圖1中介紹了一種在輕摻雜的P型襯底（Na=6x10¹²cm^-3）上采用1pm NM0S工藝制作的橫向PIN光電二極管［59～60］。

　　圖1   NMOS集成橫向PIN光電二極管

　　由于PIN結(jié)構(gòu)是直接制作在高電阻率的襯底上，因而I層的厚度可以和51材料中870 nm光注入的吸收深度（20 gm）相比擬。因而該P(yáng)IN探測(cè)器的量子效率較高，在未增加抗反射涂層，5 V反向偏壓條件下，可測(cè)得670 nm波長(zhǎng)下響應(yīng)度為0.32 A/W，870 nm波長(zhǎng)下的響應(yīng)度為6.45 A/W，換算成外部量子效率可達(dá)到67%。而且由于襯底的輕摻雜，它的反向擊穿電壓可以超過(guò)60V，意味著獲得厚度更大的I層。在測(cè)量該光電二極管的帶寬的時(shí)候，在探測(cè)器上施加波長(zhǎng)850 nm、脈寬200 fs、間距13.2 ns（15 MHz）的近似delta函數(shù)光脈沖信號(hào)，通過(guò)測(cè)量探測(cè)器對(duì)此時(shí)域上梳狀排列脈沖序列響應(yīng)的光譜內(nèi)容，即可測(cè)算探測(cè)器的頻響特性。通過(guò)這種方法可得到此探測(cè)器3 dB帶寬約為1.3 GHz。

　　在此OEIC中，NMOS晶體管用0.8 gm自對(duì)準(zhǔn)硅柵工藝制作在一個(gè)P阱內(nèi)，制作過(guò)程中采用標(biāo)準(zhǔn)的Locos隔離工藝，P阱摻雜濃度約為1.2×10¹⁶cm^-3。

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