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MTD2955VT4

更新時間:2025-06-01 10:23:48

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MTD2955VT4外觀圖

MTD2955VT4

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MTD2955VT4 概述

MTD2955VT4是P溝道功率MOSFET，由威世半導體(Vishay)生產(chǎn)。它采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。該MOSFET的最大漏源電壓VDS為-55V，在室溫下連續(xù)漏極電流ID可達-12A。其柵源電壓VGS范圍為±20V。 MTD2955VT4適用于各種電源管理應用，如負載開關、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動控制等場景。在電池供電設備中，它可以有效降低功耗并提高效率。由于其良好的熱穩(wěn)定性和高可靠性，也適合應用于工業(yè)控制和汽車電子領域。使用時應注意避免超過最大額定值，并確保散熱良好以維持性能穩(wěn)定。

MTD2955VT4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
230 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
770pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MTD2955VT4OS

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