這種方法相對(duì)其他方法具有原理簡(jiǎn)單、增加輔助器件少的特點(diǎn)，通過采用P通道MOSFET管和具有穩(wěn)定標(biāo)識(shí)輸出的 DC/DC電源模塊來實(shí)現(xiàn)。P通道MOSFET管作為電源分配開關(guān)，DC/DC的電源的穩(wěn)定狀態(tài)輸出引腳（PG：低電平表示電 源達(dá)到理想值）作為電源分配開關(guān)的控制信號(hào)，控制DSP的I/O供電，如圖1所示。

　　在上電過程中，I/O供電電源經(jīng)過MOSFET管連接到外部電源上，外部電源通過DC/DC模塊變換后作為內(nèi)核電源。只 有當(dāng)內(nèi)核電源的穩(wěn)定狀態(tài)輸出引腳輸出低電平時(shí)，才會(huì)接通外部I/O電源，保證了內(nèi)核先于I/O供電。

　　在掉電過程中，由于外部供電線路中某些容性器件的存在，外部電源電壓由正常值到0狀態(tài)會(huì)有一個(gè)過程。因此， 當(dāng)外部電源降低到DC/DC模塊的輸出電壓以下時(shí)，穩(wěn)定狀態(tài)輸出引腳（PG）會(huì)輸出高電平從而關(guān)閉MOSFET，關(guān)閉I/O電源。然后外部電源繼續(xù)降低，DC/DC輸出也隨之降低從而使內(nèi)核電源斷電。這樣就控制了系統(tǒng)的掉電次序。

　圖1 內(nèi)核和I/O電源均為3.3 V供電的DSP系統(tǒng)

　　這種方法采用P通道MOSFET管作為電源分配開關(guān)，以514465為例，該器件有一個(gè)大約9 mΩ的回流吸收電阻。當(dāng)G端電壓大于2.5 V時(shí)（SO-8封裝），MOSFET管導(dǎo)通允許有幾安培的電流。對(duì)于不同封裝的514465器件，導(dǎo)通電壓和允許的電流也有所區(qū)別，可以根據(jù)需要選擇合適的封裝。此外，選擇P通道MOSFET管也要注意其內(nèi)阻，必須保證內(nèi)阻上的壓降不能大于通過MOSFET管電壓的1％～2％。此外，在電路設(shè)計(jì)時(shí)還必須保證PG能夠正確地打開MOSFET管。由于大部分器件的PG都是集電極開路（Open drain），為保證當(dāng)PG處于高阻狀態(tài)能夠關(guān)斷MOSFET管，需要增加一個(gè)上拉電阻，如圖1所示。

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