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MJD200T4

更新時間:2025-07-04 15:02:00

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MJD200T4外觀圖

MJD200T4

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MJD200T4 概述

MJD200T4是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款高性能達林頓晶體管陣列。該器件包含兩個NPN達林頓對，每個達林頓對由兩個晶體管組成，具有高電流增益和集電極-發(fā)射極電壓VCEO高達100V。其最大集電極電流IC為500mA，適合驅(qū)動各種負載。這款芯片常用于工業(yè)控制、繼電器驅(qū)動、燈控開關、音頻放大器以及需要高增益特性的電路中。它的封裝形式為TO-220，有利于散熱管理，提高可靠性。在應用時應注意散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。典型應用電路包括驅(qū)動直流電機、電磁閥等感性負載，使用時建議配合適當?shù)谋Ｗo元件如續(xù)流二極管以防止反向電動勢損壞晶體管。對于需要多通道驅(qū)動的應用場景，可以考慮并聯(lián)多個通道來增加輸出能力。

MJD200T4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
5A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
25V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.8V @ 1A，5A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
45 @ 2A，1V
功率 - 最大
1.4W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
65MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
Digi-Reel®
其它名稱
MJD200T4OSDKR

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