MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通條件取決于其類(lèi)型（N溝道或P溝道）和工作模式（增強(qiáng)型或耗盡型）。以下是詳細(xì)分析：1. 基本導(dǎo)通條件(1) N溝道MOSFET（NMOS）增強(qiáng)型（常閉型）：柵源電壓 VGSVGS > ...
分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2025-07-22 閱讀：1031 關(guān)鍵詞：mosfet管
我們知道開(kāi)關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最也是最容易燒壞的器件。開(kāi)關(guān)器件長(zhǎng)期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過(guò)壓或過(guò)流就會(huì)導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升...
分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2019-02-27 閱讀：1784 關(guān)鍵詞：MOSFET管的安全工作區(qū)MOSFET管
開(kāi)關(guān)電源之MOSFET管的關(guān)斷緩沖電路的設(shè)計(jì)詳解
在帶變壓器的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲?，開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，電壓和電流的重疊引起的損耗是開(kāi)關(guān)電源損耗的主要部分，同時(shí)，由于電路中存在雜散電感和雜散電容，在功率開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，電路中...
分類(lèi)：電源技術(shù) 時(shí)間：2017-12-07 閱讀：5597 關(guān)鍵詞：開(kāi)關(guān)電源,電路
關(guān)于MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，電壓等，電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是的...
時(shí)間：2016-10-14 閱讀：17275 關(guān)鍵詞：關(guān)于MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
H橋功率驅(qū)動(dòng)電路可應(yīng)用于步進(jìn)電機(jī)、交流電機(jī)及直流電機(jī)等的驅(qū)動(dòng)。永磁步進(jìn)電機(jī)或混合式步進(jìn)電機(jī)的勵(lì)磁繞組都必須用雙極性電源供電，也就是說(shuō)繞組有時(shí)需正向電流，有時(shí)需反向電流，這樣繞組電源需用H橋驅(qū)動(dòng)。本文以兩...
分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2016-06-06 閱讀：3214 關(guān)鍵詞：步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
采用P通道MOSFET功率管作為電源分配開(kāi)關(guān)，雙電源監(jiān)測(cè)電路控制系統(tǒng)的上電和掉電順序。這種方法同上面采用電源分配開(kāi)關(guān)和雙電源監(jiān)測(cè)電路相似，只是采用MOSFET作為電源分配開(kāi)...
分類(lèi)：單片機(jī)與DSP 時(shí)間：2009-01-09 閱讀：7628 關(guān)鍵詞：P通道MOSFET管和和雙電源監(jiān)測(cè)電路P通道MOSFET管和雙電源
如果選用沒(méi)有穩(wěn)定狀態(tài)輸出（PG）功能的DC/DC，則可以外部增加1個(gè)電源監(jiān)測(cè)（SVS）器件實(shí)現(xiàn)PG的功能，同時(shí)使 用P通道MOSFET管作為電源分配開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)上電次序的控制，如圖1所示...
分類(lèi)：單片機(jī)與DSP 時(shí)間：2009-01-09 閱讀：7062 關(guān)鍵詞：采用P通道MOSFET管和電源監(jiān)測(cè)電路P通道MOSFET管電源監(jiān)測(cè)
采用P通道MOSFET管和具有穩(wěn)定標(biāo)識(shí)的DC/DC
這種方法相對(duì)其他方法具有原理簡(jiǎn)單、增加輔助器件少的特點(diǎn)，通過(guò)采用P通道MOSFET管和具有穩(wěn)定標(biāo)識(shí)輸出的 DC/DC電源模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。P通道MOSFET管作為電源分配開(kāi)關(guān)，DC/DC的電...
分類(lèi)：單片機(jī)與DSP 時(shí)間：2009-01-09 閱讀：3547 關(guān)鍵詞：采用P通道MOSFET管和具有穩(wěn)定標(biāo)識(shí)的DC/DCP通道MOSFET管DC/DC
MOSFET管并聯(lián)工作時(shí),需要考慮兩個(gè)問(wèn)題:1)滿載時(shí),并聯(lián)器件完全導(dǎo)通時(shí)的靜態(tài)電流分配是否均衡.2)通斷轉(zhuǎn)換過(guò)程中它們的動(dòng)態(tài)電流是否分配均衡.在并聯(lián)工作的情況下,無(wú)論是靜態(tài)還是動(dòng)態(tài)情況,如果一個(gè)MOSFET管分擔(dān)了相對(duì)較...
分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2008-08-20 閱讀：3625 關(guān)鍵詞：MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用MOSFET管
PAM新推內(nèi)置MOSFET管并輸出30瓦的高功率LED驅(qū)動(dòng)器PAM2842
PAM(PowerAnalogMicroelectronics)公司,一家研發(fā)創(chuàng)新D類(lèi)數(shù)字音頻功放和高功率LED顯示驅(qū)動(dòng)器芯片公司,今天發(fā)布她的第一個(gè)具有內(nèi)置MOSFET高壓30瓦的LED驅(qū)動(dòng)器,這個(gè)驅(qū)動(dòng)器是采用臺(tái)積電（TSMC）的雙極型-CMOS
分類(lèi)：其它 時(shí)間：2008-08-16 閱讀：2706 關(guān)鍵詞：PAM新推內(nèi)置MOSFET管并輸出30瓦的高功率LED驅(qū)動(dòng)器PAM2842PAM2842LED驅(qū)動(dòng)器PAM2842
PAM公司研發(fā)出內(nèi)置MOSFET管的高功率LED驅(qū)動(dòng)器
PAM(PowerAnalogMicroelectronics)公司是一家研發(fā)創(chuàng)新D類(lèi)數(shù)字音頻功放和高功率LED顯示驅(qū)動(dòng)器芯片公司，日前發(fā)布了該公司第一個(gè)具有內(nèi)置MOSFET高壓30瓦的LED驅(qū)動(dòng)器，這個(gè)驅(qū)動(dòng)器是采用臺(tái)積電（TSMC）的雙極型-CM
分類(lèi)：其它 時(shí)間：2008-08-13 閱讀：1902 關(guān)鍵詞：PAM公司研發(fā)出內(nèi)置MOSFET管的高功率LED驅(qū)動(dòng)器LED驅(qū)動(dòng)器MOSFET管
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