MTD5P06V
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MTD5P06V
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原裝現(xiàn)貨
MTD5P06V
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官網(wǎng)可查icscjh.com
MTD5P06V
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原裝現(xiàn)貨
MTD5P06V
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專注電子元件十年,只做原裝現(xiàn)貨
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MTD5P06V
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TO252/23+
柒號芯城,離原廠的距離只有0.07公分
MTD5P06V
TMOS POWER FET 5 AMPERES 60 VOLTS RD...
MOTOROLA
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MTD5P06V
TMOS POWER FET 5 AMPERES 60 VOLTS RD...
MOTOROLA [Motorola, Inc]
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MTD5P06V/D
TMOS POWER FET 5 AMPERES 60 VOLTS
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MTD5P06V-D
Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts
ON Semiconductor
MTD5P06V-DPDF下載
這些參數(shù)與現(xiàn)有的電流和電壓表達式一起輸入到數(shù)據(jù)表中,然后畫出結果曲線進行比較,工作頻率為100khz。在有兩個開關s1和s2的情況下,接地開關是一個n溝道fet,而上面的開關是一個p溝道fet,二極管是肖特基型,設正向電壓為0.6v。電感為150μh 4a,內(nèi)阻是0.1ω,電容為高質(zhì)量、低阻抗類型,其損耗經(jīng)過計算表明可以忽略。對fet的開關損耗進行估計,假設開關時間是100ns,忽略二極管的開關損耗,控制電路的損耗假設也是可以忽略的。 fet的特性如下: p-溝道: on semi mtd5p06v,rds(on)=0.45ωn-溝道: on semi ntd15n06,rds(on)=0.09ω 電感值選為150μh,這樣電感和其它元件中的紋波電流大約為20%,可以無須顧慮電流波形擺動而將其看作平頂電流脈沖。 2.損耗計算 我們?yōu)樗膫€電路設計了一個電子表格,設定輸出電壓為24v,電流為2a,然后將輸入電壓以2v間隔遞增計算其性能。在sepic和圖1d(d1=d2)中,因為傳遞函數(shù)(vout/vin)在電壓低于或高于輸出電壓時是一樣的,所以過程可以簡化。而另外兩個電路則要取決于
產(chǎn)品型號:MTD5P06VT4G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):450
最大漏極電流Id(on)(A):5
通道極性:P溝道
封裝/溫度(℃):3DPAK/-65~175
描述:5A,60V,DPAK,P溝道功率MOSFET
價格/1片(套):¥3.23