金屬接近開關(guān)
出處：zmmhmily 發(fā)布于：2008-09-14 00:00:00 | 3471 次閱讀
金屬接近開關(guān)是工業(yè)領(lǐng)域廣泛使用的一種自動控制電子開關(guān)，它在有金屬物體靠近檢測探頭時，電子開關(guān)接通;當(dāng)金屬物體遠(yuǎn)離檢測探頭時，電子開關(guān)關(guān)閉。
電路工作原理
該金屬接近開關(guān)電路由高頻振蕩器電路、倍壓整流電路和電子開關(guān)電路組成，如圖8-131所示。
高頻振蕩器電路由高頻變壓器T、電位器RPl、電阻器Rl-R3、電容器Cl-C3和晶體管Vl組成。
倍壓整流電路由二極管VDl與VD2、電容器C4和電阻器R4組成。
電子開關(guān)電路由晶體管V2與V3、電位器Rm、光耦合器VLC和電阻器R5、R6組成。
高頻變壓器T作為檢測探頭對金屬物體進(jìn)行檢測。在金屬物體未靠近檢測探頭時，高頻振蕩器振蕩工作，其輸出的振蕩信號經(jīng)倍壓整流電路倍壓整流后，產(chǎn)生一直流電壓使V2飽和導(dǎo)通，V3和VLC截止，電子開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)。當(dāng)有金屬物體靠近檢測探頭時，將產(chǎn)生渦流損耗，使高頻振蕩器停振，V2因基極的百流電壓消失而截止，V3導(dǎo)通，VLC內(nèi)部的發(fā)光二極管點亮，當(dāng)光敏晶體管導(dǎo)通，電子開關(guān)處于接通狀態(tài)。
調(diào)節(jié)RPl和RP2的阻值，可改變探測距離及探測靈敏度。
元器件選擇
Rl-R6選用1/4W的金屬膜電阻器或碳膜電阻器。
RP1選用有機實心電位器或可變電阻器;RP2選用合成碳膜電位器或可變電阻器。
Cl、C2和C4均選用獨石電容器;C3選用高頻瓷介電容器。
VDl和VD2均選用1N4148型硅開關(guān)二極管。
Vl和V2選用S9013或3DG6型硅NPN晶體管;V3選用S8050型硅NPN晶體管。
VLC選用4N25或4N26型光輛合器。
T使用φ5mmx4mm的磁心和φO.12mm的漆包線繞制:Wl繞25匝，W2繞11匝，W3繞60匝。
電路工作原理
該金屬接近開關(guān)電路由高頻振蕩器電路、倍壓整流電路和電子開關(guān)電路組成，如圖8-131所示。
高頻振蕩器電路由高頻變壓器T、電位器RPl、電阻器Rl-R3、電容器Cl-C3和晶體管Vl組成。
倍壓整流電路由二極管VDl與VD2、電容器C4和電阻器R4組成。
電子開關(guān)電路由晶體管V2與V3、電位器Rm、光耦合器VLC和電阻器R5、R6組成。
高頻變壓器T作為檢測探頭對金屬物體進(jìn)行檢測。在金屬物體未靠近檢測探頭時，高頻振蕩器振蕩工作，其輸出的振蕩信號經(jīng)倍壓整流電路倍壓整流后，產(chǎn)生一直流電壓使V2飽和導(dǎo)通，V3和VLC截止，電子開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)。當(dāng)有金屬物體靠近檢測探頭時，將產(chǎn)生渦流損耗，使高頻振蕩器停振，V2因基極的百流電壓消失而截止，V3導(dǎo)通，VLC內(nèi)部的發(fā)光二極管點亮，當(dāng)光敏晶體管導(dǎo)通，電子開關(guān)處于接通狀態(tài)。
調(diào)節(jié)RPl和RP2的阻值，可改變探測距離及探測靈敏度。
元器件選擇
Rl-R6選用1/4W的金屬膜電阻器或碳膜電阻器。
RP1選用有機實心電位器或可變電阻器;RP2選用合成碳膜電位器或可變電阻器。
Cl、C2和C4均選用獨石電容器;C3選用高頻瓷介電容器。
VDl和VD2均選用1N4148型硅開關(guān)二極管。
Vl和V2選用S9013或3DG6型硅NPN晶體管;V3選用S8050型硅NPN晶體管。
VLC選用4N25或4N26型光輛合器。
T使用φ5mmx4mm的磁心和φO.12mm的漆包線繞制:Wl繞25匝，W2繞11匝，W3繞60匝。
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