表1是通過eb結(jié)加反向電壓測電阻的一組數(shù)據(jù)，13VFBE及14VFBE、15DELTA是測R總電阻上的電壓差ΔV，16DEF是R總電阻上的電流差ΔI，17R1＋R2是ΔV/ΔI＝R，18VFBE及19VFBE、20DELTA為電阻R1上的電壓差ΔV，21DEF為電阻R1上的電流差ΔI，22R1＝ΔV/ΔI＝R1，23R2＝17R1＋R2－R1＝R2，24R1/R2為R1與R2的比值。表1中數(shù)據(jù)與B370圖示儀曲線不是同一批產(chǎn)品，測R1時，把拐點也包括進去了，測出的R1就不太準(zhǔn)確了。所以每批產(chǎn)品要在B370上先看一下拐點才能正確選取ΔV和ΔI的范圍。

結(jié)論

數(shù)字晶體管內(nèi)置電阻的測試，要有相當(dāng)?shù)膶嶋H經(jīng)驗，才能把電阻測得相當(dāng)準(zhǔn)確，我公司現(xiàn)有測試水平可到1Ω級。

測試時具體情況必須具體對待：（1）對于R1、R2電阻較大的數(shù)字晶體管，電流差ΔI不易取正確，R1、R2電阻過小的，電壓差ΔV不易取正確，這些都會造成R1、R2測試有一定的誤差；（2）選取ΔI及ΔV時如果位置選得不恰當(dāng)，超過R與R1之間的拐點，均會使測試誤差比較大；（3）一般編測試程序前，要在圖示儀上看一下，兩個電阻段的拐點在什么地方，便于正確選取ΔI及ΔV，使R及R1測得較正確；（4）對于R1、R2較大的數(shù)字晶體管，反向測試需加的電壓會相當(dāng)高，對晶體管可靠性會有影響，這時加正向測試比較方便，也可以測得比較正確。