10NF,0603
3874
-/-
呆滯料清倉特價
10NF
12260
11+/12+/23+
高品質(zhì) 優(yōu)選好芯
10NF
56520
4KREEL/2025+
一級代理，原裝假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
10NF
65286
-/21+
全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣
10NF
5000
11+/12+/24+
優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務
10NF
60701
11+/12+/24+
深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照
10NF
5000
11+/12+/CC16080603
原裝正品，配單能手
10NF
9200
11+/12+/23+
只做原裝更多數(shù)量在途訂單
10NF
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
10NF
5000
11+/12+/23+
原裝庫存，提供優(yōu)質(zhì)服務
10NF
5000
11+/12+/26+
全新原裝現(xiàn)貨，一站式配單服務
10NF
3750
NA//23+
原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票
10NF
5237
-/-
公司現(xiàn)貨，進口原裝熱賣
10NF
3000
N/A/12+
原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢
10NF
526
11+/12+/24+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
10NF
50000
11+/12+/25+
優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨
10NF
8700
11+/12+/2023+
原裝現(xiàn)貨
10NF
60545
SMD/23+
免費送樣，賬期支持，原廠直供，沒有中間商賺差價
10NF
100000
C0603/-
-
10NF
54021
11+/12+/25+
原裝認證有意請來電或QQ洽談
，引入這個濾波器更為重 要。 本文給出的測試結(jié)果采用的是固定增益為100 的max4209h，器件的信號帶寬為7.5khz， fc 約為45khz。由放置在放大器out 和fb 引腳間的外置電容(c)和內(nèi)部電阻(r2)并聯(lián)構 成一階低通濾波器，濾波器的極點由c 和r2 決定，max4209h 內(nèi)部的r2 是99kω，圖4 為噪聲測量電路。 圖4. max4209 噪聲測量電路 圖5 和圖6 為輸入?yún)⒖荚肼暻€，包括三種不同測量：沒有外部電容c、c = 1nf 和c = 10nf 的情況。沒有電容c 時，-3db 帶寬僅受限于max4209h (信號帶寬為7.5khz)。 圖5. 無反饋電容、電容等于1nf 和10nf 時，max4209h 輸入?yún)⒖荚肼暶芏惹€ 圖6. 無反饋電容、電容等于1nf 和10nf 時，max4209h 輸入?yún)⒖荚肼暤膔ms 值 設計人員需要根據(jù)具體應用在所要求的噪聲抑制和信號帶寬限制之間進行折衷。下表歸 納了沒有外接電容、c = 1nf 和c = 10nf 條件下的折衷選擇。 有些應用中，如果對噪
頻帶時，引入這個濾波器更為重 要。 本文給出的測試結(jié)果采用的是固定增益為100 的max4209h，器件的信號帶寬為7.5khz， fc 約為45khz。由放置在放大器out 和fb 引腳間的外置電容(c)和內(nèi)部電阻(r2)并聯(lián)構 成一階低通濾波器，濾波器的極點由c 和r2 決定，max4209h 內(nèi)部的r2 是99kω，圖4 為噪聲測量電路。 圖4. max4209 噪聲測量電路 圖5 和圖6 為輸入?yún)⒖荚肼暻€，包括三種不同測量：沒有外部電容c、c = 1nf 和c = 10nf 的情況。沒有電容c 時，-3db 帶寬僅受限于max4209h (信號帶寬為7.5khz)。 圖5. 無反饋電容、電容等于1nf 和10nf 時，max4209h 輸入?yún)⒖荚肼暶芏惹€ 圖6. 無反饋電容、電容等于1nf 和10nf 時，max4209h 輸入?yún)⒖荚肼暤膔ms 值 設計人員需要根據(jù)具體應用在所要求的噪聲抑制和信號帶寬限制之間進行折衷。下表歸納了沒有外接電容、c = 1nf 和c = 10nf 條件下的折衷選擇。 有些應用中，如果對
響應或動態(tài)響應。 2吸收與換相電容器 隨著柵控半導體器件的額定功率越做越大，開關速度越來越快，額定電壓越來越高，對緩沖電路的電容器僅僅要求足夠的耐壓、容量及優(yōu)異的高頻特性是不夠的。 在大功率電力電子電路中，由于igbt的開關速度已小于1μs，要求吸收電路電容器上的電壓變化速率dv/dt>v/μs已是很正常的，有的要求v/μs甚至v/μs。由電容器與電壓充電時間的基本關系可知 如以1μf、v/μs計，則由式（1）可知其峰值電流將達a。即使較小的電容量如10nf，以v/μs速率變化則峰值電流為100a。對于普通電容器，特別是普通金屬化電容器的dv/dt<100v/μs，特殊金屬化電容器的dv/dt≤200v/μs，專用雙金屬化電容器小容量（小于10nf）的dv/dt≤1500v/μs，較大容量（小于0.1μf)的則為600v/μs，在這種巨大且重復率很高的峰值電流沖擊下是很難承受的。所以經(jīng)?？梢钥吹诫娏﹄娮与娐芬蛭针娙輵貌划斣斐呻娙萜鲹舸┗驍嗦罚瑩p壞電力電子電路的現(xiàn)象。 目前吸收電路專用電容器，即金屬箔電極可承受較大的峰值電流和有效值電
收與換相電容器 隨著柵控半導體器件的額定功率越做越大，開關速度越來越快，額定電壓越來越高，對緩沖電路的電容器僅僅要求足夠的耐壓、容量及優(yōu)異的高頻特性是不夠的。 在大功率電力電子電路中，由于igbt 的開關速度已小于1μs，要求吸收電路電容器上的電壓變化速率dv/dt> v/μs 已是很正常的，有的要求 v/μs 甚至 v/μs。 對于普通電容器，特別是普通金屬化電容器的dv/dt<100v/μs，特殊金屬化電容器的dv/dt≤200v/μs，專用雙金屬化電容器小容量（小于10nf）的dv/dt≤1500v/μs，較大容量（小于0.1μf）的則為600v/μs，在這種巨大且重復率很高的峰值電流沖擊下是很難承受的。損壞電力電子電路的現(xiàn)象。 目前吸收電路專用電容器，即金屬箔電極可承受較大的峰值電流和有效值電流沖擊，如：較小容量（10nf 以下）的可承受100000v/μs～455000v/μs 的電壓變化率、3700a 峰值電流和達9a 有效值電流（如cdv30fh822j03）；較大容量（大于10nf，小于0.47μf）或較大尺寸的可承受大于3400v/μs 以及100
如上所述，為可靠性，穩(wěn)態(tài)時最大電壓應為mosfet耐壓的80%，即520v。圖顯示為570v（ac 256v）。當然，vin＋nvo為（375v＋15×5v） ＝450v，顯示變壓器匝數(shù)比為15，此是合理的值。因此，吸收回路應重新設計如下： 圖1 1nf電容和480kω電阻的起動波形 圖2 1nf電容和480kω電阻的穩(wěn)態(tài)波形 讓vsm為nv0的兩倍，即150v。lik1及ipeak為150μh和400ma，于是求出: 電阻功耗計算如下： 最后，選擇csn為10nf，rsn為1.4kω／3 w。測試下來，mosfet的電壓應力為j 593v（起動時）和 524v（穩(wěn)態(tài)），分別為所選fsdm311耐壓的91.2％和80.6%合格。10nf電容和14kω電阻的起動波形如圖3所示，穩(wěn)態(tài)波形如圖4所示。 圖3 10nf電容和14kω電阻的起動波形 圖410nf電容和14kω電阻的穩(wěn)態(tài)波形 來源:蝴蝶
。 stat1～2：狀態(tài)腳，用來指示輸出腳的故障狀態(tài)。正常工作時，狀態(tài)腳處于高電平。出現(xiàn)開路、對地短路、對電源短路(外部電源)、過熱、過壓關閉等狀態(tài)時，為低電平。與cpu連接時相互之間串聯(lián)一10kω電阻。與vpwr短路連接時，可提高其故障判斷分析能力。不用時，此腳必須連上。 vpwr：該腳與供電電源連接在一起，向dmos輸出提供負載電流及檢測過壓，當供電電壓在5.5～24v之間時，dmos輸出打開；vpwr不可接負電源，加－1.5v電壓時，只能忍受250ms，使用時，應在vpwr與地之間接一10nf的去耦電容。 gnd：接地腳，為dmos輸出晶體管散熱。 vdd：芯片電源，連接5v邏輯電平，使用時對地需接10nf的去耦電容。 out1～2:輸出腳，連接內(nèi)部dmos輸出晶體管，給負載供電。每個輸出內(nèi)含動態(tài)箝位電路以適應感性負載，并具有對地短路檢測和保護、過熱檢測和保護、過流檢測和保護、開路檢測及對外部電源短路檢測和保護等功能。當cen為邏輯低電平時，輸出關閉，對于未使用的輸出腳，必須外接一10kω電阻以免誤報。工作時，在輸出對地之間并接一1.0μf的濾波電容。 sfpd：短路故障保護
3m電子日前宣布，其先進層壓、嵌入式電容材料達到rohs指令要求，可幫助oem和pcb制造商滿足車載、便攜式和軍用產(chǎn)品等空間受限的應用設計需求。 3m介紹，其嵌入式電容材料的介質(zhì)厚度達到8μs、電容密度達到每平方英寸大于10nf，使之成為現(xiàn)有電路板嵌入式平面電容中最薄、電容密度最高的材料。該層壓材料使高速數(shù)字印刷電路板的設計人員和制造商在實現(xiàn)高速設計的同時，簡化了設計。 在印刷電路板中作為電源和地層時，該材料可以成為電路板內(nèi)部的共享去耦電容，從而可以取消許多(過去必須采用的)分離表面安裝電容并削減通孔的數(shù)量。此外，該層壓材料也增加了電路板的可用區(qū)域，使信號傳輸更快、emi輻射更低，并節(jié)省電源分布設計和電路板排版的工程設計時間。 印刷電路板制造商可以將該材料用于汽車、軍事、自動測試設備、計算機和通信，它兼容包括激光鉆孔在內(nèi)的所有剛性和柔性電路板加工工藝，不必向3m購買許可即可使用。
z固定開關頻率允許使用微型超薄電感和電容，可最大限度地減小pcb尺寸。 這種恒頻開關操作可產(chǎn)生可預測的低輸出噪聲，該輸出噪聲可通過內(nèi)部降噪電路進一步降低。 as1339的峰值效率為97%，可延長各種應用的電池壽命。它支持1.1a的峰值電流，其集成的110mω旁路fet在低電池電壓狀態(tài)下也能夠以最小的壓降提供最大的功率。as1339在高功率發(fā)射時自動進入旁路模式。它還集成了兩個10ma、低噪聲和高psrr的ldo，用于pa偏置。每個ldo具有獨立的使能控制，提供高輸出電壓精度，且只需要10nf的輸出電容。 此外，如果不需要電源，例如移動電話在飛行模式下時，as1339可提供100na關斷模式及輸出斷開功能。其它功能還包括軟啟動和安全功能等，如電流過載和熱關斷保護。 as1339采用微型、16焊球、2×2mm wl–csp封裝，支持-40℃至+85℃工業(yè)級溫度范圍。
半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (international rectifier，簡稱ir) 推出ip2005a全面優(yōu)化的功率級解決方案，適用于游戲、計算和通信應用的大電流同步降壓式多相位轉(zhuǎn)換器。 ip2005a的體積比前一代的器件小了40%，能夠在高達1.5mhz的頻率下有效運行，有助于設計人員通過盡量減小輸出電容器和電感器值，以進一步減小占板面積。ip2005a為非常低的emi進行了優(yōu)化設計，無需在消費游戲機等emi敏感的設計中使用外部緩沖電路。與需要一個2.2ω外置電阻器和10nf電容緩沖器的前一代器件相比，不使用外部緩沖電路的ip2005a每相位功率損耗可減少多達2.3w。 ir 亞太區(qū)高級銷售副總裁曾海邦表示：“由于體積小了40%，ip2005a成為一款能夠提供高性能的小型系統(tǒng)功率模塊。其高度集成也使這款器件可顯著節(jié)省空間并簡化設計?！?每個ip2005a構建模塊采用7.7mm x 7.7mm x 1.7mm lga封裝，可以在0.8v至5.5v的輸出范圍提供高達40a的電流。在多相位系統(tǒng)使用這些構建模塊，業(yè)界標準的四相位控制器就可以實現(xiàn)高達160
國際整流器公司(international rectifier，簡稱ir)推出ip2005a全面優(yōu)化的功率級解決方案，適用于游戲、計算和通信應用的大電流同步降壓式多相位轉(zhuǎn)換器。 ip2005a的體積比前一代的器件小了40%，能夠在高達1.5mhz的頻率下有效運行，有助于設計人員通過盡量減小輸出電容器和電感器值，以進一步減小占板面積。ip2005a為非常低的emi進行了優(yōu)化設計，無需在消費游戲機等emi敏感的設計中使用外部緩沖電路。與需要一個2.2ω外置電阻器和10nf電容緩沖器的前一代器件相比，不使用外部緩沖電路的ip2005a每相位功率損耗可減少多達2.3w。 ir亞太區(qū)高級銷售副總裁曾海邦表示：“由于體積小了40%，ip2005a成為一款能夠提供高性能的小型系統(tǒng)功率模塊。其高度集成也使這款器件可顯著節(jié)省空間并簡化設計?！?每個ip2005a構建模塊采用7.7mm x 7.7mm x 1.7mm lga封裝，可以在0.8v至5.5v的輸出范圍提供高達40a的電流。在多相位系統(tǒng)使用這些構建模塊，業(yè)界標準的四相位控制器就可以實現(xiàn)高達160a的電流。除了一個外部pwm控制器，
與廉價微控制器相結(jié)合，組成適用于多種電池的充電系統(tǒng)。片內(nèi)含有獨立的電壓和電流回路，易于控制，內(nèi)設精度為0.5%的基準電壓源、增加了充電設備的安全可靠性，內(nèi)設具有復位功能的pwrok，簡化了電路設計，可降低系統(tǒng)成本。 max846采用16腳的qsop封裝，其管腳配置如圖5-31所示。管腳功能如下：1腳（dcin）為電源輸入端，輸入電壓為3.7～21v；2腳（vl）為線性穩(wěn)壓器輸出端，精度為1%，輸出電壓為3.3v，最大輸出電流為20ma；3腳（cci）為電流調(diào)整回路補償端，它與vl之間接5～10nf電容；4腳（gnd）為地；5腳（ccv）為電壓調(diào)整回路補償端，與vl之間接5～10nf電容；6腳（vset）為充電電壓調(diào)整端；7腳（iset）為電流設定輸入/電流監(jiān)控輸出端；8腳（offv）為電壓環(huán)路截止控制端，高電平時截止，對電池充電；9腳（pwrok）為微控制器提供復位端，當vl<3v時，該管腳為低電平；10腳（cell2）定義電池數(shù)目，接vl為兩節(jié)電池；11腳（on）為on/off；12腳（batt）為電池正極；13腳（cs+）為電流傳感器高端輸入；14腳（cs-）為電流傳感器低端輸
能與pc連用的調(diào)頻廣播電路 如圖為能與pc連用的調(diào)頻廣播電路圖。該電路中一些電器元件的數(shù)值：r1：47kω；r2：22kω；r3：100kω；r4：39kω；r5：47ω；r6~r12：5kω；r13~r21：15kω；c1：39pf電容；c2：47pf電容；c3：2nf電容；c4，c14：220nf電容；c5：22nf電容；c6：10nf電容；c7，c18：180pf電容；c8：150pf電容；c9：100nf電容；c10，c13：330pf電容；c11：220pf電容；c12，c16：3300pf電容；c15，c17：1800pf電容；c19，c21，c22：10mf電容；c20：10nf電容；c23：47mf電容；c24，c25：470mf電容；ic1：tda7000；ic2：lm7805；ic3：lm386；s1開關。 來源:lidy
的愛犬在午夜安靜下來，不再亂叫或者降服別人的惡犬（大概盜賊會很喜歡這個東西的）。 因此，我決定重新設計一個電路（當然，是基于最常用的555），使用了可變電阻來改變頻率并且使用了能發(fā)出相對足夠大的聲響－－82db的壓電蜂鳴片。 電路非常小，可以在半小時內(nèi)裝配起來。大部分元件的參數(shù)值并不要求很精確，但你要知道這些值可能會使產(chǎn)生的頻率發(fā)生改變。對可變電阻的調(diào)整：較大的電阻使得頻率變低。由于不同的狗會對不同的頻率產(chǎn)生反應，你可能需要對電路進行不斷的實驗調(diào)整。 電路非常簡單，對你來說可能是小事一樁。10nf（0.01uf）的電容非常關鍵，它決定了頻率，大多數(shù)的瓷片電容工作起來很不穩(wěn)定，誤差大都在20%左右，很不好用，所以最好采用性能穩(wěn)定的聚丙希電容。較大的電容值意味著較低的頻率。 740)this.width=740" border=undefined> 調(diào)整過程中，一個示波器是很必要的。由于我沒有示波器，所以我使用了winscope（winscope 是俄羅斯科學家康斯坦丁澤利多維奇開發(fā)的，用于計算機上進行電子實驗進頻率分析的模擬示波器軟件。它通過音效卡來樣本輸入波形并顯示結(jié)果在您的電腦監(jiān)視
高一些。這意味著普通的超聲波昆蟲驅(qū)趕器發(fā)出的聲音，狗是聽不到的。 因此，我決定重新設計一個電路（當然，是基于最常用的555）,使用了可變電阻來改變頻率并且使用了能發(fā)出相對足夠大的聲響－－82db的壓電蜂鳴片。 電路非常小，可以在半小時內(nèi)裝配起來。大部分元件的參數(shù)值并不要求很精確，但你要知道這些值可能會使產(chǎn)生的頻率發(fā)生改變。對可變電阻的調(diào)整：較大的電阻使得頻率變低。由于不同的狗會對不同的頻率產(chǎn)生反應，你可能需要對電路進行不斷的實驗調(diào)整。 電路非常簡單，對你來說可能是小事一樁。10nf（0.01uf）的電容非常關鍵,它決定了頻率，大多數(shù)的瓷片電容工作起來很不穩(wěn)定，誤差大都在20%左右，很不好用，所以最好采用性能穩(wěn)定的聚丙希電容。較大的電容值意味著較低的頻率。 調(diào)整過程中，一個示波器是很必要的。由于我沒有示波器，所以我使用了winscope。盡管它的測量范圍限于22khz，但剛剛能夠看到電路是如何工作的。測試一下電路在不同的頻率下是否都能工作。4k7的可變電阻與10nf的電容產(chǎn)生的頻率為11k到22khz，這樣剛剛好。 這個電路不需要蝕刻電路板，實驗板就行了。如果需
從內(nèi)部框圖可以看出它們內(nèi)部結(jié)構完全一樣，但在實際代換時卻不能直接代換。如用cxa1191去直接代換cxa1019，則輸出音量很小。這是由于兩種集成塊的功放實際內(nèi)部電路不完全一樣，表現(xiàn)主要在于集成塊的①腳。cxa1019的①腳在電路中是接地的，而cxa1191的①腳卻恰好是內(nèi)置功放的輸出中點。如果直接進行代換就會將功放輸出信號絕大部分短路（內(nèi)置接有一電阻），故此直接代換后聲音很小。如果將代換后的cxa1191的①腳斷開，則可以避免使得信號被短路。在查閱cxa1191的電路圖紙發(fā)現(xiàn)它的①腳外接有一只10nf的電容，由此分析可知，它的①腳是為改善音質(zhì)所特別設計的。只要在它們之間代換時注意這一點，則這兩種集成塊就可以完全進行相互代換了。 來源:陰雨
ad5933做的簡易網(wǎng)絡分析儀(改進版)上次用ad5933做的阻抗分析儀，沒有做相位校準，這個周末剛好有空，就翻出來繼續(xù)改了改代碼，添加了一些功能進去，現(xiàn)在使用起來比以前方便多了，速度也快了很多。使用前用參考電阻校準,然后就可以測試阻抗了.以前發(fā)過的帖子：http://bbs.21ic.com/club/bbs/showessence.asp?id=6741&page=2注: 圖中蘭色的線是阻抗的模,綠色的線是阻抗的相角.豎直的紅線是光標.圖1 用10k電阻校準后的阻抗圖圖2 10nf電容測試結(jié)果圖3 30pf電容測試結(jié)果圖4 開路測試結(jié)果圖5 10nf電容跟47uh電感并聯(lián)的阻抗圖（圖中的計算結(jié)果是根據(jù)10nf電容計算得到的電感值）圖6 另一張開路測試結(jié)果 * - 本貼最后修改時間：2006-11-19 1:28:19 修改者：computer00
前邊輸入端的100k電阻還要串聯(lián)一個10nf的電容對不起,輸入端少畫了一個10nf的電容-3db帶寬約100hz,對20k的100倍信號都可以抑制這個低通的性能很好,但是不知道如何分析,找了幾本書也沒找到這樣的電路 * - 本貼最后修改時間：2005-12-21 23:42:43 修改者：jiangyu
多自稱為24位的a/d其實有效位精度僅僅為19位。（3）、a/d轉(zhuǎn)換精度并不等于一個設計系統(tǒng)的精度。例如模擬電路部分的放大倍數(shù)為1000倍，使用cs5372則可使系統(tǒng)精度達0.86nv。（4）、但是至今最高精度無法達到1nv，這是為什么呢？因為精度的最終瓶頸還是在模擬芯片的噪聲容限上。而當今模擬芯片的噪聲容限均超過1nv。（5）、微弱信號檢測的幾點步驟：1、前置放大；2、高、低通濾波或陷波；3、主放大。（6）、你所提的儀用放大器是規(guī)劃于前置放大，當然此部分的設計也可以用高精度運放，而且如果想實現(xiàn)10nf級（當然這是比你提的要低3個數(shù)量級以上）的信號檢測，就必須選用高精度運放，因為當前儀用放大器沒有一個能達到10nf級，只有部分尖端高精度運放能達到此數(shù)量級。
呵呵，注意我用的兩個名詞前一個是“多層瓷介電容器”后一個是“片式多層瓷介電容器”不過我的句子是有問題，有誤人子弟之嫌:)應該說：多層瓷介電容器，又叫獨石電容器現(xiàn)在最常用的是mlcc（片式多層瓷介電容器，即通常所謂“貼片電容”）mlcc就是multi layer chip capacitor的縮寫，chip就是“片式”的意思非表貼的似乎是叫mlc，少了一個“c”薄膜貼片電容見過聚酯薄膜的，不太好買，可能還是普及程度的關系一般小容量的（10nf以下），c0g的性能不比有機薄膜的差，溫度系數(shù)還更好（c0g是正負溫度系數(shù)，有機薄膜往往是負溫度系數(shù)）如果是做積分器之類，有機的，如pps的，就好一些
davidli88的圖反饋極性也反了。。。解決功率與發(fā)熱問題：在davidli88的圖上，用個快恢復二極管與電阻（幾十歐）串連加在三極管的be極，二極管方向指向三極管的b極。10nf的電容上最好串個電阻（幾十歐）。
聯(lián)系人：
聯(lián)系方式：
