頻譜儀精準(zhǔn) TOI 測量的設(shè)置優(yōu)化
出處:網(wǎng)絡(luò)整理 發(fā)布于:2025-09-05 16:39:30
手動測量方法
TOI 的測量是利用頻率 f1 和 f2 的兩個基音,通過測量頻率 2f1 - f2 和 2f2 - f1 處兩個三階失真產(chǎn)物的相對電平來實現(xiàn)的。當(dāng)基音幅度每增加 1 dB 時,三階失真產(chǎn)物的電平會增加 3 dB,相對電平 (dBc) 變化會增加 2 dB,如圖 1 所示。

通過測量 DUT 輸出電平的相對失真水平,就可以計算出失真產(chǎn)物等于基波的理論水平,這就是 TOI 點。從數(shù)學(xué)角度來講,該點由公式 1 給出:
TOI (dBm) = AFund - (d/2) [1]
其中,AFund = 基波信號電平(dBm),d = 基波信號與失真之差(dBc)。
例如:若基波信號為 - 10 dBm,基波與失真之差為 - 64 dBc,則 TOI = ?10 - (-64/2) = 22dBm。
另外,我們可以畫一條斜率為 2 的線,來表示相對于 DUT 輸出電平的失真變化關(guān)系。圖 2 展示了一個 TOI 圖的示例:當(dāng) DUT 在 –10 dBm 基波輸出電平時,其三階互調(diào)失真產(chǎn)物為 –64 dBc。由此可以得到 DUT 的三階截止點(TOI)為 +22 dBm。

圖 2. 圖中 DUT 的 TOI 為 +22 dBm
需要特別注意的是,頻譜分析儀的 DANL 是 RBW 的函數(shù)。相對于在 1 Hz 帶寬下的歸一化 DANL 值,當(dāng) RBW 增大時,噪聲底會按照公式 2 的規(guī)律上升。
DANL (dB) = 10Log (RBW) [2]
DANL 值(以 dB 為單位)是相對于 1 Hz RBW 設(shè)置的歸一化結(jié)果。RBW 每增加 10 倍,本底噪聲也會增加 10dB,如圖 3 所示。

圖 3. DANL 與混頻器電平的關(guān)系
頻譜分析儀自身也會在與被測設(shè)備(DUT)產(chǎn)生失真的相同頻率處,產(chǎn)生內(nèi)部的三階互調(diào)失真產(chǎn)物。這些失真產(chǎn)物與混頻器電平相關(guān),而非 DUT 的輸出電平。正是這種區(qū)別,使得測量 DUT 時,其 TOI 顯著高于頻譜分析儀自身 TOI。圖 2 展示了一個頻譜分析儀 TOI 為 +15 dBm 時,相對于混頻器電平的失真曲線。
公式 3 給出的混頻器電平,可以通過增加或減少頻譜分析儀的輸入衰減來設(shè)置。理想情況下,頻譜分析儀內(nèi)部產(chǎn)生的失真產(chǎn)物應(yīng)遠(yuǎn)小于 DUT 產(chǎn)生的失真產(chǎn)物。如果頻譜分析儀內(nèi)部失真產(chǎn)物與 DUT 的失真產(chǎn)物相等,那么測量的不確定度會介于 +6 dB 與負(fù)無窮大之間(取決于兩信號的相位關(guān)系)。
混頻器電平 = 輸入電平 – 外部衰減 – 輸入衰減 [3]
的混頻器電平是在給定的分辨率帶寬 RBW 下,頻譜分析儀的內(nèi)部失真產(chǎn)物恰好等于其本底噪聲時的電平。在這種情況下,可以平衡掉內(nèi)部失真和噪聲對測量精度的影響。
混頻器電平與 DANL(1 kHz RBW)的關(guān)系曲線顯示,隨著混頻器電平提高,信噪比(SNR)也會改善。在本例中,當(dāng)混頻器電平為 –30 dBm 時,能夠得到 –90 dB 的信噪比。
當(dāng) DUT 輸出電平為 –10 dBm,衰減為 20dB 時,頻譜分析儀的混頻器電平就是 –30 dBm(如圖 2 所示)。頻譜分析儀的 TOI 曲線顯示,其內(nèi)部產(chǎn)生的三階失真產(chǎn)物相對于混頻器電平為 –90 dBc。這就使得 DUT 與頻譜儀內(nèi)部產(chǎn)生的失真產(chǎn)物之間有 26 dB 的裕量。
如果需要更大的動態(tài)范圍,就必須通過增加衰減來進(jìn)一步降低混頻器電平。但這樣會導(dǎo)致頻譜分析儀的本底噪聲升高,需要通過減小分辨率帶寬 RBW 來補(bǔ)償。降低 RBW 會增加測量時間,通常如下式所示:
掃描時間 =(K * 掃寬)/ (RBW)?
其中 K 是一個常數(shù),取決于頻譜分析儀型號和設(shè)置。
通過調(diào)整分析儀的本振 (LO) 并使用快速傅里葉變換 (FFT),可以縮短窄 RBW 的掃描時間。對于窄 RBW,F(xiàn)FT 掃描時間比傳統(tǒng) LO 掃描速度更快,X 系列信號分析儀會自動將掃描類型切換為 FFT 掃描。
手動對被測器件 DUT 進(jìn)行 TOI 測量時,方法是增大內(nèi)部衰減,直到顯示的失真分量幅度不再變化。此時,來自頻譜分析儀內(nèi)部產(chǎn)生的失真不再對顯示的被測器件 (DUT) 三階失真分量產(chǎn)生影響。
測量結(jié)果的差異主要是由于失真產(chǎn)物的信噪比 (SNR) 低于頻譜分析儀的本底噪聲而造成的??梢酝ㄟ^減小 RBW 和 / 或采用平均來提高測量的可重復(fù)性。通常,可以通過跡線平均或?qū)?VBW 降低到小于 RBW 來減少這種差異,通過對噪聲跡線欠響應(yīng),從而改善失真產(chǎn)物的信噪比 (SNR)。通過提高失真產(chǎn)物相對于 DANL 的信噪比,可以顯著提高 TOI 測量的可重復(fù)性。值得注意的是,當(dāng) VBW 小于 RBW 時,分析儀將不再使用快速掃描(選件 FS1/FS2),因此從時間角度來看,降低 RBW 而非視頻平均可能更有利。
無論采用哪種方法,都需要額外的測量時間。是德科技 X 系列信號分析儀具有本底噪聲擴(kuò)展 (NFE) 功能,可以通過減去分析儀的殘余本底噪聲來進(jìn)一步降低頻譜測量本底噪聲。此外,均方根 (RMS) 功率平均等技術(shù)可實現(xiàn)測量時間方面的優(yōu)化,同時也能改進(jìn)信噪比( SNR)。
優(yōu)化方法
如圖 4 所示,是德科技 X 系列信號分析儀的自動化、一鍵式 TOI 測量允許用戶快速設(shè)置測量,以獲得精度和動態(tài)范圍,而無需進(jìn)行傳統(tǒng)手動優(yōu)化方法中的諸多權(quán)衡選擇。使用此測量,用戶可以手動設(shè)置中心頻率和掃寬,也可以按下 “Auto Tune” 軟鍵讓分析儀自動設(shè)置這些參數(shù)。按下 “Adjust Attenuation for Minimum Clip” 按鈕,可以快速設(shè)置衰減水平。系統(tǒng)將自動檢測和測量兩個基波信號,并在屏幕上測量和顯示失真分量的相對電平 (dBc)。

圖 4. 測試裝置使用兩個信號源,分別產(chǎn)生頻率為 1000 MHz 和 999 MHz、-3.00 dBm 的 CW 信號(f1 和 f2)。每個信號源連接一個隔離器,然后連接到一個分路器,分路器的輸出連接到分析儀的輸入。

如果在使用 “自動調(diào)諧” 功能時無法檢測到失真分量,可以采取一些額外步驟來檢測和測量被測器件的 TOI??梢越档?RBW 和 / 或內(nèi)部衰減,以便檢測和測量失真分量。圖 4 展示了我們使用兩個高性能信號源和 N9042B UXA 信號分析儀的示例測量設(shè)置。
自動 TOI 測量將計算并顯示測量結(jié)果,如下所示,參見圖 6。

圖 6. 通過自動化、一鍵式 TOI 測量,可以快速設(shè)置測量以獲得精度和動態(tài)范圍
用戶還可以將測量方法改為零掃寬而非掃描測量,以便在優(yōu)化測量速度的同時進(jìn)行高動態(tài)范圍測量。測量以較寬的 RBW 掃描整個跡線,并測量兩個基波信號的幅度電平。然后,儀器以可選的 RBW 測量兩個失真分量。失真分量在零掃寬下以用戶定義的駐留時間進(jìn)行測量,如圖 7 所示。增加駐留時間可以增加平均樣本的數(shù)量,從而改善方差。

圖 7. 顯示 TOI 應(yīng)用程序中的零掃寬測量選項。該功能包括用戶可選的 RBW 和駐留時間,以及在測量后自動計算 TOI 值
傳統(tǒng)平均方法的測量時間比零掃寬方法更長。這是因為其掃描時間因降低 RBW 而增加了平方律運(yùn)算時間。零掃寬測量僅測量目標(biāo)頻率,包括兩個連續(xù)波頻率和三階產(chǎn)物的頻率。
傳統(tǒng)上,TOI 測量采用手動技術(shù),帶來測量時間、測量重復(fù)性和測量不確定度方面的影響?,F(xiàn)在,用戶可以通過自動化、一鍵式 TOI 測量解決方案,完成更快、更優(yōu)化的 TOI 測量,避免了傳統(tǒng)測量方法帶來的諸多不利因素。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- SiPM 測試板偏置電壓源的選擇與考量2025/9/2 15:54:57
- EMC的測試方法有幾種常見2025/8/28 17:25:45
- FCBAG封裝集成電路在失效分析中常用的檢測設(shè)備與技術(shù)2025/8/27 17:03:25
- 高端精密裝備精度測量的核心理論與實用方法2025/8/27 16:31:27
- 揭秘:實用檢測技巧讓你輕松判斷變壓器損壞2025/8/26 16:48:37
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計核心實操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計與干擾抑制核心實操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計要點
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析









