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MJD200RLG

更新時間:2025-06-12 22:43:04

供應商
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封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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VISHAY/威世
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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MJD200RLG外觀圖

MJD200RLG

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MJD200RLG 概述

MJD200RLG是安森美半導體(On Semiconductor)生產(chǎn)的一款高壓大電流達林頓晶體管，采用TO-220封裝。該器件包含兩個NPN型達林頓對，具有高電流增益和高電壓承受能力，集電極-發(fā)射極最大電壓可達100V，集電極連續(xù)電流可達3A。典型應用包括繼電器驅(qū)動、燈控開關、電機控制以及工業(yè)自動化設備中的功率放大電路。其較高的電流增益使得它在需要較大驅(qū)動電流的場合表現(xiàn)出色，同時易于與邏輯電路或微控制器接口。使用時應注意散熱設計，避免長時間工作在最大額定值附近。推薦添加適當?shù)纳崞蕴岣呖煽啃?。在實際電路中，通常需要在基極串聯(lián)限流電阻，并根據(jù)具體負載調(diào)整外圍元件參數(shù)。對于感性負載，建議并聯(lián)續(xù)流二極管以保護晶體管。

MJD200RLG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
5A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
25V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.8V @ 1A，5A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
45 @ 2A，1V
功率 - 最大
1.4W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
65MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MJD200RLG-NDMJD200RLGOSTR

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MJD200T4G
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MC34063

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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