噪聲分為兩類：內(nèi)部噪聲和外部噪聲。內(nèi)部噪聲是不可避免的，每個(gè)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生內(nèi)部噪聲。LDO 由理想的源供電，這意味著它不受外界影響，因此在輸入端沒有外部噪聲 (雖然 LDO 在輸出端確實(shí)有內(nèi)部噪聲)。外部噪聲是...
先進(jìn) HEV/EV 電池管理系統(tǒng)的測(cè)試解決方案
在一個(gè)試點(diǎn)項(xiàng)目中，Comemso 和德州儀器 (TI) 演示了如何使用 comemso BMS 測(cè)試系統(tǒng)完全創(chuàng)建和評(píng)估基于德州儀器開發(fā)平臺(tái)的電池管理系統(tǒng) (BMS)。新的圖形界面使開發(fā)人員能夠操作從單一角度審視 TI 電動(dòng)汽車 (EV) BMS ...
電阻式電流檢測(cè)：低側(cè)與高側(cè)檢測(cè)
電阻式電流檢測(cè)在處理低到中等電流水平時(shí)，電阻式電流感測(cè)廣泛用于印刷電路板組件。使用這種技術(shù)，將已知電阻器 R shunt與負(fù)載串聯(lián)放置，并測(cè)量電阻器兩端產(chǎn)生的電壓以確定負(fù)載電流。如圖 1 所示。 圖1 電流檢測(cè)電阻...
針對(duì)高壓應(yīng)用優(yōu)化寬帶隙半導(dǎo)體器件
自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來(lái)，通過(guò)使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實(shí)現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導(dǎo)通電阻來(lái)控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對(duì)于功率 MOSFET，導(dǎo)通電阻...
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2023-04-07 閱讀：705 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體器件
新型 MPLAB 碳化硅功率仿真器使客戶能夠在設(shè)計(jì)階段測(cè)試 Microchip 的碳化硅功率解決方案
電力電子產(chǎn)品在日常生活的許多領(lǐng)域都在市場(chǎng)上迅速擴(kuò)張。由于這種材料在速度、效率和耐高溫性方面的出色性能，越來(lái)越多的電力電子設(shè)備使用SiC 半導(dǎo)體制造。電源設(shè)計(jì)人員大量...
電容式加速度計(jì)簡(jiǎn)介：使用電容式傳感測(cè)量加速度
加速度計(jì)可用于不同的應(yīng)用領(lǐng)域。例如，在汽車應(yīng)用中，加速度計(jì)用于激活安全氣囊系統(tǒng)。相機(jī)使用加速度計(jì)來(lái)主動(dòng)穩(wěn)定圖片。計(jì)算機(jī)硬盤驅(qū)動(dòng)器還依靠加速度計(jì)來(lái)檢測(cè)可能損壞設(shè)備讀/寫磁頭的外部沖擊。在這種情況下，加速...
使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器的比例電阻測(cè)量基礎(chǔ)知識(shí)
A/D 轉(zhuǎn)換器是比率式的，也就是說(shuō)，它們的結(jié)果與輸入電壓與參考電壓的比值成正比。這可用于簡(jiǎn)化電阻測(cè)量。測(cè)量電阻的標(biāo)準(zhǔn)方法是讓電流通過(guò)電阻并測(cè)量其壓降 （見圖 1）。然后，歐姆定律(V = I x R) 可用于計(jì)算電壓和...
RTD 基礎(chǔ)知識(shí)——電阻溫度檢測(cè)器簡(jiǎn)介
電阻溫度檢測(cè)器或 RTD 可能是最簡(jiǎn)單的溫度傳感器類型。這些設(shè)備的工作原理是金屬的電阻隨溫度變化。純金屬通常具有正的電阻溫度系數(shù)，這意味著它們的電阻隨溫度升高而增加。RTD 可在 -200 °C 至 +850 °C 的較大溫...
如何使用 FPGA 測(cè)試 PLL 頻帶校準(zhǔn)算法
將受控振蕩器所需的頻率調(diào)諧范圍分成離散頻帶是一種常用技術(shù)。擁有多個(gè)頻段的優(yōu)勢(shì)在于可以覆蓋較寬的調(diào)諧范圍，同時(shí)在每個(gè)頻段內(nèi)保持相對(duì)較低的壓控振蕩器 (VCO) 增益。低 VCO 增益有利于實(shí)現(xiàn)低 VCO 相位噪聲。要求...
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2023-03-28 閱讀：553 關(guān)鍵詞： FPGA 測(cè)試
圖示了一個(gè)數(shù)字可編程的精密電阻，該電阻可在定制設(shè)計(jì)的ATE（自動(dòng)測(cè)試設(shè)備）中用作微處理器驅(qū)動(dòng)的電源負(fù)載。一個(gè)8位電流輸出DAC、IC1 ，DAC08，驅(qū)動(dòng)電流-電壓轉(zhuǎn)換器IC2一 ，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)功率MOSFET Q的柵極1 .被測(cè)器件連...
將LVDT（線性可變差動(dòng)變壓器）連接到微控制器可能具有挑戰(zhàn)性，因?yàn)長(zhǎng)VDT需要交流輸入激勵(lì)和交流輸出測(cè)量來(lái)確定其可移動(dòng)磁芯的位置（參考文獻(xiàn) 1 ).大多數(shù)微控制器缺乏專用的交流信號(hào)生成和處理能力，因此需要外部電路...
工業(yè)控制應(yīng)用通常使用在 24V 邏輯電平下工作的 PLC（可編程邏輯控制器）。該電壓對(duì)安全使用微控制器提出了挑戰(zhàn)。這種設(shè)計(jì)需要在微控制器和 24V 信號(hào)之間建立物理屏障，以避免在出現(xiàn)錯(cuò)誤或短路時(shí)造成損壞。使用微控制...
在大多數(shù)情況下，您通過(guò)將電流轉(zhuǎn)換為成比例的電壓然后測(cè)量電壓來(lái)測(cè)量電流。圖 1 顯示了進(jìn)行轉(zhuǎn)換的兩種典型方法。在一種方法中，您插入一個(gè)與電流路徑串聯(lián)的探測(cè)電阻器 R P ，并使用差分放大器 IC 1 測(cè)量產(chǎn)生的電壓降...
使用單個(gè)施密特測(cè)量?jī)蓚€(gè)電阻傳感器或多個(gè)開關(guān)
許多從我們周圍世界捕獲信息的傳感器都是電阻式的。一些示例是 NTC、PTC、LDR 和接觸式傳感器。如果我們將傳感器的電阻轉(zhuǎn)換為頻率或脈沖持續(xù)時(shí)間，則大多數(shù) MCU 都可以測(cè)量這些參數(shù)，而無(wú)需 ADC。 圖 1 具有施密特...
由于專用集成電路的可用性，電流監(jiān)測(cè)變得更加簡(jiǎn)單。電流監(jiān)測(cè)集成電路很容易獲得，并且在大多數(shù)情況下都表現(xiàn)出色，各種儀表放大器也是如此，因此使用分立器件構(gòu)建電流監(jiān)測(cè)器似乎是多余的，但在某些情況下，使用分立元...
檢測(cè)超過(guò)某個(gè)閾值的快速下降信號(hào)對(duì)于超聲波或定位設(shè)備以及地震學(xué)系統(tǒng)很重要。您可以將軌到軌運(yùn)算放大器與施密特觸發(fā)邏輯門組合起來(lái)以執(zhí)行此功能（圖 1）。這個(gè)例子在超聲波機(jī)器上運(yùn)行良好。它控制一個(gè)采樣保持放大器...
這個(gè)設(shè)計(jì)理念的產(chǎn)生是因?yàn)槲覠o(wú)法接觸到那些感應(yīng)電流的出色新 IC。我需要一個(gè)可以輕松構(gòu)建但仍與新 IC 一樣準(zhǔn)確的分立電路。這個(gè)電路似乎可以完成這項(xiàng)工作。Q 2 是第一個(gè)電流放大器；它又具有 6.2（圖 1）。Q 1是由 I...
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2023-03-21 閱讀：406 關(guān)鍵詞：檢測(cè)汽車高側(cè)電流
通過(guò)避免超速和欠速測(cè)試來(lái)最大限度地減少良率影響
在用于汽車 SoC 的納米技術(shù)中，硅上的大多數(shù)缺陷都是由于時(shí)序問(wèn)題造成的。因此，汽車設(shè)計(jì)中的全速覆蓋要求非常嚴(yán)格。為了滿足這些要求，工程師們付出了很多努力來(lái)獲得更高的實(shí)速覆蓋率。主要挑戰(zhàn)是以盡可能低的成本...
解決 MIPI M-PHY 連接挑戰(zhàn)以實(shí)現(xiàn)更高效的測(cè)試
隨著行業(yè)轉(zhuǎn)向采用MIPI 聯(lián)盟的 M-PHY 標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)計(jì)人員正面臨一些與示波器測(cè)量相關(guān)的重大挑戰(zhàn)，更具體地說(shuō)，是探測(cè)。這些挑戰(zhàn)包括嚴(yán)格的要求，例如總線端接和輸入回波損耗，以及需要最大限度地減少被測(cè)設(shè)備 (DUT) 上的...
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2023-03-14 閱讀：745 關(guān)鍵詞：MIPI M-PHY
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