PCB鍍銅中氯離子消耗過大原因的分析
出處:lxshd 發(fā)布于:2009-06-02 15:55:33
本文討論印制線路板硫酸鹽鍍銅中出現(xiàn)"氯離子消耗過大"的現(xiàn)象,分析原因。
目前隨著印制線路板向高密度、高方向發(fā)展,對硫酸鹽鍍銅工藝提出了更加嚴(yán)格的要求,必須同時控制好鍍銅工藝過程中的各種因素,才能獲得高品質(zhì)的鍍層。下面針對鍍銅工藝過程中出現(xiàn)氯離子消耗過大的現(xiàn)象,分析氯離子消耗過大的原因。
出現(xiàn)氯離子消耗過大的前因:
鍍銅時線路板板面的低電流區(qū)出現(xiàn)"無光澤"現(xiàn)象,氯方子濃度偏低;一般通過添加鹽酸后,板面低電流密度區(qū)的鍍層"無光澤"現(xiàn)象才能消失,鍍液中的氯離子濃度才能達(dá)到正常范圍,板面鍍層光亮。如果要通過添加大量鹽酸來解決低電流密度區(qū)鍍層"無光澤"現(xiàn)象,就不一定是氯離子濃度太低而造成的,需分析其真正的原因。如果采取添加大量鹽酸:一來,可能會產(chǎn)生其它后果,二來增加生產(chǎn)成本,不利于企業(yè)競爭。
正確分析"低電流密度區(qū)鍍層無光澤"原因:
通過添加大量的鹽酸來消除"低電流密度區(qū)鍍層不光亮"現(xiàn)象,說明如是氯離子過少,才需添加鹽酸來增加氯離子的濃度達(dá)到正常范圍,使低電流密度區(qū)鍍層光亮。如果要添加成倍的鹽酸才能使氯離子的濃度達(dá)到正常范圍?是什么在消耗大量的氯離子呢?氯離子濃度太高會使光亮劑消耗快。說明氯離子與光亮劑會產(chǎn)生反應(yīng),過量的氯離子會消耗;反過來,過量的光亮劑也消耗氯離子。因為氯離子過少和光亮劑過量都是造成低電流密度區(qū)鍍層不光亮"的主要原因,因此可見,造成"鍍銅中氯離子消耗過大的主要原因是光亮劑濃度太高。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計核心實操規(guī)范2026/4/10 11:24:24
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計與干擾抑制核心實操規(guī)范2026/4/9 10:38:43
- PCB可制造性設(shè)計(DFM)核心實操規(guī)范2026/4/8 10:41:07
- PCB測試點設(shè)計與檢測適配核心實操規(guī)范2026/4/7 11:55:25
- PCB散熱設(shè)計與熱管理核心實操規(guī)范2026/4/3 14:38:57
- MOSFET驅(qū)動與隔離方案設(shè)計
- 高溫環(huán)境下電源IC選型建議
- 安防監(jiān)控設(shè)備連接器應(yīng)用分析
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計核心實操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計與干擾抑制核心實操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計與本振凈化技術(shù)









