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IXTA8N50P
3000
TO263/2235+
不上現(xiàn)貨排名，有價(jià)格優(yōu)勢(shì)，照樣拿單，上具體批次，只...
IXTA8N50P
7300
TO263/23+
原裝現(xiàn)貨
IXTA8N50P
4500
TO263/23+
終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單
IXTA8N50P
6000
TO263/23+
終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單
IXTA8N50P
8000
TO263/2024+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
IXTA8N50P
10000
TO263AA/-
原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務(wù)
IXTA8N50P
105000
TO2632/2521+
50個(gè)/管一級(jí)代理專營品牌原裝，優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨，長(zhǎng)期排單
IXTA8N50P
8000
TO263/25+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
IXTA8N50P
60000
TO263/2025+
專營三極管質(zhì)量保證
IXTA8N50P
300000
TO263/23+
一級(jí)代理商可提供技術(shù)方案支持
IXTA8N50P
7300
TO263/2026+
行業(yè)十年，價(jià)格超越代理， 支持權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測(cè)
IXTA8N50P
9000
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/22+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
IXTA8N50P
3209
DPAK/TO263/2024+/25+
MOSFET單管,原裝和國產(chǎn)替代
IXTA8N50P
540030
TO220/22+
可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/
IXTA8N50P
9860
TO263/2026+
原裝優(yōu)勢(shì)有貨
IXTA8N50P
26495
TO263/2025
優(yōu)勢(shì)庫存原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣
IXTA8N50P
22500
-/16+RoHS
保證質(zhì)量質(zhì)優(yōu)價(jià)好給你
IXTA8N50P
45
TO263/10+
-
IXTA8N50P
9000
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/2024+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
IXTA8N50P
3000
-/20+
原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢(shì)渠道
IXTA8N50P
PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhan...
IXYS
IXTA8N50PPDF下載
IXTA8N50P
MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
IXTA8N50PPDF下載
IXTA8N50P
PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhan...
IXYS [IXYS Corporation]
IXTA8N50PPDF下載
50
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET - 單
PolarHV™
MOSFET N 通道，金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)型
500V
8A
800 毫歐 @ 4A，10V
5.5V @ 100µA
20nC @ 10V
1050pF @ 25V
150W
表面貼裝
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
TO-263
管件
整的能力。高壓工作特點(diǎn)可以使它能夠驅(qū)動(dòng)數(shù)百個(gè)串聯(lián)的高亮度led。當(dāng)驅(qū)動(dòng)高亮度led時(shí)，該芯片的效率高于90%，使最大限度地降低能量的消耗成為可能，從而可以在相當(dāng)廣的領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用。 除了實(shí)現(xiàn)最小的系統(tǒng)功率損失外，芯片內(nèi)部的電流調(diào)整器也具有固定輸出的能力，從而延長(zhǎng)了led的壽命。此外，片上還有一個(gè)7.8v的穩(wěn)壓器，可以為內(nèi)部邏輯供電，也可以為外部邏輯提供1ma的電流，并且能夠直接驅(qū)動(dòng)外部mosfet管的柵極。降壓變換器的參考設(shè)計(jì)如圖2所示(可以提供評(píng)估板，型號(hào)為mxhv9910db3)。 ixta8n50p高速開關(guān)fet可用作主開關(guān)器件，其額定工作電壓為500v，導(dǎo)通電阻rds(on)為0.8ω，并且25℃時(shí)的額定電流為8a。電感l(wèi)1的值是由開關(guān)頻率、輸入電壓和二極管的正向電壓和電流決定的。開關(guān)頻率由r1設(shè)定在64khz。頻率越高，fet的損耗就越高，而較低的頻率則需要較大的l1值。
整的能力。高壓工作特點(diǎn)可以使它能夠驅(qū)動(dòng)數(shù)百個(gè)串聯(lián)的高亮度led。當(dāng)驅(qū)動(dòng)高亮度led時(shí)，該芯片的效率高于90%，使最大限度地降低能量的消耗成為可能，從而可以在相當(dāng)廣的領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用。 除了實(shí)現(xiàn)最小的系統(tǒng)功率損失外，芯片內(nèi)部的電流調(diào)整器也具有固定輸出的能力，從而延長(zhǎng)了led的壽命。此外，片上還有一個(gè)7.8v的穩(wěn)壓器，可以為內(nèi)部邏輯供電，也可以為外部邏輯提供1ma的電流，并且能夠直接驅(qū)動(dòng)外部mosfet管的柵極。降壓變換器的參考設(shè)計(jì)如圖2所示（可以提供評(píng)估板，型號(hào)為mxhv9910db3）。 ixta8n50p高速開關(guān)fet可用作主開關(guān)器件，其額定工作電壓為500v，導(dǎo)通電阻rds（on）為0.8ω，并且25℃時(shí)的額定電流為8a。電感l(wèi)1的值是由開關(guān)頻率、輸入電壓和二極管的正向電壓和電流決定的。開關(guān)頻率由r1設(shè)定在64khz。頻率越高，fet的損耗就越高，而較低的頻率則需要較大的l1值。
IXTH10N100 IXTK180N15 IXYS J003 J04V J101 J102 J103 J104 J105
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