數(shù)字晶體管的測(cè)試與一般小信號(hào)晶體管相比，有較大的區(qū)別，主要測(cè)輸入截止電壓Vi（off）（7BTON），輸入開啟電壓Vi（on）（8BTON），輸出電壓Vo（on）（9VCESAT），輸入截止電流Ii（10IEB），輸出截止電流Io（off）（11ICES），直流電流增益Gi（12HFE），電阻R1（22R1），電阻R2（23R2）括號(hào)內(nèi)對(duì)應(yīng)附表中計(jì)算機(jī)測(cè)試程序中的相應(yīng)項(xiàng)，其中電阻R1與R2因不能直接測(cè)試，要測(cè)試正確比較困難。

下面以DTC114ESA舉例說明測(cè)試原理。

如所示，由于基極與發(fā)射極上并聯(lián)了一只10K電阻，基極上又串聯(lián)一只10K的電阻，測(cè)試時(shí)晶體管eb結(jié)構(gòu)的特性就與小信號(hào)晶體管eb結(jié)的正反向特征有很大區(qū)別，一般晶體管的正向特性曲線如所示，從0.7V左右正向電流隨正向電壓徒直上升，方向特性在6～10V左右開始雪崩擊穿，像一只6～10V的穩(wěn)壓二極管如所示，而數(shù)字晶體管串聯(lián)R1及并聯(lián)R1電阻后，輸入特性曲線如所示，所加正向電壓小于0.7V時(shí)，晶體管可當(dāng)作截止?fàn)顟B(tài)，eb兩端的電壓除以電流，所得的電阻R為R1與R2之和。當(dāng)所加正向電壓大于0.7V時(shí)，晶體管可作為導(dǎo)通，導(dǎo)通時(shí)電阻R2與eb結(jié)正向結(jié)電阻并聯(lián)近似，eb結(jié)兩端測(cè)得的電壓除以電流所得的電阻就是R1，再把R值減去R1值，就是R2的電阻值。

數(shù)字晶體管的反向特性與一般小信號(hào)晶體管的反向特性差別更大，如，由于eb結(jié)上并聯(lián)了一個(gè)電阻R2。在eb結(jié)上一加反向電壓，就有反向電流（如測(cè)輸出特性曲線有嚴(yán)重小電流現(xiàn)象，使用者不要一看到小電流就認(rèn)為是不良品），隨著反向電壓的增加，反向電流逐漸上升，呈現(xiàn)一典型電阻特性，把測(cè)出兩端所加電壓的差值與電流差值相比，就是電阻R（等于R1＋R2）的值，當(dāng)反向電壓加到大于晶體管的eb結(jié)反向擊穿電壓時(shí)，eb結(jié)雪崩擊穿，eb結(jié)上并聯(lián)的電阻R2被短路，但曲線不是垂直向上，因?yàn)榛鶚O里有串聯(lián)電阻R1，其傾斜部分直線的斜率（電壓差除以電流差）就是電阻R1的值，再把R值減去R1的值就是電阻R2的值。

從理論上分析，用測(cè)正向特性的方法來測(cè)兩個(gè)電阻正確性比較差，因?yàn)榧诱螂妷簳r(shí)，晶體管的eb結(jié)并不要到0.7V才導(dǎo)通，加到0.5V電壓就有一點(diǎn)點(diǎn)正向電流出現(xiàn)，正向電壓加到0.7V以上正向電流迅速上升時(shí)，上升曲線也不完全是一條直線。因?yàn)樗鶞y(cè)得的總電阻R及電阻R1均有誤差，從可看出兩個(gè)電阻線段帶有一點(diǎn)非線性，而用測(cè)反向特性的方法來測(cè)電阻，理論上講正確性好，因?yàn)閑b結(jié)反向擊穿前，eb結(jié)的反向電流基本等于0，相當(dāng)于完全截止，可以正確測(cè)出R，而反向雪崩擊穿后電阻R2被短路，完全導(dǎo)通，能夠正確測(cè)出R1。