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當前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>si7192dp 更新時間:2026-04-06 20:33:20

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歷史最低報價：￥16.0000 歷史最高報價：￥16.0000 歷史平均報價：￥16.0000

si7192dp中文資料

  • 一種求解每個熱源功率損耗的新方法

    其他器件都不起作用。 每次我們都使用簡單的直流技術(shù)給一個熱源供電，這樣就可以以非侵入式方式測量熱敏感度的系數(shù)。我們對被測器件（ic，mosfet和電感器）施加直流電壓和電流，迫使器件開始消耗能量，然后測出pj。然后我們使用熱成像攝像機測量表面溫度的？ti，接著就可以用上面的等式（6）計算出sij。 我們使用了新的方法學計算兩個降壓拓撲的主熱源：一個使用sic739d8 drmos ic的集成式功率級，和一個使用兩個mosfet的分立式功率級，在分立式功率級中，si7382dp在高邊，si7192dp在低邊。 a.集成式降壓轉(zhuǎn)換器 圖1 圖1顯示了用于集成式降壓轉(zhuǎn)換器的evb前端。這里有4個熱源：電感器（hs1），驅(qū)動ic（hs2），高邊mosfet（hs3）和低邊mosfet（hs4）。sic739 drmos是一個單芯片解決方案，其內(nèi)部包含的hs2、hs3和hs4靠得非常近。由于這里有4個熱源，因此s是一個4x4矩陣。 圖2顯示了當?shù)瓦卪osfet的體二極管是前向偏置時（ar0x avg. => hsx），4個熱源的溫度。 如果 ta 為 23.3

  • Vishay推出Si7192DP第三代TrenchFET功率MOSFET系列器件

    vishay推出新型第三代 trenchfet 功率 mosfet 系列的首款器件。該器件具有破紀錄的導(dǎo)通電阻性能和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積指標。 新型 trenchfet 第三代 si7192dp 是一款采用 powerpak so-8 封裝的 n 溝道器件，在 4.5v 柵極驅(qū)動電壓下具有 2.25 毫歐的最大導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是 dc-dc 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中 mosfet 的關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)（fom），vishay 推出的si7192dp器件的 fom 值為 98 --- 創(chuàng)造了任何采用 so-8 封裝的 vds = 30v、vgs = 20 v 器件的新的業(yè)界紀錄。與分別為實現(xiàn)低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗而優(yōu)化的最接近的競爭器件相比，vishay的新器件代表了最佳的可用規(guī)格。更低的導(dǎo)通電阻及更低的柵極電荷意味著更低的導(dǎo)通損耗和更低的開關(guān)損耗。 vishay siliconix si7192dp 將作為同步降壓式轉(zhuǎn)換器及次級同步整流和 or-ing 應(yīng)用中的低端 mosfet，其低導(dǎo)通及低開關(guān)損耗將有助于穩(wěn)壓器模塊（vrm）、服務(wù)器及采用負載點（pol） 功率轉(zhuǎn)換器的眾多系統(tǒng)實現(xiàn)更

  • Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件

    vishay推出新型第三代 trenchfet® 功率 mosfet 系列的首款器件。該器件具有破紀錄的導(dǎo)通電阻性能和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積指標。 新型 trenchfet 第三代 si7192dp 是一款采用 powerpak® so-8 封裝的 n 溝道器件，在 4.5v 柵極驅(qū)動電壓下具有 2.25 毫歐的最大導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是 dc-dc 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中 mosfet 的關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)（fom），vishay 推出的si7192dp器件的 fom 值為 98 --- 創(chuàng)造了任何采用 so-8 封裝的 vds = 30v、vgs = 20 v 器件的新的業(yè)界紀錄。與分別為實現(xiàn)低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗而優(yōu)化的最接近的競爭器件相比，vishay的新器件代表了市場上最佳的可用規(guī)格。更低的導(dǎo)通電阻及更低的柵極電荷意味著更低的導(dǎo)通損耗和更低的開關(guān)損耗。 vishay siliconix si7192dp 將作為同步降壓式轉(zhuǎn)換器及次級同步整流和 or-ing 應(yīng)用中的低端 mosfet，其低導(dǎo)通及低開關(guān)損耗將有助于穩(wěn)壓器模塊（vrm）、服務(wù)器及采用負載點（pol）

  • 第三代TrenchFET功率MOSFET器件（Vishay）

    日前，vishay intertechnology, inc.推出新型第三代 trenchfet® 功率 mosfet 系列中的首款器件，該器件具有破紀錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。 新型 trenchfet 第三代 si7192dp 是一款采用 powerpak® so-8 封裝的 n 通道器件，在 4.5v 柵極驅(qū)動電壓時具有 2.25 毫歐的最大導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中針對 mosfet 的關(guān)鍵優(yōu)值 (fom)，該值為 98，是任何采用 so-8 封裝的 vds= 30v、vgs= 20 v 器件的新業(yè)界標準。與分別為實現(xiàn)低導(dǎo)通損失及低開關(guān)損失而優(yōu)化的最接近競爭器件相比，這些代表了市場上最佳的現(xiàn)有規(guī)格。更低的導(dǎo)通電阻及更低的柵極電荷分別可轉(zhuǎn)變成更低的傳導(dǎo)損失及更低的開關(guān)損失。 vishay siliconix si7192dp 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級同步整流及 or-ing 應(yīng)用中作為低端 mosfet。其低導(dǎo)通及開關(guān)損失將使穩(wěn)壓器模塊 (vrm)、服務(wù)器及使用負載點 (pol) 功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)實現(xiàn)功效更高且

si7192dp替代型號

SI7137DP SI7135DP SI7114DN SI7110DN SI5905DC SI5853DC-T1 SI550 SI5447DC SI5338-EVB SI5315

SI7220DN SI-7300 SI7356DP SI7382DP SI7390DP SI7431DP SI7439DP SI7456 SI7462DP SI7633DP

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SN74AVC1T45DCKR SI3552DV-T1-E3 SSM6J402TU SI9435BDY-T1-E3 SN75HVD10DR SC1102CS SN74F04DR SI4431CDY-T1-E3 SI7682DP-T1-E3 SP485REN-L/TR

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