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NTGS3136PT1G

更新時間:2025-06-13 06:50:42

供應商
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服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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深圳市福啟達科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

昂富（深圳）電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司
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深圳市萊杰信科技有限公司
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NTGS3136PT1G外觀圖

NTGS3136PT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP

封裝:SC-74，SOT-457

NTGS3136PT1G 概述

NTGS3136PT1G是一款由安森美半導體生產的N溝道增強型MOSFET，采用SOT-23封裝。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為30V，適合用于電源管理、負載開關和DC-DC轉換器等電路中。由于其小尺寸封裝和良好的熱性能，特別適合空間受限的應用場景。此外，NTGS3136PT1G還具備較高的峰值電流能力，使其在需要瞬時大電流的場合也能穩(wěn)定工作。在實際應用中，建議結合具體的電路需求選擇合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度和EMI性能。

NTGS3136PT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
33 毫歐 @ 5.1A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1901pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-74，SOT-457
供應商設備封裝
6-TSOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTGS3136PT1G-NDNTGS3136PT1GOSTR

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