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SPP11N65C3

更新時間:2025-06-16 17:31:41

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SPP11N65C3 概述

SPP11N65C3是英飛凌科技公司生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達11A，非常適合于電源轉換器、逆變器和LED驅動器等需要高效功率管理的場合。在電源應用中，它可以減少能量損耗并提高整體效率。使用時應注意散熱設計，確保工作溫度處于安全范圍以內，避免因過熱導致性能下降或損壞。對于電路設計者來說，在選擇合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度的同時也要關注電磁干擾問題。

SPP11N65C3 規(guī)格參數

數據列表
SP(P,A,I)11N65C3
產品培訓模塊
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標準包裝
500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
380 毫歐 @ 7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.9V @ 500µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
60nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1200pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
PG-TO220-3
包裝
管件
其它名稱
SP000014371SPP11N65C3-NDSPP11N65C3BKSA1SPP11N65C3INSPP11N65C3XSPP11N65C3XKSPP11N65C3XKSA1

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