飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出40V P溝道PowerTrench MOSFET產(chǎn)品FDD4141，為功率工程師提供快速開(kāi)關(guān)的解決方案，可將開(kāi)關(guān)損耗減少達(dá)一半。FDD4141具有低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))，與目前的MOSFET比較能降低柵極電荷(QG)達(dá)50%，可讓便攜、計(jì)算、消費(fèi)和家庭娛樂(lè)產(chǎn)品中的異步降壓、電池充電和逆變器開(kāi)關(guān)等應(yīng)用，以更高的速度進(jìn)行切換，而不會(huì)產(chǎn)生過(guò)多的熱量。快速開(kāi)關(guān)是步降轉(zhuǎn)換器等開(kāi)關(guān)速度需要達(dá)到數(shù)百kHz應(yīng)用的必備條件。盡管其它MOSFET解決方案亦可在較高頻率下進(jìn)行切換，但這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。

　　FDD4141采用飛兆半導(dǎo)體專有的PowerTrench工藝技術(shù)制造，可將負(fù)載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。PowerTrench技術(shù)將N溝道MOSFET的特性運(yùn)用在P溝道MOSFET中，使到P溝道MOSFET具備N溝道MOSFET的性能，并表現(xiàn)出更低的RDS (ON)和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時(shí)還能夠在數(shù)百kHz的高頻下切換，以達(dá)致步降轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)要求。

　　FDD4141是飛兆半導(dǎo)體廣泛全面的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品組合的一部分，能夠滿足當(dāng)今電子產(chǎn)品的電氣和熱性能要求，有助于實(shí)現(xiàn)能效目標(biāo)。飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的PowerTrench MOSFET工藝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)非常低的密勒電荷(QGD)、RDS(on)和總體柵極電荷(QG)值，當(dāng)用于同步降壓應(yīng)用時(shí)，可提供出色的開(kāi)關(guān)性能和熱效率。

　　FDD4141采用無(wú)鉛(Pb-free)端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)對(duì)無(wú)鉛回流焊的要求。所有飛兆半導(dǎo)體產(chǎn)品均設(shè)計(jì)滿足歐盟有害物質(zhì)限用指令(RoHS)的要求。

　　現(xiàn)提供樣品，收到訂單后8至10周內(nèi)交貨。