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軍用單位指定合供方/只做原裝,自家現(xiàn)貨
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原裝現(xiàn)貨,支持BOM配單
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提供一站式配單服務(wù)
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專注原裝價(jià)格優(yōu)量大可定歡迎惠顧(長(zhǎng)期高價(jià)回收全新
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一級(jí)代理專營(yíng)品牌原裝,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
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原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一罰十。
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Industry Standard Single Channel 6 P...
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Optoisolator Transistor with Base Ou...
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Optoisolator Transistor with Base Ou...
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QT [QT Optoelectronics]
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3單片機(jī)電路 施密特電壓比較器輸出的是通過(guò)前端輸入電路處理后的換檔信號(hào),而其后的單片機(jī)電路的作用是根據(jù)換檔信號(hào)結(jié)合機(jī)車的其它參數(shù)來(lái)決定機(jī)車是否進(jìn)行換檔。 3.1單片機(jī)電路的構(gòu)成 單片機(jī)電路由80c31芯片、6264組成的只讀存儲(chǔ)器rom、由74hc373驅(qū)動(dòng)的led顯示燈(機(jī)車狀態(tài)指示電路)和基于8155的輸入輸出電路組成。由于完整的單片機(jī)電路比較復(fù)雜,所以只給出了參與自動(dòng)換檔控制的部分,其電路連接如圖3所示。 該電路工作時(shí),機(jī)車換檔信號(hào)經(jīng)過(guò)一個(gè)光電耦合器4n26輸入到單片機(jī)p1口的p1.5腳,使用光電耦合器的目的是避免從電源傳過(guò)來(lái)的干擾信號(hào)。由集成塊74hc373驅(qū)動(dòng)的8個(gè)led,可顯示機(jī)車所處的檔 位以及正在運(yùn)行的程序段,從而使駕駛員和技術(shù)維修人員了解機(jī)車的狀態(tài)。 8155的作用是輸出控制換檔閥工作信號(hào),該信號(hào)在經(jīng)過(guò)輸出放大芯片的功率放大后可直接驅(qū)動(dòng)換檔執(zhí)行元件以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)換檔。單片機(jī)的p2.5~p2.7三個(gè)引腳信號(hào)經(jīng)過(guò)74hc138譯碼后,可分別作為只讀存儲(chǔ)器、8155輸入輸出芯片以及74hc373的片選信號(hào),這三個(gè)引腳構(gòu)成了訪問(wèn)這三個(gè)器件時(shí)的高三位
tlp631是光電耦合器電路,為6腳雙列直插式塑料封裝,可用4n25、4n26、4n27、4n28、4n35、4n36、4n37、tlp503、tlp508、tlp531、tlp535、til111/112/114/115/116/117、pc503、pc613等直接代換,其在日立cpt2125sf/du彩電、龍霸系列大屏幕彩電上的正常工作電壓典型檢測(cè)數(shù)據(jù)如表所列,用mf14型三用表測(cè)得(dc擋)。 表 tlp631在日立cpt2125sf/du彩電、龍霸系列大屏幕彩電上的檢測(cè)數(shù)據(jù) 來(lái)源:ks99
使tvp內(nèi)部的發(fā)光二極管熄滅,光敏晶體管截止,ic的4腳變?yōu)楦唠娖剑蒳c和r1、r2、c1組成的振蕩器振蕩工作,驅(qū)動(dòng)bl發(fā)出報(bào)警聲。 將該報(bào)警器用于監(jiān)控長(zhǎng)度較長(zhǎng)的電纜時(shí),應(yīng)適當(dāng)調(diào)節(jié)rp及r3的陛值萬(wàn),使ic的4腳電壓低于復(fù)位電平0.4v。 元器件選擇 r1~r3選用1/4w金屬膜電阻器或碳膜電阻器。 rp選用實(shí)心可變電阻器。 c1選用獨(dú)石電容器或滌綸電容器;c2選用耐壓值為16v的鋁電解電容器。 ic選用ne555,或lm555、cd7555型時(shí)基集成電路。 vlc選用4n25或4n26、4n35型光耦合器。 bl選用0.25w、8ω的電動(dòng)式揚(yáng)聲器。 gb使用小容量免維護(hù)蓄電池或直流穩(wěn)壓電源。 s選用單極撥動(dòng)式開(kāi)關(guān)。 來(lái)源:零八我的愛(ài)
二極管熄滅,vlc內(nèi)部的光敏晶體管截止,音頻振蕩器振蕩工作,bl發(fā)出報(bào)警聲,vl2閃爍發(fā)光。 元器件選擇 rl和r2均選用1/2w金屬膜電阻器;r3和r4均選用1/4w金屬膜電阻器。 cl選用耐壓值為450v的cbb電容器或滌綸電容器;c2選用獨(dú)石電容器。 vd選用1n4007型硅整流二極管。 vll和vl2選用φ3mm或φ5mm的高亮度發(fā)光二極管,vll為綠色,vu為紅色。 vl選用s9013型硅npn晶體管;v2選用c8550或s8550型硅pnp晶體管。 vlc選用4n25或4n26型光耦合器。 s選用小型單極撥動(dòng)式開(kāi)關(guān)。 bl選用0.25w、8ω的微型電動(dòng)式揚(yáng)聲器。 來(lái)源:零八我的愛(ài)
膜電阻器;r4選用1/4w金屬膜電阻器。 cl和c2均選用鋁電解電容器,cl的耐壓值為16v,c2的耐壓值為25v。 vdl-vdl3均選用1n4007型硅整流二極管。 vs選用1/2w、7.5v的硅穩(wěn)壓二極管。 v選用c8050或s8050、3dg8050型硅npn晶體管。 ic選用lm7812型三端穩(wěn)壓集成電路。 k選用jrx-l3f型、l2v直流繼電器。 km選用線圈電壓為220v的交流接觸器,其觸頭容量應(yīng)根據(jù)發(fā)電機(jī)組和負(fù)載的功率合理選用。 vlcl-vlc3選用4n25或4n26型光耦合器。 來(lái)源:零八我的愛(ài)
雙列直插16腳
近期,光電耦合器4n26是各大ic電子市場(chǎng)的熱門(mén)搜索之一。詢問(wèn)價(jià)和需求的人都比較多,商戶報(bào)價(jià)也比較積極。市面上散新和原裝都有報(bào)價(jià),總體來(lái)說(shuō),目前該型號(hào)不存在缺貨現(xiàn)象。散新,參考報(bào)價(jià)區(qū)間為:3.00元/pcs---5.00元/pcs,量少零售參考價(jià)格5.00元/ pcs,1k以上參考價(jià)格為3.00元/ pcs。原裝,參考報(bào)價(jià)為:12.00元/pcs(僅供參考。 lite-on品牌在市場(chǎng)上也占據(jù)了一定的地位,市場(chǎng)的銷售量比較穩(wěn)定。 基本參數(shù): 制造商編號(hào):4n26 制造商:lite-on 描述:optoisolator w/base 6-dip 通道數(shù):1 輸入類型:dc 電壓-隔離:1500vrms 電流傳輸比(最小值):20% @ 10ma 輸出電壓:30v 電流-輸出/通道:100ma 電流- dc正向(if):80ma vce飽和(最大):500mv 輸出類型:有基極的晶體管 安裝類型:通孔 封裝/外殼:6-dip 包裝:管件
類別 型 號(hào) 內(nèi)部電路 第一類 pc817 pc818 pc810 pc812pc502 ltv817 tlp521-1tlp621-1 on3111 oc617ps2401-1 gic5102 第二類 tlp632 tlp532 tlp519tlp509 pc504 pc614 pc714 ps208b ps2009bps2018 ps2019 第三類 tlp503 tlp508 tlp531pc613 4n25 4n26 4n274n28 4n35 4n36 4n37til111 til112 til114til115 til116 til117tlp631 tlp535 第四類 tlp551 tlp651 tlp751pc618 ps2006b 6n1356n136 表1 二、光電耦合器的檢測(cè)方法(不在路時(shí)): 1.電阻檢測(cè)法(見(jiàn)表2) 2.加電檢測(cè)法,在光電耦合器的初級(jí),即第1~3類的①~②腳間或第4類的②~③
耦合器的型號(hào)及參數(shù),選取原則如下:(1)光耦合器的電流傳輸比(ctr)的允許范圍是50%~200%。這是因?yàn)楫?dāng)ctr<50%時(shí),光耦中的led就需要較大的工作電流(if>5.0ma),才能正??刂茊纹_(kāi)關(guān)電源ic的占空比,這會(huì)增大光耦的功耗。若ctr>200%,在啟動(dòng)電路或者當(dāng)負(fù)載發(fā)生突變時(shí),有可能將單片開(kāi)關(guān)電源誤觸發(fā),影響正常輸出。(2)推薦采用線性光耦合器,其特點(diǎn)是ctr值能夠在一定范圍內(nèi)做線性調(diào)整。(3)由英國(guó)埃索柯姆(isocom)公司、美國(guó)摩托羅拉公司生產(chǎn)的4n××系列(如4n25 、4n26、4n35)光耦合器,目前在國(guó)內(nèi)應(yīng)用地十分普遍。鑒于此類光耦合器呈現(xiàn)開(kāi)關(guān)特性,其線性度差,適宜傳輸數(shù)字信號(hào)(高、低電平),因此不推薦用在開(kāi)關(guān)電源中。4.通用型與達(dá)林頓型光耦合器區(qū)分4.1方法之一在通用型光耦合器中,接收器是一只硅光電半導(dǎo)體管,因此在b-e之間只有一個(gè)硅pn結(jié)。達(dá)林頓型不然,它由復(fù)合管構(gòu)成,兩個(gè)硅pn結(jié)串聯(lián)成復(fù)合管的發(fā)射結(jié)。根據(jù)上述差別,很容易將通用型與達(dá)林頓型光耦合器區(qū)分開(kāi)來(lái)。具體方法是,將萬(wàn)用表?yè)苤羠×100檔,黑表筆接b極,紅表筆接e極,采用讀取電壓法求出發(fā)射結(jié)正向電壓vbe
原則如下: (1)光耦合器的電流傳輸比(ctr)的允許范圍是50%~200%。這是因?yàn)楫?dāng)ctr<50%時(shí),光耦中的led就需要較大的工作電流(if>5.0ma),才能正常控制單片開(kāi)關(guān)電源ic的占空比,這會(huì)增大光耦的功耗。若ctr>200%,在啟動(dòng)電路或者當(dāng)負(fù)載發(fā)生突變時(shí),有可能將單片開(kāi)關(guān)電源誤觸發(fā),影響正常輸出。 (2)推薦采用線性光耦合器,其特點(diǎn)是ctr值能夠在一定范圍內(nèi)做線性調(diào)整。 (3)由英國(guó)埃索柯姆(isocom)公司、美國(guó)摩托羅拉公司生產(chǎn)的4n××系列(如4n25 、4n26、4n35)光耦合器,目前在國(guó)內(nèi)應(yīng)用地十分普遍。鑒于此類光耦合器呈現(xiàn)開(kāi)關(guān)特性,其線性度差,適宜傳輸數(shù)字信號(hào)(高、低電平),因此不推薦用在開(kāi)關(guān)電源中。 4.通用型與達(dá)林頓型光耦合器區(qū)分 4.1方法之一 在通用型光耦合器中,接收器是一只硅光電半導(dǎo)體管,因此在b-e之間只有一個(gè)硅pn結(jié)。達(dá)林頓型不然,它由復(fù)合管構(gòu)成,兩個(gè)硅pn結(jié)串聯(lián)成復(fù)合管的發(fā)射結(jié)。根據(jù)上述差別,很容易將通用型與達(dá)林頓型光耦合器區(qū)分開(kāi)來(lái)。具體方法是,將萬(wàn)用表?yè)苤羠×100檔,黑表筆接b極,紅表筆接e極,采用讀取電壓法
c內(nèi)部的發(fā)光二極管點(diǎn)亮,當(dāng)光敏晶體管導(dǎo)通,電子開(kāi)關(guān)處于接通狀態(tài)。 調(diào)節(jié)rpl和rp2的阻值,可改變探測(cè)距離及探測(cè)靈敏度。 元器件選擇 rl-r6選用1/4w的金屬膜電阻器或碳膜電阻器。 rp1選用有機(jī)實(shí)心電位器或可變電阻器;rp2選用合成碳膜電位器或可變電阻器。 cl、c2和c4均選用獨(dú)石電容器;c3選用高頻瓷介電容器。 vdl和vd2均選用1n4148型硅開(kāi)關(guān)二極管。 vl和v2選用s9013或3dg6型硅npn晶體管;v3選用s8050型硅npn晶體管。 vlc選用4n25或4n26型光輛合器。 t使用φ5mmx4mm的磁心和φo.12mm的漆包線繞制:wl繞25匝,w2繞11匝,w3繞60匝。
vt受觸發(fā)而導(dǎo)通,ha發(fā)出響亮的報(bào)警聲。 元器件選擇 rl選用1/2w金屬膜電阻器;r2-r6均選用1/4w金屬膜電阻器。 ci選用耐壓值為630v的滌綸電容器或cbb電容器;c2選用獨(dú)石電容器;c3選用耐壓值為35v以上的鋁電解電容器。 vd選用1n4007型硅整流二極管。 vs選用lw、l8v的硅穩(wěn)壓二極管,例如1n4746等型號(hào)。 ur選用0.5-la、5ov的整流橋堆或用4只1n4148型硅開(kāi)關(guān)二極管橋接后代替。 vt選用mcr97a6型雙向晶呵管。 vlc選用4n25或4n26型光鵝合器。 hl選用交流220v專用高響度報(bào)警揚(yáng)聲器 (內(nèi)置音源)或電鈴。 s1選用250v、觸頭電流容量為sa的電源開(kāi)關(guān);s2可根據(jù)實(shí)際需要來(lái)選擇:若用于門(mén)窗等處作防盜檢測(cè),則可選用常開(kāi)到磁控開(kāi)關(guān)或微動(dòng)開(kāi)關(guān)、微型按鈕,使其在門(mén)窗關(guān)閉時(shí)接通,門(mén)窗被撬開(kāi)時(shí)斷開(kāi)即可;若用于瓜果園或庭院防盜監(jiān)控,則可使用漆包線或軟導(dǎo)線等作為短路警戒線,盜賊將其碰斷,報(bào)警器即觸發(fā)工作。 來(lái)源:university
膜電阻器;r4選用1/4w金屬膜電阻器。 cl和c2均選用鋁電解電容器,cl的耐壓值為16v,c2的耐壓值為25v。 vdl-vdl3均選用1n4007型硅整流二極管。 vs選用1/2w、7·5v的硅穩(wěn)壓二極管。 v選用c8050或s8050、3dg8050型硅npn晶體管。 lc選用lm7812型三端穩(wěn)壓集成電路。 k選用jrx-l3f型、l2v直流繼電器。 km選用線圈電壓為220v的交流接觸器,其觸頭容量應(yīng)根據(jù)發(fā)電機(jī)組和負(fù)載的功率合理選用。 vlcl-vlc3選用4n25或4n26型光耦合器。 來(lái)源:university
相關(guān)元件pdf下載:ne555 4n26 ne556
管點(diǎn)亮,當(dāng)光敏晶體管導(dǎo)通,電子開(kāi)關(guān)處于接通狀態(tài)。 調(diào)節(jié)rp1和rp2的阻值,可改變探測(cè)距離及探測(cè)靈敏度。 元器件選擇 r1~r6選用1/4w的金屬膜電阻器或碳膜電阻器。 rp1選用有機(jī)實(shí)心電位器或可變電阻器;rp2選用合成碳膜電位器或可變電阻器。 c1、c2和c4均選用獨(dú)石電容器;c3選用高頻瓷介電容器。 vd1和vd2均選用in4148型硅開(kāi)關(guān)二極管。 v1和v2選用59013或3dg6型硅npn晶體管;v3選用58050型硅npn晶體管。 vlc選用4n25或4n26型光耦合器。 t使用φ5mm×4mm的磁心和φ0.12mm的漆包線繞制:w1繞25匝,w2繞h匝,w3繞60匝。
芯片上有"f"字樣的4n26是哪個(gè)公司的產(chǎn)品?
耦合器的型號(hào)及參數(shù),選取原則如下:(1)光耦合器的電流傳輸比(ctr)的允許范圍是50%~200%。這是因?yàn)楫?dāng)ctr<50%時(shí),光耦中的led就需要較大的工作電流(if>5.0ma),才能正??刂茊纹_(kāi)關(guān)電源ic的占空比,這會(huì)增大光耦的功耗。若ctr>200%,在啟動(dòng)電路或者當(dāng)負(fù)載發(fā)生突變時(shí),有可能將單片開(kāi)關(guān)電源誤觸發(fā),影響正常輸出。(2)推薦采用線性光耦合器,其特點(diǎn)是ctr值能夠在一定范圍內(nèi)做線性調(diào)整。(3)由英國(guó)埃索柯姆(isocom)公司、美國(guó)摩托羅拉公司生產(chǎn)的4n××系列(如4n25 、4n26、4n35)光耦合器,目前在國(guó)內(nèi)應(yīng)用地十分普遍。鑒于此類光耦合器呈現(xiàn)開(kāi)關(guān)特性,其線性度差,適宜傳輸數(shù)字信號(hào)(高、低電平),因此不推薦用在開(kāi)關(guān)電源中。4.通用型與達(dá)林頓型光耦合器區(qū)分4.1方法之一在通用型光耦合器中,接收器是一只硅光電半導(dǎo)體管,因此在b-e之間只有一個(gè)硅pn結(jié)。達(dá)林頓型不然,它由復(fù)合管構(gòu)成,兩個(gè)硅pn結(jié)串聯(lián)成復(fù)合管的發(fā)射結(jié)。根據(jù)上述差別,很容易將通用型與達(dá)林頓型光耦合器區(qū)分開(kāi)來(lái)。具體方法是,將萬(wàn)用表?yè)苤羠×100檔,黑表筆接b極,紅表筆接e極,采用讀取電壓法求出發(fā)射結(jié)正向電壓vbe
,選取原則如下:(1)光耦合器的電流傳輸比(ctr)的允許范圍是50%~200%。這是因?yàn)楫?dāng)ctr<50%時(shí),光耦中的led就需要較大的工作電流(if>5.0ma),才能正??刂茊纹_(kāi)關(guān)電源ic的占空比,這會(huì)增大光耦的功耗。若ctr>200%,在啟動(dòng)電路或者當(dāng)負(fù)載發(fā)生突變時(shí),有可能將單片開(kāi)關(guān)電源誤觸發(fā),影響正常輸出。(2)推薦采用線性光耦合器,其特點(diǎn)是ctr值能夠在一定范圍內(nèi)做線性調(diào)整。(3)由英國(guó)埃索柯姆(isocom)公司、美國(guó)摩托羅拉公司生產(chǎn)的4n××系列(如4n25 、4n26、4n35)光耦合器,目前在國(guó)內(nèi)應(yīng)用地十分普遍。鑒于此類光耦合器呈現(xiàn)開(kāi)關(guān)特性,其線性度差,適宜傳輸數(shù)字信號(hào)(高、低電平),因此不推薦用在開(kāi)關(guān)電源中
4n26好象
,選取原則如下:(1)光耦合器的電流傳輸比(ctr)的允許范圍是50%~200%。這是因?yàn)楫?dāng)ctr<50%時(shí),光耦中的led就需要較大的工作電流(if>5.0ma),才能正??刂茊纹_(kāi)關(guān)電源ic的占空比,這會(huì)增大光耦的功耗。若ctr>200%,在啟動(dòng)電路或者當(dāng)負(fù)載發(fā)生突變時(shí),有可能將單片開(kāi)關(guān)電源誤觸發(fā),影響正常輸出。(2)推薦采用線性光耦合器,其特點(diǎn)是ctr值能夠在一定范圍內(nèi)做線性調(diào)整。(3)由英國(guó)埃索柯姆(isocom)公司、美國(guó)摩托羅拉公司生產(chǎn)的4n××系列(如4n25 、4n26、4n35)光耦合器,目前在國(guó)內(nèi)應(yīng)用地十分普遍。鑒于此類光耦合器呈現(xiàn)開(kāi)關(guān)特性,其線性度差,適宜傳輸數(shù)字信號(hào)(高、低電平),因此不推薦用在開(kāi)關(guān)電源中