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  • Vishay推出首款采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET系列

    ;它在4.5v柵極驅(qū)動時(shí)典型柵極電荷低至13.2 nc,在10v柵極驅(qū)動時(shí)低至28 nc。 與最接近的同類競爭器件相比,這些規(guī)格意味著在4.5v及10v時(shí)柵極電荷分別降低45%與36%,fom降低50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時(shí)更有效的切換,尤其是可讓設(shè)計(jì)人員選擇以更高的頻率工作,從而確保在直流到直流轉(zhuǎn)換器中使用更小的無源元件。 vishay的30v turbofet系列包括采用powerpak 1212-8封裝的新型si7718dn和采用powerpak so-8封裝的si7784dp。兩款mosfet在4.5v和10v時(shí)典型柵極電荷分別為13.7 nc和30 nc,且在4.5v和10v時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積fom分別為112.34 mω-nc和180mω-nc。采用powerpak so-8封裝的20v sis426dn器件sir496dp也可用于大電流應(yīng)用。日前推出的所有器件均無鹵素,且100%通過rg和uis測試。 這些器件將在同步降壓轉(zhuǎn)換器中用作高端mosfet,通過使用負(fù)載點(diǎn)(pol)功率轉(zhuǎn)換有助于節(jié)省筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊(vrm)、服務(wù)器及其他系統(tǒng)的功耗

  • Vishay推出兩款20V和兩款30Vn通道器件SiS426DN和SiR496DP

    0mω-nc;它在4.5v柵極驅(qū)動時(shí)典型柵極電荷低至13.2 nc,在10v柵極驅(qū)動時(shí)低至28 nc。與最接近的同類競爭器件相比,這些規(guī)格意味著在4.5v及10v時(shí)柵極電荷分別降低45%與36%,fom降低50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時(shí)更有效的切換,尤其是可讓設(shè)計(jì)人員選擇以更高的頻率工作,從而確保在直流到直流轉(zhuǎn)換器中使用更小的無源元件。 vishay的30v turbofet系列包括采用powerpak 1212-8封裝的新型si7718dn和采用powerpak so-8封裝的si7784dp。兩款mosfet在4.5v和10v時(shí)典型柵極電荷分別為13.7 nc和30 nc,且在4.5v和10v時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積fom分別為112.34mω-nc和180mω-nc。采用powerpak so-8封裝的20v sis426dn器件sir496dp也可用于大電流應(yīng)用。日前推出的所有器件均無鹵素,且100%通過rg和uis測試。 這些器件將在同步降壓轉(zhuǎn)換器中用作高端mosfet,通過使用負(fù)載點(diǎn)(pol)功率轉(zhuǎn)換有助于節(jié)省筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊(vrm)、服務(wù)器及其他系統(tǒng)的功耗。

  • Vishay Siliconix采用 TurboFET™技術(shù)的第三代功率 MOSFET

    13.2 nc,在 10v 柵極驅(qū)動時(shí)低至 28 nc。與最接近的同類競爭器件相比,這些規(guī)格意味著在 4.5v 及 10v 時(shí)柵極電 荷分別降低 45% 與 36%,fom 降低 50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時(shí)更有效的切換,尤其是可讓設(shè)計(jì)人員選擇以更高的頻率工作,從而確保在直流到直流轉(zhuǎn)換器中使用更小的無源元件。 vishay 的 30v turbofet 系列包括采用 powerpak 1212-8 封裝的新型 si7718dn 和采用 powerpak so-8 封裝的 si7784dp。兩款 mosfet 在 4.5v 和 10v 時(shí)典型柵極電荷分別為 13.7 nc 和 30 nc,且在 4.5v 和 10v 時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積 fom 分別為 112.34 m?-nc 和 180 m?-nc。采用 powerpak so-8 封裝的 20v sis426dn 器件 sir496dp 也可用于大電流應(yīng)用。日前推出的所有器件均無鹵素,且 100% 通過 rg 和 uis 測試。 這些器件將在同步降壓轉(zhuǎn)換器中用作高端 mosfet,通過使用負(fù)載點(diǎn) (pol) 功率轉(zhuǎn)

  • Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET采用TurboFET技術(shù)

    荷低至 13.2 nc,在 10v 柵極驅(qū)動時(shí)低至 28 nc。與最接近的同類競爭器件相比,這些規(guī)格意味著在 4.5v 及 10v 時(shí)柵極電荷分別降低 45% 與 36%,fom 降低 50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時(shí)更有效的切換,尤其是可讓設(shè)計(jì)人員選擇以更高的頻率工作,從而確保在直流到直流轉(zhuǎn)換器中使用更小的無源元件。 vishay 的 30v turbofet 系列包括采用 powerpak 1212-8 封裝的新型 si7718dn 和采用 powerpak so-8 封裝的 si7784dp。兩款 mosfet 在 4.5v 和 10v 時(shí)典型柵極電荷分別為 13.7 nc 和 30 nc,且在 4.5v 和 10v 時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積 fom 分別為 112.34 m-nc 和 180 m-nc。采用 powerpak so-8 封裝的 20v sis426dn 器件 sir496dp 也可用于大電流應(yīng)用。日前推出的所有器件均無鹵素,且 100% 通過 rg 和 uis 測試。 這些器件將在同步降壓轉(zhuǎn)換器中用作高端 mosfet,通過使用負(fù)載點(diǎn) (pol) 功率轉(zhuǎn)換有

  • Vishay推出采用TurboFET技術(shù)MOSFETSiS426DN和SiR496DP

    0mω-nc;它在4.5v柵極驅(qū)動時(shí)典型柵極電荷低至13.2 nc,在10v柵極驅(qū)動時(shí)低至28 nc。與最接近的同類競爭器件相比,這些規(guī)格意味著在4.5v及10v時(shí)柵極電荷分別降低45%與36%,fom降低50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時(shí)更有效的切換,尤其是可讓設(shè)計(jì)人員選擇以更高的頻率工作,從而確保在直流到直流轉(zhuǎn)換器中使用更小的無源元件。 vishay的30v turbofet系列包括采用powerpak 1212-8封裝的新型si7718dn和采用powerpak so-8封裝的si7784dp。兩款mosfet在4.5v和10v時(shí)典型柵極電荷分別為13.7 nc和30 nc,且在4.5v和10v時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積fom分別為112.34mω-nc和180mω-nc。采用powerpak so-8封裝的20v sis426dn器件sir496dp也可用于大電流應(yīng)用。日前推出的所有器件均無鹵素,且100%通過rg和uis測試。 這些器件將在同步降壓轉(zhuǎn)換器中用作高端mosfet,通過使用負(fù)載點(diǎn)(pol)功率轉(zhuǎn)換有助于節(jié)省筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊(vrm)、服務(wù)器及其他系統(tǒng)的功耗。

si7784dp替代型號

SI7633DP SI7462DP SI7456 SI7439DP SI7431DP SI7390DP SI7382DP SI7356DP SI-7300 SI7220DN

SI7866ADP SI8050 SI81206Z SI8205 SI8250 SI8250DK SI8400 SI8440-C-IS SI84XXISO-KIT SI8500

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SI4412DY-T1 SI7634BDP-T1-E3 ST3222CTR SES5VD923-2B SMBJ6.0A-E3/52 SI3456DV-T1 SPD02N50C3 SI2315BDS-T1-GE3 SMBJ30A SM6T39A

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