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IRFBE30SPBF

更新時間:2025-05-19 15:42:15

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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原包裝進口正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

深圳市得捷芯城科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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深圳市鵬先達電子有限公司
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深圳市拓華芯諾科技有限公司
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深圳市偉芯源電子科技有限公司
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深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司
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深圳市萬芯時代貿易有限公司
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回收此型號IRFBE30SPBF

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D2PAK(TO263)/-
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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3000
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IRFBE30SPBF 概述

IRFBE30SPBF是由英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用SuperSO8封裝，具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于高頻開關電源應用。其典型應用場景包括直流-直流轉換器、不間斷電源系統(tǒng)以及電機驅動控制。在電路設計中使用IRFBE30SPBF時，需注意柵極驅動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET，通常推薦10V以上的柵極電壓。此外，由于該器件具備較快的開關速度，在PCB布局時應盡量減小寄生電感以避免產(chǎn)生電壓尖峰。為提高效率并減少功耗，建議在源極和漏極之間添加適當?shù)纳岽胧⒏鶕?jù)具體應用需求選擇合適的柵極電阻值來優(yōu)化開關性能。

IRFBE30SPBF 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFBE30S,L
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 歐姆 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
78nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
管件
其它名稱
*IRFBE30SPBF

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IRFB13N50
IRFB13N50A
IRFB13N50APBF
IRLML6402

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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