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STD35NF06LT4

更新時間:2025-07-03 18:16:59

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STD35NF06LT4外觀圖

STD35NF06LT4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 60V 35A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD35NF06LT4 概述

STD35NF06LT4是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高效率的特點。其最大漏源電壓為60V，在柵極驅(qū)動電壓為10V時，典型導通電阻僅為20mΩ，能夠承受高達35A的連續(xù)漏極電流。這款MOSFET適用于多種功率轉(zhuǎn)換應用，如電源管理、電機驅(qū)動、負載開關等。在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，它可以作為同步整流管使用，有助于提高轉(zhuǎn)換效率。在電機驅(qū)動電路里，可作為功率開關來控制電機運轉(zhuǎn)。設計時需注意其最大工作電壓和電流限制，確保不超過額定值以避免損壞。在PCB布局方面，要盡量減小源極電感以降低開關損耗。

STD35NF06LT4 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STD35NF06L View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
35A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
17 毫歐 @ 17.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1700pF @ 25V
功率 - 最大
80W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-7965-6

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