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DDR2

DDR2與DDR的區(qū)別

DDR2與DDR內(nèi)存是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們之間有許多區(qū)別,主要體現(xiàn)在性能、功耗、工作頻率和數(shù)據(jù)傳輸方式等方面。以下是它們的主要區(qū)別:  1. 數(shù)據(jù)傳輸速率  DDR(Double Data Rate):DDR內(nèi)存的傳輸速率通常從...

時間:2024-12-24 閱讀:628 關(guān)鍵詞:DDR2DDR

PCB的SI設(shè)計:DDR2、DDR3應該是這樣的

本文章主要涉及到對DDR2和DDR3在設(shè)計印制線路板(PCB)時,考慮信號完整性和電源完整性的設(shè)計事項,這些是具有相當大的挑戰(zhàn)性的。文章重點是討論在盡可能少的PCB層數(shù),特別...

分類:PCB技術(shù) 時間:2019-09-02 閱讀:1922 關(guān)鍵詞:PCB

DDR2和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計

作為電子與通信工程及其相關(guān)的資料。對于那些從事軟硬件開發(fā)、集成電路設(shè)計、系統(tǒng)設(shè)計的工程技術(shù)人員來說也是一本很好的文章。  它主要涉及到對DDR2和DDR3在設(shè)計印制線路...

分類:通信與網(wǎng)絡(luò) 時間:2019-07-30 閱讀:1304 關(guān)鍵詞:PCB信號

針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計

本文章主要涉及到對DDR2和DDR3在設(shè)計印制線路板(PCB)時,考慮信號完整性和電源完整性的設(shè)計事項,這些是具有相當大的挑戰(zhàn)性的。文章重點是討論在盡可能少的PCB層數(shù),特別...

分類:通信與網(wǎng)絡(luò) 時間:2019-07-24 閱讀:1644 關(guān)鍵詞:DDR2-800,DDR3,PCB信號

一種高性能的DDR2 PHY層控制器的應用研究

摘要:由于DDR2 顆粒成本低,數(shù)據(jù)帶寬高,PCB 相對設(shè)計比較容易等特點。目前仍廣泛應用于需要數(shù)據(jù)緩存的各個地方。本文介紹了一種使用靈活,可擴展性強的DDR2 PHY 層控制器...

分類:其它 時間:2014-03-07 閱讀:5503 關(guān)鍵詞:一種高性能的DDR2 PHY層控制器的應用研究DDR2 PHY控制器控制邏輯

首款速率高達4.8Gbps的DDR2 FB-DIMM誕生

2005年8月26日,北京訊——今天,在舊金山召開的英特爾開發(fā)商論壇(IDF)上,的內(nèi)存產(chǎn)品供應商英飛凌科技公司(FSE/NYSE:IFX)宣布,該公司正在推出雙數(shù)據(jù)速率2(DDR2)全...

分類:嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時間:2011-09-02 閱讀:1823

關(guān)于DDR2控制器的設(shè)計

1 DDR2的介紹  DDR2/DDR IISDRAM是由JEDEC進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準,它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)?..

分類:其它 時間:2011-08-12 閱讀:9062 關(guān)鍵詞:關(guān)于DDR2控制器的設(shè)計DDR2控制器

內(nèi)存DDR2和DDR3有什么不同

速度在不斷飆升!AMD的AM2接口K8架構(gòu)處理器引入最高DDR2800的支持,而Intel也在7月23日發(fā)布了萬眾期待的Conroe處理器并進行史上規(guī)模最大的"恐怖襲擊";電腦市場似乎在2006年已經(jīng)提前進入了DDR2800的極速時代。RD600支

分類:其它 時間:2011-07-30 閱讀:3801 關(guān)鍵詞:內(nèi)存DDR2和DDR3有什么不同

新一代內(nèi)存標準—DDR2

DD2內(nèi)存標準介紹DDR2/DDRII(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準,它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)...

分類:嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時間:2011-05-31 閱讀:5064 關(guān)鍵詞:新一代內(nèi)存標準—DDR2

基于USB2_0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計與FPGA實現(xiàn)

摘要: 采用DDR2 SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù), 給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案, 同時提出了對數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的改進思路以及在Xilinx的Vir...

分類:其它 時間:2010-12-17 閱讀:3487 關(guān)鍵詞:基于USB2_0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計與FPGA實現(xiàn)數(shù)據(jù)采集

完備的DDR2和DDR3存儲器電源管理方案MAX17000A

MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓器以及一路基準緩沖器...

分類:電源技術(shù) 時間:2010-11-25 閱讀:4229 關(guān)鍵詞:完備的DDR2和DDR3存儲器電源管理方案MAX17000AMAX17000A

基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計與仿真

摘 要: 介紹了DDR2嵌入式系統(tǒng)的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具,并基于Hyperlyxn仿真工具對IBIS模型進行仿真分析,給出了一個具體的DDR2嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計過程和方法?!?..

分類:嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時間:2010-09-25 閱讀:3730 關(guān)鍵詞:基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計與仿真DDR2嵌入式系統(tǒng)

愛特梅爾為400MHz ARM9嵌入式微控制器提供DDR2標準配置

愛特梅爾公司(AtmelCorporation)宣布推出400MHzARM926嵌入式微控制器系列之首款產(chǎn)品SAM9G45,該器件支持第二代雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM(DDR2),并針對樓宇自控系統(tǒng)、數(shù)據(jù)記錄儀、銷售終端機(POS)、報警系統(tǒng)和醫(yī)療設(shè)備等

分類:嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時間:2009-11-05 閱讀:1868 關(guān)鍵詞:愛特梅爾為400MHz ARM9嵌入式微控制器提供DDR2標準配置ARM9嵌入式微控制器DDR2

留給DDR2芯片的“蜜月期”只剩6個月

據(jù)摩根斯坦利公司的分析師FrankWang稱,DDR2芯片的價格未來將繼續(xù)上漲,并很有可能會超過DDR3芯片的售價,不過漲價期應該不會超過6個月,而DDR3芯片則將在這段時間內(nèi)漸成市場主流。據(jù)Wang分析,驅(qū)動最近DDR2芯片價格...

分類:其它 時間:2009-10-09 閱讀:1559 關(guān)鍵詞:留給DDR2芯片的“蜜月期”只剩6個月

PMC-Sierra新推1.8 GHz主頻雙CPU核 64位MIPS-Powered多處理器和DDR2

PMC-Sierra公司在的秋季處理器論壇(FallProcessorForum)上發(fā)布了其第三代高集成64位MIPS-Powered多處理器。這款RM11200處理器采用PMC-Sierra業(yè)經(jīng)驗證的系統(tǒng)級芯片(Soc)平臺設(shè)計方案和90納米CM

分類:嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時間:2007-12-24 閱讀:2533 關(guān)鍵詞:PMC-Sierra新推1.8 GHz主頻雙CPU核 64位MIPS-Powered多處理器和DDR2

三星新開發(fā)出70nm工藝DDR2 SDRam存儲芯片

三星電子公司宣稱,他們開發(fā)研制出了全球第一款使用70nm工藝生產(chǎn)的512MbDDR2SDRam存儲芯片,這也是目前存儲芯片制造領(lǐng)域內(nèi)的最精細的微處理技術(shù)。三星電子稱,采用70nm工藝生產(chǎn)的512MbDDR2SDRam存儲芯片,是當前80nm...

分類:其它 時間:2007-12-18 閱讀:2111 關(guān)鍵詞:三星新開發(fā)出70nm工藝DDR2 SDRam存儲芯片

DDR2逼近變動成本 預計價格反彈近期可待

上周(11/26-12/3)現(xiàn)貨市場仍延續(xù)近期的價格走勢,DDR2512MbeTT顆粒雖然小幅下跌,但已有支持的力道出現(xiàn),收在0.81美元,跌幅約1.2%;而DDR21GbeTT顆粒價格則滑落至1.61美元,跌幅約1.8%;品牌顆粒DDR21Gb的

分類:其它 時間:2007-12-15 閱讀:1401 關(guān)鍵詞:DDR2逼近變動成本 預計價格反彈近期可待

ISSI針對DDR2模塊應用推出電可擦除串行EEPROM

IntegratedSiliconSolution推出2KBit串行EEPROM專為DDR2內(nèi)存模塊應用的高性能芯片。IS34C02B是ISSI推出的又一款高度集成的電可擦除的可編程存儲器IC,專門用作DDR2內(nèi)存模塊,有高度的可靠性和優(yōu)良的性能,

分類:其它 時間:2007-12-12 閱讀:2087 關(guān)鍵詞:ISSI針對DDR2模塊應用推出電可擦除串行EEPROM

賽靈思推出首款667Mbps的DDR2SDRAM接口解決方案

賽靈思(Xilinx)宣布,推出基于Virtex-4FPGA的667MbpsDDR2參考設(shè)計。據(jù)稱,該參考設(shè)計提供了FPGA業(yè)界帶寬最高、最可靠的內(nèi)存接口解決方案。賽靈思DDR2-SDRAM接口采用了創(chuàng)新的Virtex-4ChipSync技術(shù),這是

分類:其它 時間:2007-12-12 閱讀:1666 關(guān)鍵詞:賽靈思推出首款667Mbps的DDR2SDRAM接口解決方案DDR2-667

飛利浦新型DDR2寄存器優(yōu)化DIMM負載,每模塊提供多達36個DRAM

飛利浦(Philips)日前針對高端服務器及先進計算的存儲密集型應用,推出新型高速寄存器系列SSTU3286*。該系列針對DDR2DIMM負載進行了優(yōu)化,能精確控制傳輸至模塊上的每一個DRAM信號,從而使新寄存器的DDR2寄存存儲模塊...

分類:其它 時間:2007-12-11 閱讀:1728 關(guān)鍵詞:飛利浦新型DDR2寄存器優(yōu)化DIMM負載,每模塊提供多達36個DRAMLFBGA-96DDR2-667SSTU32865

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