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MOS開關(guān)

MOS開關(guān)設(shè)計(jì)

開關(guān)在集成電路設(shè)計(jì)中有很多作用。在模擬電路中,開關(guān)被用來實(shí)現(xiàn)諸如電阻的開關(guān)仿真[1]等有用的功能,開關(guān)同樣也用于多路選擇、調(diào)制和其他許多應(yīng)用。在數(shù)字電路中,開關(guān)被...

時(shí)間:2024-01-23 閱讀:1066 關(guān)鍵詞:MOS開關(guān)

如何選擇及應(yīng)用MOS開關(guān)管

一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得到比VCC大的電壓,就要專...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-06-08 閱讀:230 關(guān)鍵詞:MOS開關(guān)管

提升開關(guān)電源效率和可靠性:半橋諧振LLC+CoolMOS開關(guān)管!

近來,LLC拓?fù)湟云涓咝?,高功率密度受到廣大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞,但是這種軟開關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET 的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓?fù)?。特別是在電源啟機(jī),動(dòng)態(tài)負(fù)載,過載...

時(shí)間:2019-06-14 閱讀:1738 關(guān)鍵詞:開關(guān)電源,開關(guān)管

提升開關(guān)電源效率和可靠性:半橋諧振LLC+CoolMOS開關(guān)管

電源反饋光耦CTR過大,過小?到底有何影響?   通知:張飛無人機(jī)配件、正激、視頻教程已在官方商城上架(點(diǎn)擊藍(lán)字查看詳情)!   1.摘要   近來, LLC拓?fù)湟云涓咝В?..

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2018-01-24 閱讀:1227 關(guān)鍵詞:提升開關(guān)電源效率和可靠性:半橋諧振LLC+CoolMOS開關(guān)管

半橋諧振LLC+CoolMOS開關(guān)管電路解析

1.摘要 近來, LLC拓?fù)湟云涓咝?,高功率密度受到廣大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞,但是這種軟開關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓?fù)?。特別是在電源啟機(jī),動(dòng)態(tài)負(fù)載,過載,短路等情況下。CoolMOS 以其快恢...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2017-03-08 閱讀:4036 關(guān)鍵詞:半橋諧振LLC+CoolMOS開關(guān)管電路解析

MOS開關(guān)管的選擇及原理應(yīng)用

一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在...

時(shí)間:2013-09-10 閱讀:33145 關(guān)鍵詞:MOS開關(guān)管的選擇及原理應(yīng)用MOS開關(guān)管PMOS管

CMOS開關(guān)電路原理

圖1為CMOS模擬開關(guān)電路原理圖。它克服了NMOS模擬開關(guān)電路Ron雖vI增大而增大的缺點(diǎn),擴(kuò)大輸入信號(hào)幅度的范圍;而且可以在CMOS電路基礎(chǔ)上增設(shè)輔助電路,消除NMOSFET的襯底效...

時(shí)間:2013-09-04 閱讀:12424 關(guān)鍵詞:CMOS開關(guān)電路原理CMOS開關(guān)電路了NMOS

TI推出一款CMOS開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器

德州儀器(TI)發(fā)布的TL7660是一款CMOS開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器,可執(zhí)行從正極到負(fù)極的電源電壓轉(zhuǎn)換。其可將范圍介于1.5V至10V之間的輸入電壓轉(zhuǎn)換成-1.5V至-10V的補(bǔ)償負(fù)輸出電壓,條件是僅需兩個(gè)非臨界的外部電容器來實(shí)現(xiàn)充...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2008-05-30 閱讀:2806 關(guān)鍵詞:TI推出一款CMOS開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器TL7660TL7660I開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器

TI推出CMOS開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器TL7660

TL7660是一款CMOS開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器,可執(zhí)行從正極到負(fù)極的電源電壓轉(zhuǎn)換。其可將范圍介于1.5V至10V之間的輸入電壓轉(zhuǎn)換成-1.5V至-10V的補(bǔ)償負(fù)輸出電壓,條件是僅需兩個(gè)非臨界的外部電容器來實(shí)現(xiàn)充電泵與電荷儲(chǔ)存功能...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2007-12-03 閱讀:2266 關(guān)鍵詞:TI推出CMOS開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器TL7660TL7660TL7660I

TI推出一款CMOS開關(guān)電壓轉(zhuǎn)換器TL7660

TI日前發(fā)布的TL7660是一款CMOS開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器,可執(zhí)行從正極到負(fù)極的電源電壓轉(zhuǎn)換。其可將范圍介于1.5V至10V之間的輸入電壓轉(zhuǎn)換成-1.5V至-10V的補(bǔ)償負(fù)輸出電壓,條件是僅需兩個(gè)非臨界的外部電容器來實(shí)現(xiàn)充電泵與...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2007-11-30 閱讀:1571 關(guān)鍵詞:TI推出一款CMOS開關(guān)電壓轉(zhuǎn)換器TL7660TL7660TL7660I

ADI 高端數(shù)據(jù)采集應(yīng)用iCMOS開關(guān)

關(guān)于ADG1233/ADG1234模擬開關(guān)按照ADI公司擁有專利權(quán)的iCMOSTM(工業(yè)CMOS)工藝生產(chǎn)的ADG1233和ADG1234單刀雙擲(SPDT)模擬開關(guān)采用±12V或±15V雙電源工作,從而提供業(yè)界的電容和電荷

分類:其它 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:1522 關(guān)鍵詞:ADI 高端數(shù)據(jù)采集應(yīng)用iCMOS開關(guān)ADG1233ADG1234

MOS開關(guān)

MOS開關(guān)有:cmospmosnmosrcmosrpmosrnmos這類門用來為單向開關(guān)建模。即數(shù)據(jù)從輸入流向輸出,并且可以通過設(shè)置合適的控制輸入關(guān)閉數(shù)據(jù)流。pmos(p類型MOS管)、nmos(n類型MOS管),rnmos(r代表電阻)和rpmo

分類:其它 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:2834 關(guān)鍵詞:MOS開關(guān)

CMOS開關(guān)特性

CMOS倒相器的開關(guān)特性,由于CMOS倒相器的兩個(gè)靜態(tài)都總有一個(gè)管子截止,則其開關(guān)特性更接近于TTL電路,但保持了MOS集成電路的無延遲和無存儲(chǔ)的特點(diǎn)。指出了CMOS倒相器由于在靜態(tài)時(shí)兩管中總有一個(gè)管子截止,因此靜態(tài)功...

分類:其它 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:2003 關(guān)鍵詞:CMOS開關(guān)特性

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