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  • Vishay推出面向OR-ing應(yīng)用的TrenchFET功率MOSFET

    。除or-ing應(yīng)用外,si4398dy還可用于低功耗整流、直流到直流以及負載點功率轉(zhuǎn)換電路。對于低壓電源,在采用so-8封裝的器件中,si4398dy具有最佳的rds(on)額定值。當功率增加時,采用熱增強型封裝的功率mosfet可在相同占位面積中傳導(dǎo)更多電流,從而可減少應(yīng)用所需的器件數(shù)。在需要冗余電路的交流或直流開關(guān)模式電源中,這可實現(xiàn)通過12v的軌電壓拓撲結(jié)構(gòu)增加功率密度。 為在靜止空氣環(huán)境中實現(xiàn)最佳散熱效果,vishay正在推出采用熱增強型powerpak so-8封裝的si7866adp。si7866adp在10v時最大額定導(dǎo)通電阻值為2.4毫歐,該器件將低傳導(dǎo)損耗與強大可靠的熱性能進行了完美結(jié)合。最大結(jié)到外殼熱阻為1.5℃/w,而標準so-8提供的結(jié)到腳(junction-to-foot)熱阻為16℃/w。除or-ing外,其目標應(yīng)用還包括臺式機電腦中的同步降壓轉(zhuǎn)換器以及低輸出電壓同步整流。 對于使用風(fēng)冷裝置的實施,先前推出的采用polarpak封裝的sie808df(有兩個散熱通道,分別位于該器件的頂部與底部)具有比僅次之的采用雙面冷卻的器件低20%的導(dǎo)通

  • Vishay推出面向OR-ing應(yīng)用的TrenchFET功率...

    8毫歐。除or-ing應(yīng)用外,si4398dy還可用于低功耗整流、直流到直流以及負載點功率轉(zhuǎn)換電路。對于低壓電源,在采用so-8封裝的器件中,si4398dy具有最佳的rds(on)額定值。當功率增加時,采用熱增強型封裝的功率mosfet可在相同占位面積中傳導(dǎo)更多電流,從而可減少應(yīng)用所需的器件數(shù)。在需要冗余電路的交流或直流開關(guān)模式電源中,這可實現(xiàn)通過12v的軌電壓拓撲結(jié)構(gòu)增加功率密度。 為在靜止空氣環(huán)境中實現(xiàn)最佳散熱效果,vishay正在推出采用熱增強型powerpak so-8封裝的si7866adp。si7866adp在10v時最大額定導(dǎo)通電阻值為2.4毫歐,該器件將低傳導(dǎo)損耗與強大可靠的熱性能進行了完美結(jié)合。最大結(jié)到外殼熱阻為1.5℃/w,而標準so-8提供的結(jié)到腳(junction-to-foot)熱阻為16℃/w。除or-ing外,其目標應(yīng)用還包括臺式機電腦中的同步降壓轉(zhuǎn)換器以及低輸出電壓同步整流。 對于使用風(fēng)冷裝置的實施,先前推出的采用polarpak封裝的sie808df(有兩個散熱通道,分別位于該器件的頂部與底部)具有比僅次之的采用雙面冷卻的器件低20%的導(dǎo)通電阻。

  • 面向OR-ing應(yīng)用的功率MOSFET(Vishay)

    用外,si4398dy還可用于低功耗整流、直流到直流以及負載點功率轉(zhuǎn)換電路。 對于低壓電源,在采用 so-8 封裝的器件中,si4398dy具有最佳的 rds(on)額定值。當功率增加時,采用熱增強型封裝的功率 mosfet 可在相同占位面積中傳導(dǎo)更多電流,從而可減少應(yīng)用所需的器件數(shù)。在需要冗余電路的交流或直流開關(guān)模式電源中,這可實現(xiàn)通過 12v 的軌電壓拓撲結(jié)構(gòu)增加功率密度。 為在靜止空氣環(huán)境中實現(xiàn)最佳散熱效果,vishay 正在推出采用熱增強型 powerpak® so-8 封裝的si7866adp。si7866adp在 10v 時最大額定導(dǎo)通電阻值為 2.4 毫歐,該器件將低傳導(dǎo)損耗與強大可靠的熱性能進行了完美結(jié)合。最大結(jié)到外殼熱阻為 1.5°c/w,而標準 so-8 提供的結(jié)到腳(junction-to-foot)熱阻為 16°c/w。除 or-ing 外,其目標應(yīng)用還包括臺式機電腦中的同步降壓轉(zhuǎn)換器以及低輸出電壓同步整流。 對于使用風(fēng)冷裝置的實施,先前推出的采用 polarpak® 封裝的 sie808df(有兩個散熱通道,分別位于該器件的頂部與底部)具有比僅次之的采用雙面

  • Vishay推出面向OR-ing應(yīng)用的TrenchFET功率MOSFET

    2.8毫歐。除or-ing應(yīng)用外,si4398dy還可用于低功耗整流、直流到直流以及負載點功率轉(zhuǎn)換電路。對于低壓電源,在采用so-8封裝的器件中,si4398dy具有最佳的rds(on)額定值。當功率增加時,采用熱增強型封裝的功率mosfet可在相同占位面積中傳導(dǎo)更多電流,從而可減少應(yīng)用所需的器件數(shù)。在需要冗余電路的交流或直流開關(guān)模式電源中,這可實現(xiàn)通過12v的軌電壓拓撲結(jié)構(gòu)增加功率密度。 為在靜止空氣環(huán)境中實現(xiàn)最佳散熱效果,vishay正在推出采用熱增強型powerpak so-8封裝的si7866adp。si7866adp在10v時最大額定導(dǎo)通電阻值為2.4毫歐,該器件將低傳導(dǎo)損耗與強大可靠的熱性能進行了完美結(jié)合。最大結(jié)到外殼熱阻為1.5℃/w,而標準so-8提供的結(jié)到腳(junction-to-foot)熱阻為16℃/w。除or-ing外,其目標應(yīng)用還包括臺式機電腦中的同步降壓轉(zhuǎn)換器以及低輸出電壓同步整流。 對于使用風(fēng)冷裝置的實施,先前推出的采用polarpak封裝的sie808df(有兩個散熱通道,分別位于該器件的頂部與底部)具有比僅次之的采用雙面冷卻的器件低20%的導(dǎo)通電阻。在1

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