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STB8NM60D

更新時間:2025-05-30 14:06:45

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只做原裝，現(xiàn)貨庫存

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STB8NM60D外觀圖

STB8NM60D

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB8NM60D 概述

STB8NM60D是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET，專為高壓應用設計。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器及電機驅動等應用場合。其最大漏極-源極電壓（Vds）可達600V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時為8A。由于其出色的雪崩特性，能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。在電路設計中，建議使用適當?shù)臇艠O電阻以控制開關速度，并確保良好的散熱措施以維持性能穩(wěn)定。對于電機驅動應用，需注意合理布局走線以減少電磁干擾。

STB8NM60D 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STB8NM60D View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1 歐姆 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
380pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-5244-6

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STB80NF10T4
STM32F105RCT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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