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當前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>esd5z6.0t1 更新時間:2026-04-11 08:37:37

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  • 安森美微型封裝電壓抑制器件

    安森美半導體（on semiconductor）推出全新高性能、微型封裝的靜電放電（esd）保護二極管系列，專為便攜式產(chǎn)品和電池供電應(yīng)用中電壓敏感元件提供單線保護而設(shè)計。 新系列中的五個esd5z器件包括esd5z2.5t1（2.5 v）, esd5z3.3t1（3.3 v）, esd5z5.0t1 （5.0 v）, esd5z6.0t1（6.0 v）和esd5z7.0t1（7.0 v）。這些器件為鉗制快速上升的esd脈沖而設(shè)計，防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kv的輸入波形（符合 iec61000-4-2 標準）將在幾納秒鐘內(nèi)被esd5z 系列器件鉗制到7v以下 。這些器件尺寸小，便于放置在esd 可進入系統(tǒng)的輸入/輸出端口附近，因此可在瞬態(tài)電壓耦合到板上其它部分之前將其抑制。在關(guān)閉狀態(tài)下，這些esd5z器件的泄漏電流僅為5 納安（na）之低，因此是極重要的節(jié)電應(yīng)用的理想選擇 。這些器件也適用于保護電壓敏感元件，防止電源線上的負載開關(guān)產(chǎn)生瞬流，并且可以在8 x 20 微秒（μsec）的脈沖波形內(nèi)耗散200 w。 esd5z 器件采用超小的sod-523

  • 安森美半導體推出微型封裝電壓抑制器件

    z器件系列為便攜式產(chǎn)品和電池供電應(yīng)用提供單線保護，具有優(yōu)異的esd 鉗制性能，占位面積僅1.6 mm x 0.8 mm 2005年2月28日-安森美半導體(on semiconductor，美國納斯達克上市代號：onnn)推出全新高性能、微型封裝的靜電放電(esd)保護二極管系列，專為便攜式產(chǎn)品和電池供電應(yīng)用中電壓敏感元件提供單線保護而設(shè)計。 新系列中的五個esd5z器件包括esd5z2.5t1(2.5 v), esd5z3.3t1(3.3 v), esd5z5.0t1 (5.0 v), esd5z6.0t1(6.0 v)和esd5z7.0t1(7.0 v)。這些器件為鉗制快速上升的esd脈沖而設(shè)計，防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kv的輸入波形(符合 iec61000-4-2 標準)將在幾納秒鐘內(nèi)被esd5z 系列器件鉗制到7v以下 。這些器件尺寸小，便于放置在esd 可進入系統(tǒng)的輸入/輸出端口附近，因此可在瞬態(tài)電壓耦合到板上其它部分之前將其抑制。在關(guān)閉狀態(tài)下，這些esd5z器件的泄漏電流僅為5 納安(na)之低，因此是極重要的節(jié)電應(yīng)用的理想選擇 。這些器件也適用于保護電壓敏感元件，防止電

  • ESD5Z6.0T1G的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號:ESD5Z6.0T1G
    雪崩電壓VBR Min.(V):6.800
    雪崩電壓VBR Nom.(V):－
    雪崩電壓VBR Max.(V):－
    IT(mA):1
    峰值反向工作電壓VRWM(V):6
    最大反向漏電流IR(uA):0.010
    最大反向電壓(鉗位電壓)VC(V):20.500
    最大反向浪涌電...

  • 安森美半導體推出微型封裝電壓抑制器件

    近日，安森美半導體（on semiconductor，美國納斯達克上市代號：onnn）推出全新高性能、微型封裝的靜電放電（esd）保護二極管系列，專為便攜式產(chǎn)品和電池供電應(yīng)用中電壓敏感元件提供單線保護而設(shè)計。 新系列中的五個esd5z器件包括esd5z2.5t1（2.5 v）, esd5z3.3t1（3.3 v）, esd5z5.0t1 （5.0 v）, esd5z6.0t1（6.0 v）和esd5z7.0t1（7.0 v）。這些器件為鉗制快速上升的esd脈沖而設(shè)計，防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kv的輸入波形（符合 iec61000-4-2 標準）將在幾納秒鐘內(nèi)被esd5z 系列器件鉗制到7v以下 。這些器件尺寸小，便于放置在esd 可進入系統(tǒng)的輸入/輸出端口附近，因此可在瞬態(tài)電壓耦合到板上其它部分之前將其抑制。在關(guān)閉狀態(tài)下，這些esd5z器件的泄漏電流僅為5 納安（na）之低，因此是極重要的節(jié)電應(yīng)用的理想選擇 。這些器件也適用于保護電壓敏感元件，防止電源線上的負載開關(guān)產(chǎn)生瞬流，并且可以在8 x 20 微秒（μsec）的脈沖波形內(nèi)耗散200 w。 esd

  • 安森美微型ESD保護二極管針對便攜式應(yīng)用（圖）

    安森美半導體公司(on semiconductor)日前推出一款高性能、微型封裝的靜電放電(esd)保護二極管系列產(chǎn)品，專為手機、pda和mp3播放器等便攜式產(chǎn)品和電池供電應(yīng)用中電壓敏感元件提供單線保護而設(shè)計。 新系列中的五個esd5z器件包括esd5z2.5t1 (2.5v)、esd5z3.3t1 (3.3v)、esd5z5.0t1 (5.0v)、esd5z6.0t1(6.0v)和esd5z7.0t1 (7.0v)。這些器件為鉗制快速上升的esd脈沖而設(shè)計，防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30kv的輸入波形(符合iec61000-4-2標準)將在幾納秒鐘內(nèi)被esd5z系列器件鉗制到7v以下。 這些器件尺寸小，便于放置在esd可進入系統(tǒng)的輸入/輸出端口附近，因此可在瞬態(tài)電壓耦合到板上其它部分之前將其抑制。在關(guān)閉狀態(tài)下，這些esd5z器件的泄漏電流僅為5納安(na)，因此非常適合于節(jié)電應(yīng)用。這些器件也適用于保護電壓敏感元件，防止電源線上的負載開關(guān)產(chǎn)生瞬流，并且可以在8×20微秒(μsec)的脈沖波形內(nèi)耗散200w。 esd5z系列的性能優(yōu)于常用的多層變阻器(mlv)，同時還保持

esd5z6.0t1替代型號

ESD5Z5.0T1G ESD5Z5.0T1 ESD5Z3.3T1G ESD5Z3.3T1 ESD5Z2.5T1G ESD5Z2.5T1 ESD5Z12T1G ESD11N5.0ST5G ESD11B5.0ST5G ESD0P8RFL

ESD5Z6.0T1G ESD5Z7.0T1 ESD5Z7.0T1G ESD7L5.0DT5G ESD8V0L1B-02LRH ESD9B5.0ST5G ESD9L5.0ST5G ESD9X12ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X5.0ST5G

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