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原裝現(xiàn)貨
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3M原廠授權(quán)代理現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)
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原裝現(xiàn)貨
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層臺面為e區(qū)接觸,第2層臺面為c區(qū)接觸,最下層臺面位于si-gaas襯底上,壓焊墊位于此臺面上。最上層臺面與第二層臺而之間的雙勢壘結(jié)構(gòu)(dbs)外側(cè),沉積一層si02薄膜,起鈍化表面和隔離crau與其下面材料短路作用。為提高rtd的fmax增加si02厚度或采用空氣橋結(jié)構(gòu),并盡量減小e區(qū)面積ae,這里取ae=4×4μm2。3.4 器件特性[7]當(dāng)rtd的ae=5×5μm2,直流參數(shù):正向e接地,vp=0.6v,lp=1.3ma,vv=1.05v,iv=0.25ma,rn=-429,jp=5.2×103a cm-3,pvcr=5.2;反向c接地,vp=0.85 v,ip=1.9ma,vv=1.3a,iv=0.25ma,rn=-273,峰值電流密度jp=7.6×103a cm-3,pvcr=7.6,fmax=26.3ghz。當(dāng)rtd的ae=4 x 4μm2,直流參數(shù);正向e接地,vp=0.6v,ip=1.3ma,vv=0.65v,iv=0.42ma,rn=-57,jp=8.1×103a cm-2,pvcr=3.1,fmax=54ghz。2002年11月清華大學(xué)微電子所利用自制的高真外延設(shè)備gs40