MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）作為一種核心的電壓控制型半導體器件，憑借開關(guān)速度快、驅(qū)動功率小、功耗低等優(yōu)勢，廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電子開關(guān)等領(lǐng)域。根據(jù)導電溝道的載流子類型，MOSFET主要...
分類：基礎電子 時間：2026-01-14 閱讀：473
在MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）中，N溝道和P溝道、增強型與耗盡型的區(qū)分是理解其工作原理的關(guān)鍵。以下是詳細區(qū)分方法，特別是針對增強型MOSFET的判定：1. 溝道類型（N溝道 vs P溝道）1.1 材料與載流子特...
一、核心導通原理P溝道MOS管（PMOS）的導通本質(zhì)上是通過柵極施加負電壓來形成導電溝道。當柵源電壓 VGSVGS 低于閾值電壓 VGS(th)VGS(th)（典型值-0.5V至-5V）時，柵極下方的P型半導體中會感應出空穴導電通道，實現(xiàn)源...
MOSFET是一種三端、電壓控制、高輸入阻抗和單極器件，是不同電子電路中必不可少的元件。一般來說，這些器件根據(jù)其默認狀態(tài)下是否有相應的通道，分為增強型MOSFET和耗盡型MOSFET兩類。 同樣，增強型MOSFET分為P溝...
MOS/CMOS集成電路 MOS集成電路特點： 制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規(guī)模集成電路。 MOS...
Vishay推出汽車級80V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度
器件采用歐翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK?SO-8L小型封裝具有業(yè)界出色FOM并獲得AEC-Q101 賓夕法尼亞、MALVERN—2021年4月7日—日前，VishayIntertechnology，Inc.（NYSE股市代號：VSH）推出通過AEC-Q101 、 先進的p溝道80VT...
分類：汽車電子/智能駕駛 時間：2021-04-07 閱讀：501 關(guān)鍵詞：Vishay推出汽車級80V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度Vishay
Vishay推出新款通過AEC-Q101的30 V和40 V P溝道MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款30 V和40 V汽車級p溝道TrenchFET功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK? SO-8L封裝，有效提升板級可靠性。SQJ407EP和...
分類：汽車電子/智能駕駛 時間：2019-03-14 閱讀：2539 關(guān)鍵詞：Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的30 V和40 V P溝道MOSFET P溝道,MOSFET
Fairchild推出WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1mmx1mmWL-CSP封裝20VP溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench?工藝技術(shù)，為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶
分類：元器件應用 時間：2009-09-26 閱讀：3393 關(guān)鍵詞：Fairchild推出WL-CSP封裝20V P溝道MOSFETMOSFET
Vishay推出低導通電阻新型20V P溝道功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出一款業(yè)界導通電阻的新型20VP溝道功率MOSFET——SiB457EDK，這是以往1.6mm×1.6mm占位面積的P溝道器件所不曾實現(xiàn)的。新型SiB457EDK采用了Trenc
分類：元器件應用 時間：2009-09-16 閱讀：3552 關(guān)鍵詞：Vishay推出低導通電阻新型20V P溝道功率MOSFETMOSFET電阻
飛兆半導體推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1mmx1mmWL-CSP封裝20VP溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench工藝技術(shù)，為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶來
分類：元器件應用 時間：2009-08-21 閱讀：2777 關(guān)鍵詞：飛兆半導體推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFETMOSFET
表列出了一些P溝道結(jié)型場效應管的主要特性參數(shù)?！ ∫恍㏄溝道結(jié)型開關(guān)場效應管主要特性參數(shù)
分類：元器件應用 時間：2008-04-23 閱讀：2604 關(guān)鍵詞：P溝道結(jié)型開關(guān)場效應管
飛兆40V P溝道PowerTrench MOSFET產(chǎn)品FDD4141出爐
飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)推出40VP溝道PowerTrenchMOSFET產(chǎn)品FDD4141，為功率工程師提供快速開關(guān)的解決方案，可將開關(guān)損耗減少達一半。FDD4141具有低導通阻抗(RDS(ON))，與目前的
分類：電源技術(shù) 時間：2008-03-06 閱讀：1703 關(guān)鍵詞：飛兆40V P溝道PowerTrench MOSFET產(chǎn)品FDD4141出爐
近日，NEC電子(歐洲)宣布推出新型低電壓電源管理器件(PMD)。該系列產(chǎn)品的推出使P溝道NP系列產(chǎn)品可覆蓋-15A至-100A的漏極電流。該系列產(chǎn)品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)貼片封裝。產(chǎn)品包含2種額定漏源電壓(
分類：模擬技術(shù) 時間：2008-02-01 閱讀：1681 關(guān)鍵詞：NEC電子推出新型P溝道功率MOSFET產(chǎn)品
NEC電子（歐洲）推出新型P溝道功率MOSFET產(chǎn)品
NEC電子(歐洲)宣布推出新型低電壓電源管理器件(PMD)。該系列產(chǎn)品的推出使P溝道NP系列產(chǎn)品可覆蓋-15A至-100A的漏極電流。該系列產(chǎn)品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)貼片封裝。產(chǎn)品包含2種額定漏源電壓(-40
分類：電源技術(shù) 時間：2008-01-25 閱讀：1560 關(guān)鍵詞：NEC電子（歐洲）推出新型P溝道功率MOSFET產(chǎn)品
Zetex新型高壓P溝道MOSFET實現(xiàn)更小的有源箝位
Zetex近日推出一系列新型200V額定P溝道MOSFET器件。新器件采用節(jié)省空間的SOT23和SOT223封裝，極大地減少了有源箝位設計的尺寸。以往的相關(guān)設計一般都采用體積非常大的DPAK和SO8封裝。兩款率先問世的微型器件包括5引...
分類：電源技術(shù) 時間：2007-12-07 閱讀：2418 關(guān)鍵詞：Zetex新型高壓P溝道MOSFET實現(xiàn)更小的有源箝位SOT223ZXMP2120G4ZXMP2120E5SOT23
飛兆半導體公司(Fairchild)推出業(yè)界封裝最小的P溝道MOSFET器件FDZ191P，可為各種低壓(<20V)便攜式電子產(chǎn)品提供功率轉(zhuǎn)換、充電和負載管理所需的最佳熱性能和電氣性能。特別適合這個器件的應用對象包括：移動電話、...
分類：元器件應用 時間：2007-12-04 閱讀：1547 關(guān)鍵詞：Fairchild推出P溝道MOSFET器件FDZ191P
Vishay的子公司Siliconixincorporated推出一系列新型-150V和-200VP溝道功率MOSFET，這些器件提供了面向有源鉗位配置的小型解決方案。這些新型P溝道功率MOSFET基于Siliconix的先進P溝道TrenchFE
分類：元器件應用 時間：2007-11-26 閱讀：1979 關(guān)鍵詞：Vishay的P溝道功率MOSFET導通電阻低至1.2ΩSOT-23SI7439DPSI7431DP
研諾推出P溝道限流型MOSFET功率開關(guān)芯片AAT4620
專為移動消費電子設備提供電源管理半導體器件的開發(fā)商研諾邏輯科技有限公司(AnalogicTech)，日前宣布推出一款P溝道限流型場效應管(MOSFET)功率開關(guān)芯片——AAT4620，適用于個人電腦(PC)調(diào)制解調(diào)器(modem)卡的高端負...
分類：其它 時間：2007-11-16 閱讀：1580 關(guān)鍵詞：研諾推出P溝道限流型MOSFET功率開關(guān)芯片AAT4620
NEC電子成了8款用于汽車的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開發(fā)，并將于即日起開始發(fā)售樣品。此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機等通過電流為數(shù)十安培的控制單元，其中NP50P04等4款...
分類：汽車電子/智能駕駛 時間：2007-07-31 閱讀：1850 關(guān)鍵詞：NEC推出8款汽車用P溝道功率MOSFET產(chǎn)品TO-252TO-263
