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NTJS3151PT1G

更新時間:2025-07-03 14:28:51

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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NTJS3151PT1G外觀圖

NTJS3151PT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

NTJS3151PT1G 概述

NTJS3151PT1G是安森美半導體生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。該器件采用超小型SOT-23封裝，適用于空間受限的應用場景。其最大漏源電壓(VDS)為-12V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C下為-2.4A。該MOSFET的柵極閾值電壓較低，具有低導通電阻(RDS(on))特性，這有助于降低開關損耗并提高效率。 NTJS3151PT1G廣泛應用于負載開關、電源管理以及便攜式設備中的DC - DC轉換器等場景。例如，在手機或平板電腦中，它可以用作電池供電電路中的負載開關來控制不同功能模塊的電源通斷。使用時應注意正確選擇柵極驅動電壓以確?？煽繉?，并且要關注器件的最大功率耗散能力以免因過熱而損壞。

NTJS3151PT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
60 毫歐 @ 3.3A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
400mV @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
850pF @ 12V
功率 - 最大
625mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
SOT-363
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTJS3151PT1GOSTR

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