片百分之百地利用封裝面積。新的0201 DSN-2封裝尺寸僅為0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，與常見的1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm的SOD-923(也稱作0402)封裝相比，節(jié)省3倍的電路板空間。這些新器件的泄漏電流為市場上，幫助設計人員解決功率損耗、效率及開關速度問題。與采用傳統(tǒng)塑模封裝的競爭組件相比，新的肖特基二極管的板面積性能顯著提升，傲視同儕。它們的電源管理特性，也同類產(chǎn)品，有助延長便攜設備應用中的電池使用時間。

　　NSR0xF30NXT5G器件系列優(yōu)化了正向電壓降(Vf)，在10 mA正向電流時僅為370毫伏(mV)，進一步突顯這系列的先進、高性能規(guī)格。NSR0xL30NXT5G器件系列設計用于低反向電流(Ir)，

　　在10 V反向電壓時僅為0.2微安(?A)，且泄漏電流極低，延長電池使用時間。這兩個系列的器件提供人體模型(HBM) 3B類和機器模型(MM) C類的ESD額定能力及低熱阻抗，為設計工程師解決在小電路板空間中納入越來越多電路的挑戰(zhàn)。這些肖特基二極管符合RoHS指令，工作溫度范圍為–40°C至+125°C，非常適用于苛刻室內(nèi)及室外環(huán)境中的設備。