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SI5509DC-T1-E3
3500
SOT238/2023+
原裝現(xiàn)貨 假一罰十
SI5504BDC
150000
12068/21+
原裝現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢，支持bom表配單
SI5504DC-T1
5000
SOP8/2021+
原裝價(jià)格優(yōu)正規(guī)渠道可開票可長期供貨
SI550
8700
-/23+
原裝現(xiàn)貨
SI550
5000
-/-
原裝，配單能手
SI550
2000
-/25+
只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務(wù)
SI550
10000
-/25+
提供一站式配單服務(wù)
SI550
5000
-/23+
優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨
SI550
8300
-/22+
原裝現(xiàn)貨，配單能手
SI550
3588
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原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
SI550
5000
-/22+
一站式配單，只做原裝
SI550
41101
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大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務(wù)
SI550
5000
-/-
原裝正品，配單能手
SI550
3000
-/N/A
原裝正品熱賣，價(jià)格優(yōu)勢
SI550
23412
-/23+
提供一站式配單服務(wù)
SI550
65286
-/21+
全新原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)，免費(fèi)送樣
SI550
9200
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只做原裝更多數(shù)量在途訂單
SI550
5000
-/24+
優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)
SI550
60701
-/24+
深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照
SI550
5480
-/22+
原裝
SI550
Silicon Laboratories [VOLTAGE-CONTR...
SILABS
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SI5504DC
Complementary 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY
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Si5504DC
Complementary 30-V (D-S) MOSFET
VISAY [Vishay Siliconix]
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SI5509DC
Vishay Siliconix [N- and P-Channel ...
VISAY
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Si5504BDC
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
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SI5504DC-T1-E3
MOSFET, DUAL, NP, 8-1206; Transistor...
Vishay
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silicon laboratories今日宣布以si530 和 si550 系列的振蕩器 (xos) 和壓控振蕩器 (vcxos) 進(jìn)入頻率控制市場，這些振蕩器適用於頻率高達(dá) 1.4 ghz的應(yīng)用。這些產(chǎn)品系列包括業(yè)界首例四頻 xo 和 vcxo 器件系列。應(yīng)用該公司獲得業(yè)界認(rèn)可的 dspll® 技術(shù)，si550 和 si530 系列提供業(yè)界最短生產(chǎn)周期、最高可靠性和最優(yōu)性能，成為應(yīng)用于如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、基站、測試和測量設(shè)備、存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)和視頻系統(tǒng)的理想產(chǎn)品。 silicon laboratories 采用 dspll 專利技術(shù)，簡化了高速電信系統(tǒng)應(yīng)用要求的時(shí)鐘倍頻和抖動(dòng)衰減電路。當(dāng)前，此技術(shù)是用單一 ic 取代多個(gè)分立相位鎖定環(huán) (pll) 元件的標(biāo)準(zhǔn)，該單一 ic 集成了數(shù)字信號(hào)處理 (dsp) 電路和一個(gè)超低抖動(dòng)壓控振蕩器。 silicon laboratories 使用優(yōu)化的 dspll 技術(shù)，能夠?qū)㈩l率控制和調(diào)諧從復(fù)雜的諧振器移動(dòng)到單一的 cmos ic 上，使 si530 和 si550 系列能夠提供一定時(shí)間和溫度范圍內(nèi)整體的頻率穩(wěn)定性，這比傳統(tǒng)的高頻率、低抖
控振蕩頻率fi發(fā)生變化時(shí)盡量保持穩(wěn)定。通常令fi＝f1 －fc。鑒頻器的作用是檢測中頻的頻偏，并輸出誤差電壓。閉環(huán)時(shí)，輸出誤差電壓使受控振蕩器的振蕩頻率偏離減小，從而把中頻拉向額定值。這種頻率負(fù)反饋?zhàn)饔媒?jīng)過afc環(huán)反復(fù)循環(huán)調(diào)節(jié)，最后達(dá)到平衡狀態(tài)，從而使系統(tǒng)的工作頻 率保持穩(wěn)定且偏差很小 。早期的afc環(huán)用于自動(dòng)調(diào)諧接收機(jī) ，以簡化接收機(jī)的調(diào)諧手續(xù)，并使它在發(fā)射信號(hào)頻 率不穩(wěn)定時(shí)也能進(jìn)行穩(wěn)定接收。silicon laboratories近日宣布進(jìn)軍頻率控制市場，并推出用于1.4ghz的si530和si550振蕩器（xo）和壓控振蕩器（vcxo）系列。這些產(chǎn)品系列中包含業(yè)內(nèi)首批四頻振蕩器和壓控振蕩器，適用于網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、基站、測試和測量設(shè)備、存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)及視頻系統(tǒng)等應(yīng)用。 si530和si550系列采用silicon laboratories的dspll專利技術(shù)，能將頻率控制和調(diào)諧從復(fù)雜的共振器轉(zhuǎn)移到單一的cmos ic上，讓si530和si550系列可以隨時(shí)間和溫度變化提供完全的頻率穩(wěn)定性，較傳統(tǒng)的低抖動(dòng)高頻振蕩器的穩(wěn)定性提升2倍之多。高頻振蕩器，包括一參考振蕩器（6）和一具有相位頻率檢測器（1）
silicon laboratories公司推出的晶體振蕩器(xo)和壓控晶體振蕩器(vcxo)，為si530和si550系列產(chǎn)品，工作頻率范圍在10mhz至1.4ghz之間，rms抖動(dòng)低于0.3ps，可提供高線性度的控制電壓及寬范圍的電壓增益選擇。新產(chǎn)品采用該公司的dspll技術(shù)，集成了dsp和vcxo單片cmos ic可替代多個(gè)分立的pll器件。 據(jù)該公司稱，si530和si550系列產(chǎn)品針對(duì)于時(shí)間和溫度的頻穩(wěn)度是傳統(tǒng)高頻、低抖動(dòng)振蕩器的2倍，基于dspll頻率的調(diào)諧精度是傳統(tǒng)高頻saw或晶體諧振器的10倍。該混合信號(hào)ic具有頻率合成能力，可消除傳統(tǒng)頻率調(diào)諧所需的復(fù)雜材料的處理工程，簡化制造工藝，可將交貨周期8周縮短至1周。 si530和si550器件符合rohs要求，采用7×5mm表面貼裝封裝，支持pecl、lvds、cmos和cml輸出。si530和si550的批量達(dá)1千片時(shí)，單價(jià)為6.05美元至88.95美元(僅供參考)，目前提供樣片，預(yù)計(jì)2005年第四季度量產(chǎn)。 來源:小草
silicon laboratories近日宣布進(jìn)軍頻率控制市場，并推出用于1.4ghz的si530和si550振蕩器(xo)和壓控振蕩器(vcxo)系列。這些產(chǎn)品系列中包含業(yè)內(nèi)首批四頻振蕩器和壓控振蕩器，適用于網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、基站、測試和測量設(shè)備、存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)及視頻系統(tǒng)等應(yīng)用。 si530和si550系列采用silicon laboratories的dspll專利技術(shù)，能將頻率控制和調(diào)諧從復(fù)雜的共振器轉(zhuǎn)移到單一的cmos ic上，讓si530和si550系列可以隨時(shí)間和溫度變化提供完全的頻率穩(wěn)定性，較傳統(tǒng)的低抖動(dòng)高頻振蕩器的穩(wěn)定性提升2倍之多。與以傳統(tǒng)高頻 saw 或晶體共振器為基礎(chǔ)的設(shè)計(jì)相比較，以dspll為基礎(chǔ)的頻率調(diào)諧也可使初始頻率更加準(zhǔn)確。 si530和si550系列充分運(yùn)用混合信號(hào)ic的頻率合成功能，簡化了調(diào)諧傳統(tǒng)saw和晶體裝置頻率所需的復(fù)雜材料工序，將傳統(tǒng)生產(chǎn)周期由8周減少到1周。 振蕩器和壓控振蕩器產(chǎn)品系列的操作頻率均為10mhz至1.4ghz，rms抖動(dòng)低于0.35ps。si530和si550系列也提供大幅改進(jìn)的控制電壓線性度，以及廣泛的電壓增益選項(xiàng)，讓設(shè)計(jì)人
silicon laboratories公司推出高可靠性、高性能的晶體振蕩器(xo)和壓控晶體振蕩器(vcxo)，為si530和si550系列產(chǎn)品，是業(yè)界首款4頻率的xo和vcxo器件。 si530和si550產(chǎn)品系列的工作頻率范圍在10mhz至1.4ghz之間，rms抖動(dòng)低于0.3ps，可提供高線性度的控制電壓及寬范圍的電壓增益選擇。該產(chǎn)品采用該公司的dspll技術(shù)，其集成了dsp和超低抖動(dòng)的vcxo單片cmos ic可替代多個(gè)分立的pll器件。 si530和si550系列產(chǎn)品針對(duì)于時(shí)間和溫度的頻穩(wěn)度是傳統(tǒng)高頻、低抖動(dòng)振蕩器的2倍，基于dspll頻率的調(diào)諧精度是傳統(tǒng)高頻saw或晶體諧振器的10倍。 該混合信號(hào)ic具有頻率合成能力，可消除傳統(tǒng)頻率調(diào)諧所需的復(fù)雜材料的處理工程，簡化了制造工藝，因而可將交貨周期8周縮短至1周。si530和si550器件符合rohs要求，采用7×5mm表面貼裝封裝，支持pecl、lvds、cmos和cml輸出。
，25℃時(shí)的頻率穩(wěn)定性為±50ppm。它們都密封在陶瓷表面封裝中，可承受tpms應(yīng)用中強(qiáng)烈的沖擊、振動(dòng)、墜落和加速度要求。 這些晶振在-40℃至125℃范圍內(nèi)有極好的穩(wěn)定啟動(dòng)特性。nx5032sd可減小電磁干擾，這在集線器應(yīng)用中是很關(guān)鍵的。兩款晶振都符合rohs要求，支持無鉛回流焊。10,000片采購時(shí)，nx5032sd和nx8045gb(有卷帶和盤式包裝)單價(jià)分別為55美分和43美分(僅供參考)，訂貨時(shí)間12周。 silicon laboratories公司也于日前推出新款si530和si550系列晶體振蕩器(xo)和壓控晶體振蕩器(vcxo)，工作頻率范圍在10mhz至1.4ghz之間，rms抖動(dòng)低于0.3ps，可提供高線性度的控制電壓及寬范圍的電壓增益選擇。新產(chǎn)品采用該公司的dspll技術(shù)，集成了dsp和vcxo單片cmos ic可替代多個(gè)分立的pll器件。據(jù)稱該公司si530和si550系列產(chǎn)品針對(duì)于時(shí)間和溫度的頻率穩(wěn)定度是傳統(tǒng)高頻、低抖動(dòng)振蕩器的2倍，基于dspll頻率的調(diào)諧精度是傳統(tǒng)高頻saw或晶體諧振器的10倍。 si530和si550器件也符合rohs要求，采用7×5
silicon laboratories公司推出的晶體振蕩器(xo)和壓控晶體振蕩器(vcxo)，為si530和si550系列產(chǎn)品，工作頻率范圍在10mhz至1.4ghz之間，rms抖動(dòng)低于0.3ps，可提供高線性度的控制電壓及寬范圍的電壓增益選擇。新產(chǎn)品采用該公司的dspll技術(shù)，集成了dsp和vcxo單片cmos ic可替代多個(gè)分立的pll器件。 據(jù)該公司稱，si530和si550系列產(chǎn)品針對(duì)于時(shí)間和溫度的頻穩(wěn)度是傳統(tǒng)高頻、低抖動(dòng)振蕩器的2倍，基于dspll頻率的調(diào)諧精度是傳統(tǒng)高頻saw或晶體諧振器的10倍。該混合信號(hào)ic具有頻率合成能力，可消除傳統(tǒng)頻率調(diào)諧所需的復(fù)雜材料的處理工程，簡化制造工藝，可將交貨周期8周縮短至1周。
0ppm。它們都密封在陶瓷表面封裝中，可承受tpms應(yīng)用中強(qiáng)烈的沖擊、振動(dòng)、墜落和加速度要求。 這些晶振在-40℃至125℃范圍內(nèi)有極好的穩(wěn)定啟動(dòng)特性。nx5032sd可減小電磁干擾，這在集線器應(yīng)用中是很關(guān)鍵的。兩款晶振都符合rohs要求，支持無鉛回流焊。10,000片采購時(shí)，nx5032sd和nx8045gb(有卷帶和盤式包裝)單價(jià)分別為55美分和43美分(僅供參考)，訂貨時(shí)間12周。 silicon laboratories公司也于日前推出新款si530和si550系列晶體振蕩器(xo)和壓控晶體振蕩器(vcxo)，工作頻率范圍在10mhz至1.4ghz之間，rms抖動(dòng)低于0.3ps，可提供高線性度的控制電壓及寬范圍的電壓增益選擇。新產(chǎn)品采用該公司的dspll技術(shù)，集成了dsp和vcxo單片cmos ic可替代多個(gè)分立的pll器件。據(jù)稱該公司si530和si550系列產(chǎn)品針對(duì)于時(shí)間和溫度的頻率穩(wěn)定度是傳統(tǒng)高頻、低抖動(dòng)振蕩器的2倍，基于dspll頻率的調(diào)諧精度是傳統(tǒng)高頻saw或晶體諧振器的10倍。
dspll石英振蕩器和壓控石英振蕩器的標(biāo)準(zhǔn)at型石英晶體更易受到溫度影響，因此dspll元器件的頻率穩(wěn)定性通常比saw元器件高出五倍，也勝過hff解決方案兩成左右。 老化穩(wěn)定性代表頻率隨著時(shí)間而“漂移”的程度。老化影響與振蕩頻率都與石英片的大小成反比，因此越厚的石英通常頻率穩(wěn)定性就越不易受到時(shí)間 (老化) 影響，振蕩頻率也越低。相形之下，傳統(tǒng)hff振蕩器必須使用更薄和更脆弱的石英，它們更容易受到封裝雜質(zhì)影響，機(jī)械強(qiáng)固性也更差。就以silicon laboratories si530 (xo) 和si550 (vcxo) 所用的116.4 mhz三階諧波 (third overtone) 石英晶體為例，其石英振子的厚度約為155 mhz hff石英晶體的四倍，因此si530和si550的老化效能通常會(huì)比采用hff的解決方案高出四倍。另外，si530/si550每年1 ppm的長期頻率穩(wěn)定性 (老化) 更比每年通常為10 ppm的saw元器件好十倍。 可選擇式控制斜率簡化壓控石英振蕩器設(shè)計(jì)和提高穩(wěn)定性 利用hff石英晶體或saw技術(shù)實(shí)作的壓控振蕩器通常會(huì)通過變?nèi)萜鱽碚{(diào)整或拉動(dòng)振蕩器的輸出頻率。設(shè)計(jì)人
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