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ESD9B5.0ST5G
TVS DIODE 5VWM SOD923
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量將因此增加。在以下的討論中，鉗位電壓被定義為第二峰值的最大電壓。 幾種保護二極管的比較 為了進行公平的比較，所選元器件應當有相似的封裝尺寸和參數(shù)指標。用來比較的是三只esd保護二極管，當對它們的電特性進行比較時，認為這些器件可以彼此互換。這些器件都是雙向的esd保護器件，具有同樣的擊穿電壓(6.8 v)、電容(15 pf)和封裝外形(1.0 × 0.6 × 0.4 mm)。這里所選擇的產(chǎn)品分別是競爭對手1的rsb6.8cs、競爭對手2的pg05dbtfc和安森美半導體的esd9b5.0st5g。 當對以上器件的dc性能進行比較的時候，結果看起來似乎是相同的(參見圖2所示曲線)。此外，它們都聲稱符合iec61000-4-2第4級標準，這就意味著它們將都經(jīng)受住高達8 kv接觸電壓的esd沖擊。確保保護敏感ic的esd保護器件至關重要的性能不是dc性能; 盡管器件符合iec61000-4-2的第4級標準是重要，但更重要的是保護ic。為確保在esd事件期間ic沒有被損壞，保護二極管必須把esd電壓鉗位至足夠低的值，使ic不會損壞。 圖2：三種esd器件的dc特性對比。
間較長，被測ic承受的能量將因此增加。在以下的討論中，箝位電壓被定義為第二峰值的最大電壓。 幾種保護二極管的比較 為了進行公平的比較，所選元器件應當有相似的封裝尺寸和參數(shù)指標。用來比較的是三只esd保護二極管，當對它們的電特性進行比較時，認為這些器件可以彼此互換。這些器件都是雙向的esd保護器件，具有同樣的擊穿電壓(6.8v)、電容(15pf)和封裝外形(1.0×0.6×0.4 mm)。這里所選擇的產(chǎn)品分別是競爭對手１的rsb6.8cs、競爭對手２的pg05dbtfc和安森美半導體的esd9b5.0st5g。 當對以上器件的dc性能進行比較的時候，結果看起來似乎是相同的(參見圖2所示曲線)。此外，它們都聲稱符合iec61000-4-2第4級標準，這就意味著它們將都經(jīng)受住高達8kv接觸電壓的esd沖擊。 圖2：三種esd器件的dc特性對比。 為了比較每個器件的箝位性能，利用示波器來抓取esd發(fā)生期間的電壓波形。利用完全相同的測試條件，對上述器件進行并排測試。圖3中顯示出每個二極管對正/負esd脈沖的響應曲線。所用的輸入脈沖為iec61000-4-2 level 4的標準接觸電壓
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