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SPP11N60S5

更新時間:2025-05-17 23:35:44

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現貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務型企業(yè)

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SPP11N60S5 概述

SPP11N60S5是英飛凌科技生產的高性能功率MOSFET，專為高壓應用設計。該器件采用CoolMOS S5技術，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能，在提高效率的同時減少功耗。其最大漏源電壓(VDS)為600V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時為11A，適用于多種電源轉換應用。典型應用場景包括開關電源、照明系統(tǒng)中的LED驅動器、適配器以及工業(yè)電機驅動等。在這些應用中，SPP11N60S5能有效提升系統(tǒng)效率并降低熱損耗。使用時應注意適當的散熱設計，以確保最佳工作溫度范圍。對于PCB布局，建議優(yōu)化柵極驅動回路以最小化寄生電感，從而改善EMI特性。此外，選擇合適的柵極電阻值可以進一步優(yōu)化開關速度，防止過沖現象發(fā)生。

SPP11N60S5 規(guī)格參數

制造商
Infineon
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
600 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
11 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
380 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220
封裝
Reel
下降時間
20 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
125000 mW
上升時間
35 ns
典型關閉延遲時間
150 ns
零件號別名
SP000681044 SPP11N60S5HKSA1 SPP11N60S5XKSA1

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SPP1013S52RG
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SPP10N10L
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