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STB9NB50

更新時間:2025-06-13 03:21:26

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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DPAK/TO263/2024+/25+
MOSFET單管,原裝和國產替代

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全新原裝進口現(xiàn)貨特價熱賣，長期供貨

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-
-/-
原裝部分現(xiàn)貨量大期貨

深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝正品,配單能手

上海熠富電子科技有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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公司現(xiàn)貨，進口原裝熱賣

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20000
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深圳市福田區(qū)晶康業(yè)電子商行
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1990
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TO263/21+
全新原裝，價格優(yōu)勢

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STB9NB50 概述

STB9NB50是由意法半導體（STMicroelectronics）生產的一款高壓N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的平面技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓為500V，連續(xù)漏極電流可達9A，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的性能。這款MOSFET廣泛應用于不間斷電源（UPS）、電動工具、照明系統(tǒng)以及消費類電子產品的中，建議根據(jù)具體設計需求選擇合適的柵極驅動電阻值以優(yōu)化開關速度和EMI性能。此外，在布局PCB時應盡量縮短源極引腳的走線長度，減少寄生電感對電路性能的影響。使用時應注意不要超過器件的最大額定值，確?？煽抗ぷ?。

STB9NB50 規(guī)格參數(shù)

制造商
STMicroelectronics
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
500 V
閘/源擊穿電壓
+/- 30 V
漏極連續(xù)電流
8.6 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.85 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
D2PAK
封裝
Tube
下降時間
11 ns
最小工作溫度
- 60 C
功率耗散
125 W
上升時間
11 ns
工廠包裝數(shù)量
50

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