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IXKH20N60C5

更新時間:2025-05-25 16:59:11

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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芯德微聯(lián)（深圳）電子有限公司
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IXKH20N60C5外觀圖

IXKH20N60C5

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

封裝:TO-3P-3 整包

IXKH20N60C5 概述

IXKH20N60C5是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET，采用先進工藝制造，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。該器件最大漏極-源極電壓（VDSS）為600V，連續(xù)漏極電流（ID）可達20A，適用于高電壓、大電流的應用環(huán)境。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、高頻焊接設備以及各種工業(yè)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。在這些應用中，其卓越的開關(guān)性能能夠有效降低開關(guān)損耗，提高整體系統(tǒng)效率。此外，該MOSFET還具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定工作。使用時應注意正確選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保散熱設計合理，避免過熱損壞。建議在實際電路設計中參考官方提供的典型應用電路進行布局，以獲得最佳性能表現(xiàn)。

IXKH20N60C5 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.5V @ 1.1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1520pF @ 100V
功率 - 最大
-
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3 整包
供應商設備封裝
TO-247AD
包裝
管件

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