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FQD13N06TM

更新時間:2025-06-19 03:49:35

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產品型號
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廠商
封裝/批號
說明
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

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FQD13N06TM外觀圖

FQD13N06TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD13N06TM 概述

FQD13N06TM是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產的N溝道MOSFET。該器件采用TO-252封裝，適用于中低壓應用場合。這款MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性，使其在電源管理電路中表現(xiàn)出色。其典型應用場景包括直流-直流轉換器、電機驅動、負載開關以及各類功率控制電路。特別是在消費類電子產品和工業(yè)設備中，F(xiàn)QD13N06TM常被用于提高能效和減少熱損耗。在實際應用中，建議關注柵極驅動電壓的設計，確保可靠開啟和關閉MOSFET。對于高頻應用，需優(yōu)化PCB布局以減少寄生電感和電容的影響。在進行電路設計時，應注意適當散熱措施，以維持器件工作溫度在安全范圍內，從而保證長期可靠性。

FQD13N06TM 規(guī)格參數(shù)

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
7.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
310pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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